威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：CNY17-4X006 编号：C3009239

封装：DIP-6-10.16mm

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发光二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。信号信息（包括直流电平）可以通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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￥3.48
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型号：SFH610A-3 编号：C7433255

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件由砷化镓红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料DIP-4或SMD封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和选项8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙，该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

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￥3.82
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型号：SFH6186-2T 编号：C136193

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙>8mm。

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型号：SFH618A-4 编号：C5224102

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。

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￥4.21
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型号：SFH6286-4X001T 编号：C17211847

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥5.16
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型号：VOD213T 编号：C5334382

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VOD205T、VOD206T、VOD207T、VOD211T、VOD213T、VOD217T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。

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型号：VOD207T 编号：C3033012

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对，可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度电气隔离。

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￥8.3
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型号：SFH619A-X009T 编号：C145266

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH619A 是光耦合隔离器，采用砷化镓红外 LED 和硅光电达林顿传感器。在驱动电路和负载电路之间保持高度隔离的同时，可实现开关功能。这些光耦合器可用于替代簧片继电器和水银继电器，具有寿命长、开关速度快和无磁场干扰等优点

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￥10.73
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型号：CNY65 编号：C5273037

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于 3 mm 的间距，以满足最高安全要求。

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￥12.45
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￥10.52
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型号：SFH6345-X017T 编号：C17484862

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

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型号：LH1500AABTR 编号：C3008868

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1500 是一款坚固耐用的开关，适用于电信和接地故障应用。它是一种常开型单刀单掷开关（1 Form A），在许多应用中可以替代电磁继电器。其构造使用了GaAlAs LED进行驱动控制，并采用MOSFET作为开关输出。

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￥20.67
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￥17.62
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型号：IL300-DEFG 编号：C222518

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

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￥29.52
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型号：IL300-F-X007 编号：C3000896

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

IL300线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器、一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。红外发射器发射的光线照射到输出PIN光电二极管和反馈光电二极管上。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分，并产生一个控制信号（I_P1），该信号可用于通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定

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￥75.72
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型号：VO618A-4X017T 编号：C17548724

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个4引脚双列直插式封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。规格如有更改，恕不另行通知。

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￥1.8466
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￥1.285

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型号：VO615A-3X017T 编号：C5342948

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：VO617A-4X017T 编号：C7464874

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的VO617A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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型号：CNY17-3X009T 编号：C17463941

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17 是一款光耦合器，由一个砷化镓红外发光二极管和一个硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。该器件能够传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。

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型号：TCET1102G 编号：C499488

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：4N35-X009T 编号：C4555432

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。这些耦合器通过了UL认证，符合5000 VRMS隔离测试电压。通过双成型隔离制造工艺实现隔离性能。通过选择选项1，这些系列产品可符合DIN EN 60747-5-5局部放电隔离规范。这些隔离工艺和ISO9001质量体系使产品具有商用塑料光电晶体管耦合器中较高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置，可采用卷带包装或标准管装运输。

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￥3.17
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￥2.46
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￥2.15
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￥1.77

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型号：SFH6106-3 编号：C2974188

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

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￥3.3
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￥2.62
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￥2.33
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￥1.97

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型号：CNY17-2 编号：C5273033

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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￥3.35
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￥2.69
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￥2.2
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￥1.85

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型号：SFH6106-5T 编号：C3008979

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 和选项 8 时，爬电距离和电气间隙距离 >8.0mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400Vₚ₋ₚ 或直流的工作电压的加强绝缘。

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1+
￥3.41
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￥3
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￥2.8
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￥2.59
500+
￥2.47

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型号：VOS617AT 编号：C144863

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

有一个砷化镓红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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1+
￥3.5
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￥2.78
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￥2.48

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型号：VOS615A-2X001T 编号：C5334349

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS615A系列采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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1+
￥3.53
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￥2.84
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￥2.5
100+
￥2.16
500+
￥1.95

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型号：VOS617A-9T 编号：C17624014

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

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￥3.64
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￥2.93
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￥2.57

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型号：4N36 编号：C5241911

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。

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￥3.95
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￥3.21
50+
￥2.84
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￥2.48

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型号：VOD206T 编号：C17182266

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

VOD205T、VOD206T、VOD207T、VOD211T、VOD213T、VOD217T 是由砷化镓（GaAs）红外发光二极管（LED）和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时保持输入和输出之间的高度电气隔离。

1+
￥5.01
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￥4.9
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￥4.83

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型号：MOC8101-X017T 编号：C3009175

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发光二极管与硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP-6封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。基极端未连接，可显著提高共模干扰抗扰度。

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￥5.21
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￥4.14
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￥3.61
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￥3.09

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型号：SFH6206-2 编号：C143678

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400V_RMS 或直流的工作电压。

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￥5.53
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￥4.45
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￥3.9

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型号：SFH6186-3 编号：C7470697

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。

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￥6.27
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