威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：SFH6156-3 编号：C5158087

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：VO617A-4 编号：C17692434

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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型号：VO618A 编号：C5158086

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个4引脚DIP封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：VOM617A-9X001T 编号：C5358720

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚、100密耳引脚间距的微型扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：SFH6156-1T 编号：C553995

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，光耦合到一个硅平面光电晶体管探测器，并封装在一个塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：TCLT1105 编号：C3151607

封装：SOIC-5-300mil

品牌：VISHAY(威世)

TCLT110系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用5引脚SOP - 6L封装。

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型号：TCET1103 编号：C17486598

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：VO617A 编号：C5241902

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。

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型号：VOS617A-3T 编号：C5334357

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有砷化镓红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在一个4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。它在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：TCET1102 编号：C17203631

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：VO615A-3X019T 编号：C17289789

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：TCMT1117 编号：C17692095

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

TCMT111X 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚封装。

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型号：VO610A-4X017T 编号：C17680911

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

VO610A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：VOM617A-2T 编号：C3000892

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、100密耳引脚间距的微型扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：VOS617A-3X001T 编号：C5361069

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚50密耳引脚间距的迷你扁平封装。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：VOM617A-9T 编号：C17381336

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

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型号：VOS618A-8T 编号：C17283685

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS618A系列采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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型号：VOL617A-1T 编号：C144868

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发光二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚LSOP宽体封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：SFH615A-1 编号：C19181017

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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型号：CNY75A 编号：C19111710

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

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型号：VOM617A-2X001T 编号：C17413597

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的VOM617A采用了砷化镓（GaAs）红外发光二极管发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：CQY80N 编号：C19167334

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CQY80N(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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型号：SFH6206-1T 编号：C7509627

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥2.29
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型号：SFH617A-3 编号：C2979746

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：SFH601-3 编号：C5334352

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有 GaAs 红外发射二极管发射器，光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并采用塑料 DIP-6 封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：SFH601-2 编号：C3009765

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电隔离电路之间的信号传输。

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型号：SFH617A-4 编号：C19136284

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具备高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特性。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：CNY17-3X017T 编号：C17295824

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17 是一款光耦合器，由一个砷化镓红外发光二极管和一个硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。

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型号：SFH6156-2X001 编号：C17649560

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

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型号：SFH615AY-X019T 编号：C3009254

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH615XXX的特点是电流传输比范围大、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外发光二极管作为发射端，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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