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光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管,与集成光电探测器光耦合,该探测器由光电二极管和高速晶体管组成,采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输,最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。
数据手册
  • 1+

    ¥6.65
  • 10+

    ¥5.51
  • 30+

    ¥4.89
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离大于8mm。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.64
    • 30+

      ¥5.01
  • 有货
  • SFH628A(DIP)和 SFH6286(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥7.75
    • 10+

      ¥6.44
    • 30+

      ¥5.72
  • 有货
  • TCLT101 系列包含一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与一个光电晶体管探测器光耦合,采用 4 引脚迷你扁平 LSOP 封装。
    • 1+

      ¥8.21
    • 10+

      ¥6.85
    • 30+

      ¥6.11
  • 有货
  • VO06xxT系列是单通道和双通道10MBd光耦合器,采用高效输入LED与集成光电二极管IC探测器耦合。探测器具有开漏NMOS晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏更少。对于单通道类型,引脚7上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为VO0601T和VO0631T提供了5kV/μs的共模瞬态抗扰度,为VO0611T和VO0661T提供了15kV/μs的共模瞬态抗扰度。建议在引脚5和8之间连接一个0.1μF的旁路电容。
    • 1+

      ¥12.54
    • 10+

      ¥12.26
    • 30+

      ¥12.08
  • 有货
  • SFH6345是一款光耦合器,采用GaAlAs红外发光二极管,与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合,采用DIP - 8塑料封装。该器件与6N135类似,但探测器上额外增加了一个法拉第屏蔽层,可增强输入 - 输出的dV/dt抗扰度。信号可在两个电气隔离的电路之间传输,最高频率可达2 MHz
    • 1+

      ¥15.12
    • 10+

      ¥12.79
    • 50+

      ¥11.34
  • 有货
  • CNY6XST,高隔离电压SMD版本光耦合器由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。 单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离大于3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.88
    • 10+

      ¥15.32
    • 30+

      ¥13.72
    • 100+

      ¥11.09
    • 400+

      ¥10.35
    • 800+

      ¥10.03
  • 订货
  • VO06xxT 系列是单通道和双通道 10 MBd 光耦合器,采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 检测器相耦合。该检测器具备漏极开路 NMOS 晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,其泄漏电流更小。对于单通道类型,引脚 7 上的使能功能可对检测器进行选通
    数据手册
    • 1+

      ¥19.72
    • 10+

      ¥19.26
    • 30+

      ¥18.96
  • 有货
  • 由两个电绝缘的横向功率IC组成的交流光耦合器非零电压检测器,在输出端集成了晶闸管系统、光电探测器和噪声抑制器,并采用红外砷化镓二极管输入。
    • 1+

      ¥22.69
    • 10+

      ¥22.2
    • 30+

      ¥21.87
  • 有货
    • 1+

      ¥25.34
    • 10+

      ¥24.86
    • 25+

      ¥24.54
  • 有货
  • VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 5+

      ¥0.9407
    • 50+

      ¥0.9194
    • 200+

      ¥0.9051
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚DIP封装中。 耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 耦合器端部可堆叠,间距为2.54mm。 选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥1.35
    • 10+

      ¥1.32
    • 30+

      ¥1.3
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
    • 1+

      ¥1.44
    • 10+

      ¥1.41
    • 30+

      ¥1.38
    • 100+

      ¥1.36
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,光耦合到一个硅平面光电晶体管探测器,并封装在一个塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5
    • 10+

      ¥1.47
    • 30+

      ¥1.44
    • 100+

      ¥1.42
  • 有货
  • 110℃额定的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个GaAs红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料DIP-4封装中。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5096
    • 50+

      ¥1.2255
    • 200+

      ¥1.0417
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.7
    • 10+

      ¥1.67
    • 30+

      ¥1.64
  • 有货
  • VO610A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.72
    • 10+

      ¥1.68
    • 30+

      ¥1.66
  • 有货
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥2.11
    • 50+

      ¥2.07
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料插件 DIP-6 封装。适用于两个电气隔离电路之间的信号传输,耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比,F 型的基极端未连接,显著提高了共模干扰抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.17
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥2.08
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VOM618A采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.21
    • 10+

      ¥2.15
    • 30+

      ¥2.11
  • 有货
  • CQY80N(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥2.23
    • 30+

      ¥2.2
  • 有货
  • SFH620A(DIP)和 SFH6206(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.29
    • 10+

      ¥2.24
    • 30+

      ¥2.2
  • 有货
  • 具有 GaAs 红外发射二极管发射器,光耦合至硅平面光电晶体管探测器,并采用塑料 DIP-6 封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.34
    • 10+

      ¥2.29
    • 50+

      ¥2.25
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并集成在塑料DIP-4封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高400VRMS或直流的工作电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.88
  • 有货
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.59
  • 有货
  • 每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.96
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端对端堆叠,间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,可在高达 400VRMS 或直流的工作电压下实现加强绝缘。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.01
    • 10+

      ¥2.94
    • 30+

      ¥2.89
  • 有货
  • 光耦合器由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料插件 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比,F 型的基极端未连接,从而显著提高了共模干扰抗扰度。
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥3
    • 65+

      ¥2.95
  • 有货
  • 由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器通过UL认证,符合5000 VRMS隔离测试电压。这种隔离性能通过双模隔离制造工艺实现。通过订购选项1,这些系列产品可符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范。这些隔离工艺和ISO9001质量体系使产品具备商用塑料光电晶体管光耦合器中较高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置,可采用卷带包装或标准管装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥3.08
    • 50+

      ¥3.03
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥3.11
  • 有货
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