威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：4N27 编号：C7503419

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

4N25系列是行业标准的单通道光电晶体管耦合器。该系列包括4N25、4N26、4N27、4N28。每个光耦合器由砷化镓红外LED和一个硅NPN光电晶体管组成

1+
￥4.26
10+
￥3.43
50+
￥3.01

有货

立即购买

型号：TCMT1113 编号：C5200631

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合，采用4引脚封装。

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.45
30+
￥3

有货

立即购买

型号：MOC8102 编号：C19168905

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104系列光耦合器由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

1+
￥4.39
10+
￥4.29
50+
￥4.22

有货

立即购买

型号：SFH615A-2X019T 编号：C7603882

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

1+
￥4.47
10+
￥4.37
30+
￥4.31

有货

立即购买

型号：SFH615A-3X018T 编号：C17479400

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH615A - 3X018T和SFH615A - 4X018T具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并采用塑料SMD封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥4.59
10+
￥4.49
30+
￥4.42
100+
￥4.35

有货

立即购买

型号：SFH6106-1X001T 编号：C6901

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH610A（DIP）和 SFH6106（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 DIP - 4 或 SMD 封装。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

1+
￥4.64
10+
￥3.78
30+
￥3.34

有货

立即购买

型号：TCLT1012 编号：C17243060

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外发射二极管组成，该二极管与4引脚迷你扁平LSOP封装中的光电晶体管探测器光耦合。

1+
￥4.71
10+
￥4.61
30+
￥4.54
100+
￥4.47

有货

立即购买

型号：TCDT1124 编号：C17493025

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

TCDT1120(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥4.81
10+
￥3.85
50+
￥3.37

有货

立即购买

型号：SFH619A 编号：C17647058

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥5
10+
￥4.87
30+
￥4.79

有货

立即购买

型号：SFH6106-1 编号：C17649945

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥5.15
10+
￥5.04
30+
￥4.96

有货

立即购买

型号：VO3120 编号：C506490

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

该产品由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可使用该产品驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥5.62
50+
￥5.52

有货

立即购买

型号：VOD223T 编号：C17519499

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VOD233T是一款高电流传输比（CTR）光耦合器。它采用GaAs红外发光二极管发射器和硅NPN光电达林顿晶体管探测器。该器件的CTR是在发光二极管电流为1 mA的条件下测试得出的

1+
￥5.93
10+
￥5.79
30+
￥5.7

有货

立即购买

型号：SFH628A-4 编号：C17355448

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥6.16
10+
￥6.03
30+
￥5.94

有货

立即购买

型号：TCET1109G 编号：C143036

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥6.34
10+
￥5.21
30+
￥4.64

有货

立即购买

型号：SFH6186-4 编号：C17253776

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥6.47
10+
￥5.28
30+
￥4.69

有货

立即购买

型号：SFH6186-5X001T 编号：C5361071

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端对端堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

1+
￥6.6
10+
￥5.42
30+
￥4.83

有货

立即购买

型号：SFH628A-3X017T 编号：C17337506

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为2.54mm。选择选项6可实现大于8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可在400VRMS或直流的工作电压下实现加强绝缘。

1+
￥6.9
10+
￥6.75
30+
￥6.65

有货

立即购买

型号：VOIH060AT 编号：C25826797

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥7.45
10+
￥7.26
30+
￥7.13

有货

立即购买

型号：SFH618A-3 编号：C19078475

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥7.9
10+
￥6.58
65+
￥5.85

有货

立即购买

型号：ILD615-3X009T 编号：C17654738

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造，耐受测试电压达 7500 V 交流峰值，工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比（CTR）特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测