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首页 > 热门关键词 > 威世光耦
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是高电流传输比 (CTR) 光耦合器,具有砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电晶体管探测器。此器件的CTR在1.0 mA的LED电流下进行测试。这种低驱动电流允许从CMOS轻松连接到LSTTL或TTL。采用标准SOIC-8封装,非常适合高密度应用。此外,该封装无需通孔,符合表面贴装器件标准。
数据手册
  • 1+

    ¥24.98
  • 10+

    ¥21.07
  • 30+

    ¥18.74
  • 有货
    • 1+

      ¥27.83
    • 10+

      ¥23.97
    • 30+

      ¥21.67
  • 有货
  • CNY65Exi 由一个光电晶体管和一个红外发光二极管通过光耦合组成,采用 4 引脚塑料封装。这些组件相对安装,输入和输出之间的距离大于 3.0 毫米,满足最高安全要求。根据欧洲指令 94/9/EG,CNY65Exi 获得了适用于爆炸性环境的 ATEX 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥28.98
    • 10+

      ¥26.13
  • 有货
  • 光伏MOSFET驱动器由两个与两个光电二极管阵列光耦合的LED组成。光电二极管阵列提供一个具有足够电压和电流的浮动源,以驱动高功率MOSFET晶体管。光耦合提供高输入/输出隔离电压。为了关断MOSFET,需要一个外部电阻(栅极到源极)来进行栅极放电。
    • 1+

      ¥29.43
    • 10+

      ¥28.76
    • 30+

      ¥28.31
  • 有货
  • IL300线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器、一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分,并生成一个控制信号(IP1),该信号可通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定。这可以补偿发射器的非线性、时间和温度特性
    • 1+

      ¥30.68
    • 10+

      ¥30
    • 30+

      ¥29.55
  • 有货
  • 额定温度为110℃的SFH617A(DIP)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓(GaAs)红外二极管发射器,通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 5+

      ¥1.2215
    • 50+

      ¥1.1954
    • 150+

      ¥1.178
  • 有货
  • VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.6
    • 10+

      ¥1.57
    • 30+

      ¥1.54
  • 有货
  • 特性:UL 认证(编号 E113898)。 TUV 认证(编号 R9653630)。 CSA 认证(编号 CA91533-1)。应用:I/O 接口用于计算机
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.89 / 个
  • 有货
  • CNY17F是一款光耦合器,由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器通过光耦合组成,采用塑料直插式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压
    • 1+

      ¥2.38
    • 10+

      ¥2.32
    • 50+

      ¥2.28
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料 DIP-4 封装中。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为 2.54mm。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 50+

      ¥1.161
    • 500+

      ¥1.075
    • 1000+

      ¥1.032
    • 5000+

      ¥0.989
    • 10000+

      ¥0.946
    额定温度为110°C的SFH617A(DIP)具备高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特性。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器,通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器,并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.6
  • 有货
  • CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.83
    • 10+

      ¥2.25
    • 50+

      ¥1.99
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.4
    • 30+

      ¥2.13
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.65
  • 有货
    • 1+

      ¥3.08
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.84
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。它在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.25
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥1.97
  • 有货
  • 由一个GaAs红外发光二极管与一个光敏三端双向可控硅光耦合而成,封装在节省电路板空间的扁平SOP-4封装中。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥3.36
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥3.24
  • 有货
  • 有一个砷化镓红外发射二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。 它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥2.86
    • 30+

      ¥2.53
  • 有货
  • VOL617A采用砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚宽体小外形无引脚封装(LSOP)。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。
    • 1+

      ¥3.58
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.49
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有砷化镓红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、100密耳引脚间距的迷你扁平封装。 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.48
  • 有货
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.49
  • 有货
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.49
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离>8mm。
    • 1+

      ¥4.09
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥2.93
  • 有货
  • 介绍了五个符合行业标准的单通道光电晶体管耦合器系列,包括 4N35、4N36、4N37 和 4N38 耦合器。每个光耦合器由砷化镓红外LED和一个硅NPN光电晶体管组成
    • 1+

      ¥4.31
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.56
    • 500+

      ¥2.3
  • 有货
  • SFH619A 是光耦合隔离器,采用砷化镓红外 LED 和硅光电达林顿传感器。在驱动电路和负载电路之间保持高度隔离的同时,可实现开关功能。这些光耦合器可用于替代簧片继电器和水银继电器,具有寿命长、开关速度快和无磁场干扰等优点
    数据手册
    • 1+

      ¥4.54
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥4.37
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有砷化镓红外发射二极管,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为2.54mm。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离大于8mm。该版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,可实现400VRMS或直流的工作电压下的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥4.53
    • 40+

      ¥4.46
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6可实现>8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4.75
    • 30+

      ¥4.68
  • 有货
  • 由与光敏过零三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的扁平SOP-4封装。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、大电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.98
    • 30+

      ¥4.9
  • 有货
  • 由与单片光敏非过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合的砷化镓红外 LED 组成。600 V 阻断电压允许以大于 2 的安全系数控制高达 240 VAC 的离线电压,并且足以承受高达 380 V 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.12
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.9
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有GaAs红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距2.54mm。选择选项6时,爬电距离和电气间隙>8mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.55
    • 10+

      ¥5.4
    • 30+

      ¥4.83
  • 有货
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