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110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚双列直插式封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高400VRMS或直流的工作电压。规格如有更改,恕不另行通知。
  • 5+

    ¥1.7723
  • 50+

    ¥1.3791
  • 150+

    ¥1.2107
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在一个4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥2.05
  • 有货
  • 额定温度为110°C的SFH617A(DIP)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2052
    • 50+

      ¥1.7094
    • 200+

      ¥1.4969
  • 有货
  • 有一个砷化镓红外发射二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个4引脚的宽体小外形封装(LSOP)中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2495
    • 50+

      ¥1.7858
    • 150+

      ¥1.5871
    • 500+

      ¥1.3391
  • 有货
  • 额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓(GaAs)红外发光二极管,该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合,并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥1.87
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      ¥1.64
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      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.22
  • 有货
  • 额定温度为110℃,具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在一个4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.68
    • 100+

      ¥1.38
  • 有货
  • 是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该设备可以传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准的 SOIC-8 小外形封装,适用于空间有限的高密度应用。此外,该封装符合表面贴装器件的标准。低输入电流下的高电流传输比 (CTR) 专为低功耗要求而设计,如 CMOS 微处理器接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.55
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.88
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      ¥1.55
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
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      ¥2.65
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      ¥1.82
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      ¥1.41
    • 500+

      ¥1.27
    • 1000+

      ¥1.19
  • 有货
  • 110℃额定值产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料DIP-4封装中。该耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的端部可堆叠,间距为2.54mm。选择选项6时,爬电距离和电气间隙距离>8.8mm。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.662
    • 50+

      ¥2.1785
    • 200+

      ¥1.8466
    • 500+

      ¥1.588
  • 有货
  • TCDT1100、TCDT1100G 系列产品包含一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管,二者通过光耦合,采用 6 引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接,可抗干扰。
    • 1+

      ¥3.14
    • 10+

      ¥2.49
    • 50+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.87
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.14
    • 10+

      ¥2.44
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.76
  • 有货
  • 由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器通过了UL认证,符合5000 VRMS隔离测试电压。通过双成型隔离制造工艺实现隔离性能。通过选择选项1,这些系列产品可符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范。这些隔离工艺和ISO9001质量体系使产品具有商用塑料光电晶体管耦合器中较高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置,可采用卷带包装或标准管装运输。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥2.46
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.77
  • 有货
  • 是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。可以传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.18
    • 10+

      ¥2.52
    • 50+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.68
  • 有货
  • 产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可端部堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 >8mm。
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.43
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可端部堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.64
    • 10+

      ¥2.96
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.3
  • 有货
    • 1+

      ¥3.64
    • 10+

      ¥2.93
    • 30+

      ¥2.57
  • 有货
  • SFH615A 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.62
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.5365 ¥2.67
    • 500+

      ¥2.299 ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.1755 ¥2.29
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可端部堆叠。选择选项 6 时,爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准,适用于 400V_RMS 或直流的工作电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.45
    • 30+

      ¥3.9
    • 100+

      ¥3.37
  • 有货
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.58
    • 30+

      ¥4.95
  • 有货
  • H11AA1是一款双向输入光耦合隔离器,由两个反向并联的砷化镓红外发光二极管与一个硅NPN光电晶体管耦合组成,采用6引脚DIP封装。H11AA1的最小电流传输比(CTR)为20%,CTR对称性为1:3,专为需要检测或监测交流信号的应用而设计。
    • 1+

      ¥10
    • 10+

      ¥8.27
    • 50+

      ¥7.33
  • 有货
  • VOMA617A系列包含一个GaAlAs红外发射二极管,该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输,特别适用于汽车以及高可靠性工业应用
    数据手册
    • 1+

      ¥12.97
    • 10+

      ¥10.89
    • 30+

      ¥9.59
  • 有货
  • 是单刀单掷常开开关(1 Form A),可在许多应用中替代机电继电器。采用GaAlAs LED进行驱动控制,使用高可靠性MOSFET作为输出开关。此外,采用限流电路提供过压保护,也为单向直流应用提供限流功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.13
    • 10+

      ¥19.77
    • 50+

      ¥17.02
  • 有货
  • LH1512 继电器包含常开和常闭开关,可分别作为 1 型 A 和 1 型 B 继电器独立使用,或组合使用时作为 1 型 C 继电器。这些继电器采用多芯片混合器件结构。驱动控制通过红外 LED 实现
    数据手册
    • 1+

      ¥29.7792 ¥41.36
    • 10+

      ¥29.1168 ¥40.44
    • 30+

      ¥28.6776 ¥39.83
    • 100+

      ¥28.2384 ¥39.22
  • 有货
  • LH1512继电器包含常开和常闭开关,可以独立用作1 Form A和1 Form B继电器,或者当一起使用时,作为1 Form C继电器。这些继电器构造为多芯片混合器件。驱动控制通过红外LED实现。输出开关是由光电二极管阵列与MOSFET开关及控制电路组合而成的。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.88 ¥41.5
    • 10+

      ¥29.2248 ¥40.59
    • 30+

      ¥28.7784 ¥39.97
    • 100+

      ¥28.3392 ¥39.36
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.38
    • 10+

      ¥1.35
    • 30+

      ¥1.32
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器具有砷化镓红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并集成在塑料贴片封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.9
    • 30+

      ¥1.88
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0384
    • 50+

      ¥1.5801
    • 150+

      ¥1.3837
  • 有货
  • 额定温度为110°C的SFH617A(DIP)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓(GaAs)红外二极管发射器,通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器,并封装在塑料DIP 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1618
    • 50+

      ¥1.6949
    • 200+

      ¥1.4393
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在4引脚LSOP宽体封装中。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置用于两个电隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥2.23
    • 30+

      ¥2.19
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用4引脚SOP4L封装。
    • 1+

      ¥2.38
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.64
    • 100+

      ¥1.36
  • 有货
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