威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：CNY17F-3X001 编号：C17576692

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥5.8
10+
￥4.72
30+
￥4.18

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型号：SFH628A-4 编号：C17355448

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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￥6.16
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￥5.94

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型号：TCET1109G 编号：C143036

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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1+
￥6.34
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￥5.21
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￥4.64

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型号：SFH1690BT 编号：C17488684

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH1690AT、SFH1690BT、SFH1690CT和SFH1690ABT系列产品采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥6.42
10+
￥5.15
30+
￥4.52

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型号：SFH6186-4 编号：C17253776

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥6.47
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￥5.28
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￥4.69

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型号：SFH6186-5X001T 编号：C5361071

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端对端堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

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￥6.6
10+
￥5.42
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￥4.83

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型号：6N136-X007T 编号：C241873

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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1+
￥6.65
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￥5.51
30+
￥4.89

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型号：SFH628A-3X017T 编号：C17337506

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为2.54mm。选择选项6可实现大于8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可在400VRMS或直流的工作电压下实现加强绝缘。

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￥6.9
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￥6.75
30+
￥6.65

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型号：TCMT4100T0 编号：C17589083

封装：SOIC-16-175mil

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用16引脚（四通道）封装。

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￥7.59
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￥7.4
30+
￥7.27

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型号：SFH6286-3 编号：C17514152

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥7.75
10+
￥6.44
30+
￥5.72

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型号：ILD615-3X009T 编号：C17654738

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造，耐受测试电压达 7500 V 交流峰值，工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比（CTR）特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测

1+
￥7.92
10+
￥7.73
30+
￥7.6

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型号：TCLT1018 编号：C7461733

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCLT101 系列包含一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个光电晶体管探测器光耦合，采用 4 引脚迷你扁平 LSOP 封装。

1+
￥8.21
10+
￥6.85
30+
￥6.11

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型号：ILD615-3 编号：C17243866

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥8.41
10+
￥8.22
50+
￥8.1

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型号：SFH6156-4X001T 编号：C5346027

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

该产品具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。此耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在一个塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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1+
￥9.97
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￥8.32
30+
￥7.41

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型号：TCMT4606 编号：C17626641

封装：SOIC-16-175mil

品牌：VISHAY(威世)

薄型迷你扁平封装包含一个带交流输入和晶体管输出的光耦合器。它有单通道（4引脚）的TCMT1600或四通道（16引脚）的TCMT4600可供选择。

1+
￥10.24
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￥9.99
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￥9.82

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型号：CNY17F-3X017T 编号：C17187667

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

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￥10.31
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￥8.61
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￥7.67

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型号：CNY65A 编号：C3008878

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，可满足最高安全要求。

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1+
￥10.74
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￥9.21
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型号：SFH617A-3X006 编号：C511007

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥11.01
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￥9.33
30+
￥8.27

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型号：CNY65ABST 编号：C17557276

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

CNY6XST 系列是高隔离电压的贴片式光耦合器，由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个元件相对安装，输入和输出之间的距离大于 3 毫米，可满足最高安全要求。

1+
￥11.58
10+
￥11.29
30+
￥11.1

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型号：ILD621-X007T 编号：C17410924

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流（lF）下，其集电极 - 发射极饱和电流传输比（CTRCEsat）最低为 30%，ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口

1+
￥12.3
10+
￥11.99
30+
￥11.79

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型号：VO2611-X007T 编号：C559568

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

单通道10 MBd光耦合器采用高效输入LED与集成光电二极管IC探测器耦合。探测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。双通道10 MBd光耦合器也有提供。对于单通道类型，引脚7上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为VO2601和VO2631提供了5 kV/μs的保证共模瞬态抗扰度，为VO2611和VO4661提供了15 kV/μs的保证共模瞬态抗扰度。建议在引脚5和8之间连接一个0.1 μF的旁路电容。

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1+
￥13.82
10+
￥13.5
30+
￥13.28

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型号：LH1540AT 编号：C1525252

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

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1+
￥14.77
10+
￥14.43
30+
￥14.2

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型号：VOR1142A6 编号：C1558819

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

SPST常开开关（1 form A）可在许多应用中替代机电继电器。它采用GaAlAs IRED驱动控制和MOSFET作为开关输出。

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1+
￥14.92
10+
￥14.55
30+
￥14.29

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型号：VOR1060M4T 编号：C42113624

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥14.98
10+
￥14.65
30+
￥14.44

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型号：ILQ621 编号：C17554764

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流（lF）下，其集电极 - 发射极饱和电流传输比（CTRCEsat）最低为 30%，ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口

1+
￥17.3
10+
￥14.57
25+
￥12.95

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型号：ILD615-2 编号：C5334377

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术，可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。由于保证了最大非饱和和饱和开关特性，可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。

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1+
￥19.09
10+
￥16.29
30+
￥14.54

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型号：VOR1142M4 编号：C143763

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

VOR1142是一款单刀单掷常开开关（1A形式），可在许多应用中替代机电继电器。它采用砷化镓铝红外发光二极管（IRED）驱动控制，输出端采用MOSFET。

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1+
￥21.35
10+
￥20.91
40+
￥18.19

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型号：BRT13H-X017T 编号：C30111463

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由两个电绝缘的横向功率IC组成的交流光耦合器非零电压检测器，在输出端集成了晶闸管系统、光电探测器和噪声抑制器，并采用红外砷化镓二极管输入。

1+
￥22.69
10+
￥22.2
30+
￥21.87

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型号：LH1510AAB 编号：C222454

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是一个单刀单掷常开开关（1 Form A），可在许多应用中取代机电继电器。该继电器采用GaAlAs LED进行驱动控制，并采用集成单片管芯作为开关输出。该管芯采用高压介电隔离技术制造，由光电二极管阵列、开关控制电路和MOSFET开关组成。此外，该继电器采用限流电路，在提供过压保护时，使其能够通过符合ANSI/TIA-968-B的雷击浪涌测试和其他监管电压浪涌要求。是该系列中唯一为单向直流应用提供限流功能的继电器。

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1+
￥22.73
10+
￥22.23
50+
￥19.55

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型号：IL4108 编号：C19631577

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

IL410和IL4108由一个与光敏晶闸管系统光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，该系统集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流，其dV/dt比大于10 kV/μs，负载电压最高可达800 V。

1+
￥24.95
10+
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