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首页 > 热门关键词 > 威世光耦
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ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器,采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压
数据手册
  • 1+

    ¥6.77
  • 10+

    ¥5.69
  • 50+

    ¥4.71
  • 有货
    • 1+

      ¥10.35
    • 10+

      ¥10.1
    • 30+

      ¥9.93
  • 有货
  • 单通道 10 MBd 光耦合器采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏更少。双通道 10 MBd 光耦合器。对于单通道类型,引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为 VO2601 和 VO2631 提供 5 kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度,为 VO2611 和 VO4661 提供 15 kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.83
    • 10+

      ¥9.29
    • 30+

      ¥8.32
  • 有货
  • 采用GaAs红外发光二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并采用塑料DIP-6封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.32
    • 10+

      ¥10.43
    • 50+

      ¥9.25
  • 有货
  • SFH6345是一款光耦合器,采用GaAlAs红外发光二极管,与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合,采用DIP - 8塑料封装。该器件与6N135类似,但探测器上额外增加了一个法拉第屏蔽层,可增强输入 - 输出的dV/dt抗扰度。信号可在两个电气隔离的电路之间传输,最高频率可达2 MHz
    • 1+

      ¥15.12
    • 10+

      ¥12.79
    • 50+

      ¥11.34
  • 有货
    • 1+

      ¥27.83
    • 10+

      ¥23.97
    • 30+

      ¥21.67
  • 有货
  • 光伏MOSFET驱动器由两个与两个光电二极管阵列光耦合的LED组成。光电二极管阵列提供一个具有足够电压和电流的浮动源,以驱动高功率MOSFET晶体管。光耦合提供高输入/输出隔离电压。为了关断MOSFET,需要一个外部电阻(栅极到源极)来进行栅极放电。
    • 1+

      ¥38.99
    • 10+

      ¥33.65
    • 30+

      ¥30.39
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
    • 1+

      ¥1.44
    • 10+

      ¥1.41
    • 30+

      ¥1.38
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管,它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。这些耦合器端部可堆叠,间距为2.54mm。选择选项6和选项8可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0805),适用于高达400Vₚ₋ₚ或直流的工作电压的加强绝缘。
    • 1+

      ¥1.6
    • 10+

      ¥1.57
    • 30+

      ¥1.54
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥1.7
    • 10+

      ¥1.67
    • 30+

      ¥1.64
  • 有货
  • VOS618A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
    • 1+

      ¥1.77
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.71
    • 100+

      ¥1.69
  • 有货
  • 特性:UL 认证(编号 E113898)。 TUV 认证(编号 R9653630)。 CSA 认证(编号 CA91533-1)。应用:I/O 接口用于计算机
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.89 / 个
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在一个4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥2.05
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在4引脚LSOP宽体封装中。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置用于两个电隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥2.23
    • 30+

      ¥2.19
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用4引脚SOP4L封装。
    • 1+

      ¥2.38
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.36
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料 DIP-4 封装中。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为 2.54mm。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 50+

      ¥1.161
    • 500+

      ¥1.075
    • 1000+

      ¥1.032
    • 5000+

      ¥0.989
    • 10000+

      ¥0.9632
    额定温度为110℃,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并集成在塑料DIP-4封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高400VRMS或直流的工作电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.88
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.82
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.94
  • 有货
  • CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.83
    • 10+

      ¥2.25
    • 50+

      ¥1.99
  • 有货
    • 1+

      ¥3.08
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.84
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VOM618A采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.31
  • 有货
  • 具有 GaAs 红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在 4 引脚 LSOP 宽体封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.45
  • 有货
  • VOL617A采用砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚宽体小外形无引脚封装(LSOP)。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。
    • 1+

      ¥3.58
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.49
  • 有货
  • 是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。该器件可以传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.6
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥3.03
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.72
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有砷化镓红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、100密耳引脚间距的迷你扁平封装。 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.48
  • 有货
    • 1+

      ¥4
    • 10+

      ¥3.19
    • 30+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.38
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm,可端部堆叠。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离>8mm。
    • 1+

      ¥4.09
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥2.93
  • 有货
    • 1+

      ¥4.54
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥4.37
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有砷化镓红外发射二极管,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,引脚间距为2.54mm。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离大于8mm。该版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,可实现400VRMS或直流的工作电压下的加强绝缘。
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥4.53
    • 40+

      ¥4.46
  • 有货
  • TCDT1120(G) 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥3.76
    • 50+

      ¥3.28
  • 有货
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