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额定温度为110℃,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管,它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。这些耦合器端部可堆叠,间距为2.54mm。选择选项6和选项8可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805),适用于高达400Vₚ₋ₚ或直流的工作电压的加强绝缘。
  • 1+

    ¥1.6
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    ¥1.57
  • 30+

    ¥1.54
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插封装。
    • 1+

      ¥1.61
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      ¥1.58
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      ¥1.56
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      ¥1.53
  • 有货
  • TCMT111X 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 4 引脚封装。
    • 1+

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      ¥1.63
  • 有货
  • VOS618A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
    • 1+

      ¥1.77
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      ¥1.68
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、100密耳引脚间距的微型扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    • 1+

      ¥1.79
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    • 30+

      ¥1.73
  • 有货
  • VOS618A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
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      ¥1.85
    • 10+

      ¥1.81
    • 30+

      ¥1.78
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥1.85
    • 10+

      ¥1.8
    • 30+

      ¥1.78
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并采用4引脚50密耳引脚间距的迷你扁平封装。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.81
    • 30+

      ¥1.78
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有砷化镓红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、100密耳引脚间距的迷你扁平封装。 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.91
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      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.85
  • 有货
    • 1+

      ¥1.99
    • 10+

      ¥1.95
    • 30+

      ¥1.92
  • 有货
  • 具有GaAs红外发光二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并采用4引脚LSOP宽体封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1011
    • 50+

      ¥1.651
    • 150+

      ¥1.4582
    • 500+

      ¥1.2175
    • 3000+

      ¥1.1104
    • 6000+

      ¥1.046
  • 订货
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  • 有货
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    • 10+

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    • 30+

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  • 有货
  • 额定温度为110°C的VOM617A采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管发射极,该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.22
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥2.13
  • 有货
  • 是单通道光电晶体管耦合器,由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥2.31
    • 50+

      ¥2.01
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.34
    • 30+

      ¥2.3
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料DIP-6封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

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  • 有货
    • 1+

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    • 10+

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    • 30+

      ¥2.48
  • 有货
  • CNY17 是一款光耦合器,由一个砷化镓红外发光二极管和一个硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。
    • 1+

      ¥2.68
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      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.56
  • 有货
  • SFH615XXX的特点是电流传输比范围大、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器采用砷化镓(GaAs)红外发光二极管作为发射端,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.72
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  • 有货
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    • 30+

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  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805)标准,适用于400Vᵣₘₛ或直流的工作电压。
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.06
    • 30+

      ¥2.71
  • 有货
  • 110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.79
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.67
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm,可端对端堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 >8 mm。
    • 1+

      ¥3.86
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  • 有货
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      ¥3.75
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

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  • 有货
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      ¥3.88
  • 有货
  • 由一个光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用5引脚SOP-6L封装。
    数据手册
    • 1+

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