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每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。
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  • 1+

    ¥2.86
  • 10+

    ¥2.28
  • 30+

    ¥2.04
  • 有货
  • 光耦合器由砷化镓红外发射二极管和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料插件 DIP-6 封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与 CNY17 系列相比,F 型的基极端未连接,从而显著提高了共模干扰抗扰度。
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥3
    • 65+

      ¥2.95
  • 有货
  • 由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器通过UL认证,符合5000 VRMS隔离测试电压。这种隔离性能通过双模隔离制造工艺实现。通过订购选项1,这些系列产品可符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范。这些隔离工艺和ISO9001质量体系使产品具备商用塑料光电晶体管光耦合器中较高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置,可采用卷带包装或标准管装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥3.08
    • 50+

      ¥3.03
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端对端堆叠,间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,可在高达 400VRMS 或直流的工作电压下实现加强绝缘。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥3.08
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.19
    • 30+

      ¥3.14
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准,适用于 400Vₐₙₛ 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥3.24
    • 30+

      ¥3.18
  • 有货
    • 1+

      ¥3.62
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.49
  • 有货
    • 1+

      ¥3.65
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.5
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)标准,适用于400Vᵣₘₛ或直流的工作电压。
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.06
    • 30+

      ¥2.71
  • 有货
  • 110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.79
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.67
  • 有货
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.66
    • 100+

      ¥3.61
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可端部堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.83
    • 10+

      ¥3.15
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.5
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm,可端对端堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 >8 mm。
    • 1+

      ¥3.86
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.7
  • 有货
    • 1+

      ¥4.02
    • 10+

      ¥3.94
    • 30+

      ¥3.88
  • 有货
  • 由一个光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用5引脚SOP-6L封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.26
    • 30+

      ¥2.87
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥4.06
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.84
  • 有货
  • SFH615A 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥3.38
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.43
  • 有货
  • CNY17F是一款光耦合器,由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成,采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压
    数据手册
    • 1+

      ¥4.23
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥2.99
  • 有货
  • 4N25系列是行业标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27、4N28。每个光耦合器由砷化镓红外LED和一个硅NPN光电晶体管组成
    • 1+

      ¥4.26
    • 10+

      ¥3.43
    • 50+

      ¥3.01
  • 有货
  • 由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合,采用4引脚封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.45
    • 30+

      ¥3
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.61
    • 30+

      ¥3.19
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.47
    • 10+

      ¥4.37
    • 30+

      ¥4.31
  • 有货
  • SFH610A(DIP)和 SFH6106(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓(GaAs)红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料 DIP - 4 或 SMD 封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    数据手册
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.34
  • 有货
  • 由砷化镓红外发射二极管组成,该二极管与4引脚迷你扁平LSOP封装中的光电晶体管探测器光耦合。
    • 1+

      ¥4.71
    • 10+

      ¥4.61
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥4.47
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6可实现>8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4.75
    • 30+

      ¥4.68
  • 有货
  • IL221AT、IL222AT、IL223AT 是高电流传输比(CTR)光耦合器,采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 的 LED 电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口连接
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.97
    • 30+

      ¥4.9
  • 有货
    • 1+

      ¥5.14
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.95
    • 100+

      ¥4.87
  • 有货
    • 1+

      ¥5.15
    • 10+

      ¥5.04
    • 30+

      ¥4.96
  • 有货
  • SFH628A(DIP)和SFH6286(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓(GaAs)红外发射二极管,该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥5.38
    • 10+

      ¥5.26
    • 30+

      ¥5.17
  • 有货
  • VOD233T是一款高电流传输比(CTR)光耦合器。它采用GaAs红外发光二极管发射器和硅NPN光电达林顿晶体管探测器。该器件的CTR是在发光二极管电流为1 mA的条件下测试得出的
    • 1+

      ¥5.4
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥5.18
  • 有货
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