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具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
  • 1+

    ¥3.27
  • 10+

    ¥3.19
  • 30+

    ¥3.14
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准,适用于 400Vₐₙₛ 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.33
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      ¥3.24
    • 30+

      ¥3.18
  • 有货
  • 具有 GaAs 红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在 4 引脚 LSOP 宽体封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.45
  • 有货
  • 110°C 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器光学耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现 >8.8min 的爬电距离和电气间隙。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.74
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.68
  • 有货
  • 有一个砷化镓红外发射二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚的小外形无引脚(LSOP)宽体封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.06
    • 30+

      ¥2.71
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      ¥2.36
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.07
    • 30+

      ¥2.72
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥4.06
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.84
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置由 GaAs 红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙,该版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压。
    • 1+

      ¥4.09
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      ¥3.3
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      ¥2.9
  • 有货
  • IL221AT、IL222AT、IL223AT 是高电流传输比(CTR)光耦合器,采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 的 LED 电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口连接
    • 1+

      ¥5.08
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      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.9
  • 有货
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      ¥5.45
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    • 30+

      ¥5.25
  • 有货
  • 具有GaAs红外发光二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并采用4引脚LSOP宽体封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.09
  • 有货
  • 由一个光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用16引脚(四通道)封装。
    • 1+

      ¥7.59
    • 10+

      ¥7.4
    • 30+

      ¥7.27
  • 有货
  • 6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器,采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器
    • 1+

      ¥9.57
    • 10+

      ¥9.36
    • 30+

      ¥9.22
  • 有货
  • CNY6XST 系列是高隔离电压的贴片式光耦合器,由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用 4 引脚塑料封装。单个元件相对安装,输入和输出之间的距离大于 3 毫米,可满足最高安全要求。
    • 1+

      ¥11.04
    • 10+

      ¥10.76
    • 30+

      ¥10.57
  • 有货
  • 由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离>3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.46
    • 10+

      ¥13.18
    • 30+

      ¥12.99
  • 有货
    • 1+

      ¥14.6
    • 10+

      ¥14.24
    • 30+

      ¥13.99
  • 有货
    • 1+

      ¥17.14
    • 10+

      ¥14.67
    • 30+

      ¥13.13
    • 100+

      ¥11.55
  • 有货
    • 1+

      ¥18.49
    • 10+

      ¥18.01
    • 50+

      ¥17.69
  • 有货
  • ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器,采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压
    数据手册
    • 1+

      ¥19.39
    • 10+

      ¥16.61
    • 25+

      ¥14.96
  • 有货
  • 光耦合的GaAs红外发光二极管与具有集成噪声抑制和过零电路的光敏晶闸管系统组成。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流,其dV/dt比大于10 kV/μs,负载电压高达800 V。是一种完美的微控制器友好型解决方案,可将低电压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高电压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管或三端双向可控硅开关元件以及固态继电器。
    • 1+

      ¥25.38
    • 10+

      ¥24.82
    • 50+

      ¥24.45
  • 有货
  • VOA300线性光耦合器由一个红外发射器、一个隔离反馈光电二极管和一个输出PIN光电二极管组成,采用分叉式布局。反馈光电二极管捕获一部分LED光通量,并生成一个控制信号(I_P1),该信号可用于调节LED驱动电流。这种技术可补偿LED的非线性、时间和温度特性
    • 1+

      ¥41.69
    • 10+

      ¥40.76
    • 30+

      ¥40.15
  • 有货
  • 线性光耦合器由一个红外发射器组成,该发射器以分叉排列方式照射一个隔离反馈和一个输出 PIN 光电二极管。反馈光电二极管捕获 LED 光通量的一部分,并生成一个控制信号 (IP1),可用于伺服 LED 驱动电流。这种技术可补偿 LED 的非线性、时间和温度特性。
    • 1+

      ¥54.34
    • 10+

      ¥52.99
    • 30+

      ¥52.08
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
    • 5+

      ¥0.9452
    • 50+

      ¥0.9262
    • 200+

      ¥0.9135
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1000+

      ¥0.96052
    • 2000+

      ¥0.9361
    • 3000+

      ¥0.90354
    • 6000+

      ¥0.87912
    • 1+

      ¥1.36
    • 10+

      ¥1.33
    • 30+

      ¥1.31
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并采用4引脚、100密耳引脚间距的微型扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥1.43
    • 10+

      ¥1.4
    • 30+

      ¥1.38
  • 有货
  • TCLT110系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成,采用5引脚SOP - 6L封装。
    • 1+

      ¥1.49
    • 10+

      ¥1.45
    • 30+

      ¥1.43
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.49
    • 10+

      ¥1.45
    • 30+

      ¥1.42
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.54
    • 10+

      ¥1.5
    • 30+

      ¥1.48
  • 有货
  • 具有砷化镓红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并集成在一个4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。它在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.59
    • 10+

      ¥1.56
    • 30+

      ¥1.53
  • 有货
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