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是一种光耦合器,由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料插入式 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比,F 型的基极端未连接,从而显著提高了共模干扰抗扰度。
  • 1+

    ¥5.08
  • 10+

    ¥4.13
  • 30+

    ¥3.66
  • 有货
  • 由与单片光敏非过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合的砷化镓红外 LED 组成。600 V 阻断电压允许以大于 2 的安全系数控制高达 240 VAC 的离线电压,并且足以承受高达 380 V 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.12
    • 10+

      ¥4.99
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      ¥4.9
  • 有货
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      ¥6.55
    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥4.72
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离大于8mm。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥6.77
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      ¥5.64
    • 30+

      ¥5.01
  • 有货
  • TCLT111系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用5引脚SOP - 6L封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.51
    • 30+

      ¥4.88
  • 有货
  • 是一种光耦合器,具有 GaAlAs 红外发射二极管,与集成光电探测器光耦合,该探测器由光电二极管和高速晶体管组成,采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输,最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.6
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      ¥6.29
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      ¥5.34
  • 有货
  • VOD205T、VOD206T、VOD207T、VOD211T、VOD213T、VOD217T 是由砷化镓(GaAs)红外发光二极管(LED)和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息,同时保持输入和输出之间的高度电气隔离。
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      ¥7.95
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      ¥6.6
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      ¥5.87
  • 有货
  • 6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器,采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器
    • 1+

      ¥9.65
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      ¥8.07
    • 50+

      ¥7.19
  • 有货
  • 由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的DIP-4封装。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、大电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。
    • 1+

      ¥10.47
    • 10+

      ¥8.94
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      ¥7.98
  • 有货
  • 10 MBd 宽体光耦合器均由一个 GaAlAs 红外发光二极管组成,并与集成光电探测器进行光耦合。该探测器集成法拉第屏蔽,可提供高功率开关应用所需的高水平噪声隔离。Vishay 的 10 MBd 宽体耦合器具有高隔离距离,外部爬电距离 >10 mm。这使得这些器件成为工作电压超过 1000 V 的应用的理想选择。
    • 1+

      ¥13.75
    • 10+

      ¥13.05
    • 30+

      ¥12.63
    • 100+

      ¥12.21
  • 有货
  • 是一款汽车级光隔离MOSFET驱动器,从隔离屏障低压初级侧的红外发射器获取驱动其内部电路所需的所有电流,无需电源提供VCC,具有关断电路,可实现MOSFET的快速关断。
    • 1+

      ¥15.2
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      ¥14.84
    • 30+

      ¥14.6
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离大于3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.06
    • 10+

      ¥16.71
    • 40+

      ¥14.53
  • 有货
  • IL420 和 IL4208 由一个光学耦合的 GaAs 红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制和非零交叉功能的光敏晶闸管系统组成。该晶闸管系统能够实现低至 1 mA 的触发电流,并具有大于 10 kV/μs 的 dV/dt 比率以及高达 800 V 的负载电压。IL420 和 IL4208 是一种完美的微控制器友好型解决方案,用于将低压逻辑与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 高压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、电磁阀、高功率晶闸管、TRIAC 或固态继电器。
    • 1+

      ¥18.92
    • 10+

      ¥18.46
    • 50+

      ¥18.15
  • 有货
  • ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器,采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压
    数据手册
    • 1+

      ¥19.39
    • 10+

      ¥16.61
    • 25+

      ¥14.96
  • 有货
  • VO06xxT 系列是单通道和双通道 10 MBd 光耦合器,采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 检测器相耦合。该检测器具备漏极开路 NMOS 晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,其泄漏电流更小。对于单通道类型,引脚 7 上的使能功能可对检测器进行选通
    数据手册
    • 1+

      ¥19.72
    • 10+

      ¥19.26
    • 30+

      ¥18.96
  • 有货
  • VOMA618A系列包含一个镓铝砷(GaAlAs)红外发射二极管,该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚迷你扁平封装。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.62
    • 10+

      ¥18.27
    • 30+

      ¥16.27
  • 有货
  • 是高电流传输比 (CTR) 光耦合器,具有砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电晶体管探测器。此器件的CTR在1.0 mA的LED电流下进行测试。这种低驱动电流允许从CMOS轻松连接到LSTTL或TTL。采用标准SOIC-8封装,非常适合高密度应用。此外,该封装无需通孔,符合表面贴装器件标准。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.98
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      ¥21.07
    • 30+

      ¥18.74
  • 有货
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      ¥25.34
    • 10+

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    • 25+

      ¥24.54
  • 有货
  • 光耦合的GaAs红外发光二极管与具有集成噪声抑制和过零电路的光敏晶闸管系统组成。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流,其dV/dt比大于10 kV/μs,负载电压高达800 V。是一种完美的微控制器友好型解决方案,可将低电压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高电压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管或三端双向可控硅开关元件以及固态继电器。
    • 1+

      ¥25.38
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      ¥24.82
    • 50+

      ¥24.45
  • 有货
  • IL300线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器、一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分,并生成一个控制信号(IP1),该信号可通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定。这可以补偿发射器的非线性、时间和温度特性
    • 1+

      ¥30.68
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      ¥29.55
  • 有货
  • CNY65Exi 由一个光电晶体管和一个红外发光二极管通过光耦合组成,采用 4 引脚塑料封装。这些组件相对安装,输入和输出之间的距离大于 3.0 毫米,满足最高安全要求。根据欧洲指令 94/9/EG,CNY65Exi 获得了适用于爆炸性环境的 ATEX 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥32.35
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      ¥29.51
  • 有货
    • 1+

      ¥38.14
    • 10+

      ¥37.26
    • 30+

      ¥36.67
  • 有货
  • VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 5+

      ¥0.9407
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      ¥0.9194
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      ¥0.9051
    • 500+

      ¥0.8909
  • 订货
  • 由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用6引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接,具有抗噪能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4994
    • 10+

      ¥1.2992
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      ¥1.2134
    • 100+

      ¥1.1063
    • 500+

      ¥1.0587
    • 1000+

      ¥1.03
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插封装。
    • 1+

      ¥1.61
    • 10+

      ¥1.58
    • 30+

      ¥1.56
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有砷化镓红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、100密耳引脚间距的迷你扁平封装。 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.91
    • 30+

      ¥1.88
  • 有货
  • 是单通道光电晶体管耦合器,由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥2.31
    • 50+

      ¥2.01
  • 有货
  • CNY17F是一款光耦合器,由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器通过光耦合组成,采用塑料直插式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压
    • 1+

      ¥2.38
    • 10+

      ¥2.32
    • 50+

      ¥2.28
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.34
    • 30+

      ¥2.3
  • 有货
  • SFH610A和SFH6106具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    数据手册
    • 1+

      ¥3.01
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.82
  • 有货
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