威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TCLT1103 编号：C17586734

封装：SOP-6

品牌：VISHAY(威世)

TCLT110系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用5引脚SOP - 6L封装。

1+
￥2.51
10+
￥2.45
30+
￥2.42

有货

立即购买

型号：CNY17-3 编号：C553958

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅NPN光电晶体管光耦合组成的光耦合对。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.3
50+
￥1.95

有货

立即购买

型号：SFH6186-2 编号：C17356081

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.95
10+
￥2.88
30+
￥2.83

有货

立即购买

型号：CNY17-3X009T 编号：C17463941

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17 是一款光耦合器，由一个砷化镓红外发光二极管和一个硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。

1+
￥3.1
10+
￥2.42
30+
￥2.13
100+
￥1.77
500+
￥1.61

有货

立即购买

型号：CNY17F-3X009 编号：C17586651

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器通过光耦合组成，采用塑料直插式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

1+
￥3.19
10+
￥2.55
50+
￥2.22

有货

立即购买

型号：CNY17-3X007 编号：C511374

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发射二极管和硅NPN光电晶体管光耦合组成。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.65
50+
￥2.33

有货

立即购买

型号：SFH6106-5T 编号：C3008979

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 和选项 8 时，爬电距离和电气间隙距离 >8.0mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400Vₚ₋ₚ 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥3
30+
￥2.8
100+
￥2.59
500+
￥2.47

有货

立即购买

型号：VOM618AT 编号：C17689881

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的VOM618A采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥3.41
10+
￥2.7
30+
￥2.4

有货

立即购买

型号：CNY17-4X006 编号：C3009239

封装：DIP-6-10.16mm

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发光二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。信号信息（包括直流电平）可以通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

1+
￥3.48
10+
￥2.76
50+
￥2.45
100+
￥2.07

有货

立即购买

型号：CNY17-1X007T 编号：C3151619

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。该器件可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥3.22
30+
￥3.03
100+
￥2.84
500+
￥2.72

有货

立即购买

型号：TCLT1006 编号：C2838493

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥3.02
30+
￥2.73
100+
￥2.37

有货

立即购买

型号：SFH610A-3 编号：C7433255

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件由砷化镓红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料DIP-4或SMD封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和选项8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙，该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

1+
￥4.07
10+
￥3.38
30+
￥3.09

有货

立即购买

型号：VO615C-2X019T 编号：C17245116

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的VO615C系列具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥4.37
10+
￥4.27
30+
￥4.21
100+
￥4.14

有货

立即购买

型号：VOT8026AB 编号：C6925366

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥5.14
10+
￥5.02
30+
￥4.95
100+
￥4.87

有货

立即购买

型号：MOC8101-X017T 编号：C3009175

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发光二极管与硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP-6封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。基极端未连接，可显著提高共模干扰抗扰度。

1+
￥5.21
10+
￥4.14
30+
￥3.61
100+
￥3.09

有货

立即购买

型号：SFH1690BT 编号：C17488684

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH1690AT、SFH1690BT、SFH1690CT和SFH1690ABT系列产品采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥6.42
10+
￥5.15
30+
￥4.52

有货

立即购买

型号：ILD621GB 编号：C2926932

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.69
50+
￥4.71

有货

立即购买

型号：VOD206T 编号：C17182266

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VOD205T、VOD206T、VOD207T、VOD211T、VOD213T、VOD217T 是由砷化镓（GaAs）红外发光二极管（LED）和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时保持输入和输出之间的高度电气隔离。

1+
￥7.19
10+
￥5.81
30+
￥5.06

有货

立即购买

型号：6N136 编号：C5241880

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

是一种光耦合器，具有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

数据手册

1+
￥7.56
10+
￥6.25
50+
￥5.3

有货

立即购买

型号：VOD205T 编号：C17614065

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VOD205T、VOD206T、VOD207T、VOD211T、VOD213T、VOD217T 是由砷化镓（GaAs）红外发光二极管（LED）和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时保持输入和输出之间的高度电气隔离。

1+
￥7.95
10+
￥6.6
30+
￥5.87

有货

立即购买

型号：VOD213T 编号：C5334382

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VOD205T、VOD206T、VOD207T、VOD211T、VOD213T、VOD217T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。

数据手册

1+
￥8.62
10+
￥7.12
30+
￥6.29

有货

立即购买

型号：SFH6286-4X001T 编号：C17211847

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥8.64
10+
￥7.18
30+
￥6.38

有货

立即购买

型号：6N139-X009T 编号：C3001650

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比，以及5300 VRMS绝缘，通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。

数据手册

1+
￥8.66
10+
￥8.48
30+
￥8.36
100+
￥7.828 ￥8.24

有货

立即购买

型号：6N137 编号：C5346016

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

1+
￥9.03
10+
￥7.45
50+
￥6.57

有货

立即购买

型号：SFH601-3X007T 编号：C17237090

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥10.25
10+
￥10
30+
￥9.83

有货

立即购买

型号：SFH6345-X017T 编号：C17484862

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥13.67
10+
￥11.67
30+
￥10.41
100+
￥9.13

有货

立即购买

型号：VOW2611-X017T 编号：C6349886

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

10 MBd 宽体光耦合器均由一个 GaAlAs 红外发光二极管组成，并与集成光电探测器进行光耦合。该探测器集成法拉第屏蔽，可提供高功率开关应用所需的高水平噪声隔离。Vishay 的 10 MBd 宽体耦合器具有高隔离距离，外部爬电距离 >10 mm。这使得这些器件成为工作电压超过 1000 V 的应用的理想选择。

1+
￥13.75
10+
￥13.05
30+
￥12.63
100+
￥12.21

有货

立即购买

型号：VOMDA1271T 编号：C21713666

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

是一款汽车级光隔离MOSFET驱动器，从隔离屏障低压初级侧的红外发射器获取驱动其内部电路所需的所有电流，无需电源提供VCC，具有关断电路，可实现MOSFET的快速关断。

1+
￥13.93
10+
￥13.57
30+
￥13.33

有货

立即购买

型号：ILQ621 编号：C17554764

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流（lF）下，其集电极 - 发射极饱和电流传输比（CTRCEsat）最低为 30%，ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口

1+
￥17.3
10+
￥14.57
25+
￥12.95

有货

立即购买

型号：IL4108 编号：C19631577

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

IL410和IL4108由一个与光敏晶闸管系统光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，该系统集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流，其dV/dt比大于10 kV/μs，负载电压最高可达800 V。

1+
￥24.3
10+
￥20.83
50+
￥18.77

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示