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首页 > 热门关键词 > 威世光耦
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由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
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  • 1+

    ¥3.02
  • 10+

    ¥2.4
  • 30+

    ¥2.13
  • 100+

    ¥1.8
  • 500+

    ¥1.65
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥3.02
    • 30+

      ¥2.96
  • 有货
  • TCDT1100、TCDT1100G 系列产品包含一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管,二者通过光耦合,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接,可抗干扰。
    • 1+

      ¥3.14
    • 10+

      ¥2.49
    • 50+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.87
  • 有货
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥3.1
    • 30+

      ¥3.05
  • 有货
  • 由一个GaAs红外发光二极管与一个光敏三端双向可控硅光耦合而成,封装在节省电路板空间的扁平SOP-4封装中。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥3.3
  • 有货
  • 有一个砷化镓红外发射二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚的小外形无引脚(LSOP)宽体封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.06
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.36
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.07
    • 30+

      ¥2.72
  • 有货
    • 1+

      ¥3.95
    • 10+

      ¥3.86
    • 30+

      ¥3.81
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置由 GaAs 红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙,该版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压。
    • 1+

      ¥4.09
    • 10+

      ¥3.3
    • 30+

      ¥2.9
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥4.05
    • 30+

      ¥3.98
  • 有货
  • 110°C 额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现爬电距离和电气间隙距离 >8.8mm。
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥4
  • 有货
  • 介绍了五个符合行业标准的单通道光电晶体管耦合器系列,包括 4N35、4N36、4N37 和 4N38 耦合器。每个光耦合器由砷化镓红外LED和一个硅NPN光电晶体管组成
    • 1+

      ¥4.31
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.56
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VO615C系列具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥4.37
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥4.21
    • 100+

      ¥4.14
  • 有货
  • SFH615A - 3X018T和SFH615A - 4X018T具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并采用塑料SMD封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥4.49
    • 30+

      ¥4.42
  • 有货
    • 1+

      ¥5
    • 10+

      ¥4.87
    • 30+

      ¥4.79
  • 有货
  • 由与光敏过零三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的扁平SOP-4封装。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、大电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    • 1+

      ¥5.19
    • 10+

      ¥5.06
    • 30+

      ¥4.97
  • 有货
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥5.25
  • 有货
  • 由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的DIP-4封装。可将低压逻辑与120VAC、240VAC和380VAC线路隔离,以控制阻性、感性或容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。
    • 1+

      ¥6.79
    • 10+

      ¥5.53
    • 30+

      ¥4.89
    • 100+

      ¥4.26
  • 有货
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.58
    • 30+

      ¥4.95
  • 有货
    • 1+

      ¥7.9
    • 10+

      ¥6.58
    • 65+

      ¥5.85
  • 有货
  • VO1400AEF 是一款采用 4 引脚 SOP 表贴封装的单常开型(1 form A)光隔离固态继电器。
    数据手册
    • 10+

      ¥6.1425
    • 100+

      ¥5.915
    • 200+

      ¥5.46
    • 1000+

      ¥5.2325
    • 2000+

      ¥5.096
    该产品具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器采用砷化镓红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并集成在塑料贴片封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.77
    • 10+

      ¥8.15
    • 50+

      ¥7.26
  • 有货
    • 1+

      ¥11.45
    • 10+

      ¥11.16
    • 30+

      ¥10.96
  • 有货
  • 由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离>3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.68
    • 10+

      ¥12.4
    • 30+

      ¥12.21
  • 有货
    • 1+

      ¥14.48
    • 10+

      ¥14.12
    • 30+

      ¥13.88
  • 有货
  • CNY6XST,高隔离电压SMD版本光耦合器由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。 单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离大于3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.73
    • 10+

      ¥16.17
    • 30+

      ¥14.57
    • 100+

      ¥11.94
    • 400+

      ¥11.2
    • 800+

      ¥10.88
  • 订货
  • 是单通道 25 MBd 高速光耦合器,采用 CMOS 技术。利用输入 LED 驱动器与高速红外发射二极管 (IRED) 以及集成光探测器 IC 相结合。具有真正的数字输入和输出接口,最大脉冲宽度失真极低,仅为 6 ns,且抗噪性高,最低为 20 kV/μs,便于集成到数字逻辑系统中。
    • 1+

      ¥20.65
    • 10+

      ¥20.12
    • 30+

      ¥19.77
  • 有货
  • 是单刀单掷常开开关(1 Form A),可在许多应用中替代机电继电器。采用GaAlAs LED进行驱动控制,使用高可靠性MOSFET作为输出开关。此外,采用限流电路提供过压保护,也为单向直流应用提供限流功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.76
    • 10+

      ¥20.4
    • 50+

      ¥17.64
  • 有货
  • LH1522双路1 Form A继电器是单刀单掷常开开关,可在许多应用中替代机电继电器。它们采用镓铝砷(GaAIAs)发光二极管进行驱动控制,采用MOSFET开关作为输出。此外,LH1522固态继电器(SSR)在提供过压保护时采用限流电路
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥32.54
    • 30+

      ¥31.97
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
    • 5+

      ¥0.9452
    • 50+

      ¥0.9262
    • 200+

      ¥0.9135
  • 有货
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