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首页 > 热门关键词 > 威世光耦
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VOL617A 采用砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,其与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用 4 引脚宽体 LSOP 封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。
数据手册
  • 5+

    ¥1.7669
  • 50+

    ¥1.5661
  • 150+

    ¥1.48
  • 500+

    ¥1.3726
  • 有货
  • 额定温度为110°C,具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。采用GaAs红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在塑料DIP-4封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输,耦合器端部可堆叠,间距为2.54mm。选择选项6时,爬电距离和电气间隙>8.8mm。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2239
    • 50+

      ¥1.7382
    • 200+

      ¥1.53
  • 有货
  • VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.84
    • 100+

      ¥1.52
  • 有货
  • SFH618A(DIP)和 SFH6186(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.18
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.57
  • 有货
  • IL221AT/IL222AT/IL223AT 是一款高电流传输比(CTR)光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 发光二极管电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流允许从 CMOS 轻松连接到 LSTTL 或 TTL
    数据手册
    • 1+

      ¥3.66
    • 10+

      ¥3.29
    • 30+

      ¥3.1
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.81
    • 1000+

      ¥2.76
  • 有货
  • TCLT111系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用5引脚SOP - 6L封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.51
    • 30+

      ¥4.88
    • 100+

      ¥4.2075 ¥4.25
    • 500+

      ¥3.8313 ¥3.87
    • 1000+

      ¥3.6432 ¥3.68
  • 有货
  • 由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对,可传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度电气隔离。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.47
    • 10+

      ¥7.78
    • 30+

      ¥6.86
    • 100+

      ¥5.81
  • 有货
    • 1+

      ¥14.08
    • 10+

      ¥13.71
    • 30+

      ¥13.47
  • 有货
  • 由一个AlGaAs红外发光二极管(IRLED)照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成,采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号,可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益(K3)的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保,这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.65
    • 10+

      ¥15.71
    • 40+

      ¥13.87
  • 有货
  • LH1522双路1 Form A继电器是单刀单掷常开开关,可在许多应用中替代机电继电器。它们采用镓铝砷(GaAIAs)发光二极管进行驱动控制,采用MOSFET开关作为输出。此外,LH1522固态继电器(SSR)在提供过压保护时采用限流电路
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥32.54
    • 30+

      ¥31.97
    • 100+

      ¥30.772 ¥31.4
  • 有货
  • IL300线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器、一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。红外发射器向输出PIN光电二极管和反馈光电二极管发射光线。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分,并生成一个控制信号(IP1),该信号可用于通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定
    数据手册
    • 1+

      ¥71.42
    • 10+

      ¥61.43
    • 50+

      ¥52.74
  • 有货
  • 由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用6引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接,具有抗噪能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4994
    • 10+

      ¥1.2992
    • 50+

      ¥1.2134
    • 100+

      ¥1.084174 ¥1.1063
    • 500+

      ¥1.037526 ¥1.0587
    • 1000+

      ¥1.0094 ¥1.03
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插封装。
    • 5+

      ¥1.6884
    • 50+

      ¥1.3068
    • 150+

      ¥1.1433
    • 1000+

      ¥0.9393
  • 有货
  • TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.2593 ¥4.43
    • 10+

      ¥1.8411 ¥3.61
    • 30+

      ¥1.6269 ¥3.19
    • 100+

      ¥1.4178 ¥2.78
    • 500+

      ¥1.2954 ¥2.54
    • 1000+

      ¥1.2291 ¥2.41
  • 有货
  • 具有砷化镓红外发射二极管发射器,光耦合到硅平面光电晶体管探测器,并封装在4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。 其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.6
  • 有货
  • 由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。可传输包括直流电平在内的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度电气隔离。采用标准 SOIC-8A 小外形封装,适用于空间有限的高密度应用。消除了通孔要求,符合表面贴装器件标准。指定的最小和最大电流传输比(CTR)允许相邻电路电气设计具有窄公差。70V 的高集电极-发射极击穿电压(BVCEO)比行业标准 30V 提供更高的安全裕度。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.72
    • 10+

      ¥2.42
    • 30+

      ¥2.3
    • 100+

      ¥2.14
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • SFH620A(DIP)和 SFH6206(SMD)具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器,与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥2.93
    • 30+

      ¥2.57
    • 100+

      ¥2.11
  • 有货
  • VOS615A系列采用了砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.12
    • 30+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.37
  • 有货
  • 110°C 额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠,间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现爬电距离和电气间隙距离 >8.8mm。
    • 1+

      ¥4.69
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4.51
    • 100+

      ¥4.218 ¥4.44
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.63
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.54
  • 有货
  • 由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的DIP-4封装。可将低压逻辑与120VAC、240VAC和380VAC线路隔离,以控制阻性、感性或容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅和继电器。
    • 1+

      ¥6.79
    • 10+

      ¥5.53
    • 30+

      ¥4.89
    • 100+

      ¥4.047 ¥4.26
    • 500+

      ¥3.6955 ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.5055 ¥3.69
  • 有货
  • 10 MBd宽体光耦合器由一个GaAlAs红外发光二极管和一个集成光电探测器光耦合而成。集成法拉第屏蔽的探测器提供了高功率开关应用所需的高电平噪声隔离。宽体耦合器具有高隔离距离,外部爬电距离>10mm,适用于工作电压超过1000V的应用。
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥6.07
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.72
    • 750+

      ¥4.4
    • 1500+

      ¥4.26
  • 有货
  • VO3120由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥6.61
    • 30+

      ¥6.12
    • 100+

      ¥5.63
  • 有货
  • 具有 GaAlAs 红外发射二极管,与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在 4 引脚迷你扁平封装中。在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输,特别适用于汽车以及高可靠性工业应用。
    • 1+

      ¥13.03
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥9.69
  • 有货
  • 高速光耦合器由GaAlAs红外发光二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离,以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统(如TTL、CMOS等)接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压,且无基极连接,进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准SOIC-8封装,适用于表面贴装。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.26
    • 10+

      ¥11.93
    • 30+

      ¥10.47
    • 100+

      ¥8.97
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离>3mm,以满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.77
    • 10+

      ¥17.36
    • 30+

      ¥17.09
  • 有货
  • VO14642是一款高速单通道常开固态继电器(单刀单掷1型A),采用DIP - 6封装。该继电器为多芯片混合器件。高效红外LED可降低输入侧的正向电流
    数据手册
    • 1+

      ¥20.77
    • 10+

      ¥17.92
    • 50+

      ¥14.54
  • 有货
  • 由一个AlGaAs红外发光二极管(IRLED)照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成,采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号,可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益(K3)的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保,这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.01
    • 10+

      ¥23.98
    • 50+

      ¥19.25
  • 有货
  • 线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器照射一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分,并生成一个控制信号 (Iₚ₁),该信号可用于通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定。这可以补偿发射器的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个输出信号 (Iₚ₂),该信号与发射器产生的伺服光通量呈线性关系。输入-输出耦合器增益 (K3) 的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保,这些二极管可以精确跟踪发射器的输出光通量。
    • 1+

      ¥28.92
    • 10+

      ¥24.79
    • 30+

      ¥22.33
  • 有货
  • TCMT110 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用 4 引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上,为满足最高安全要求,在输入和输出之间提供固定距离。
    • 5+

      ¥1.0717
    • 50+

      ¥1.044
    • 150+

      ¥1.0256
  • 有货
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