威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：CNY65AYST 编号：C511469

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，以满足最高安全要求。

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型号：VO2631-X007T 编号：C511606

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合，探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有使能功能，可对探测器进行选通。内部屏蔽为部分产品提供了 5kV/μs 或 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1μF 的旁路电容。

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型号：VO14642AT 编号：C1525237

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

VO14642是一款高速单通道常开固态继电器（单刀单掷1型A），采用DIP - 6封装。该继电器为多芯片混合器件。高效红外LED可降低输入侧的正向电流

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型号：IL300-F 编号：C3008882

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

IL300线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器、一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。红外发射器向输出PIN光电二极管和反馈光电二极管发射光线。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分，并生成一个控制信号（IP1），该信号可用于通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定

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型号：SFH617A-2 编号：C2928651

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。采用GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输，耦合器端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙>8.8mm。

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型号：VOL617A-8X001T 编号：C511361

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

有一个砷化镓红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个4引脚的宽体小外形封装（LSOP）中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：VO615A-6X017T 编号：C85163

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：VO615A-9 编号：C2928655

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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型号：IL205AT 编号：C3008922

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度电气隔离。采用标准 SOIC-8A 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。消除了通孔要求，符合表面贴装器件标准。指定的最小和最大电流传输比（CTR）允许相邻电路电气设计具有窄公差。70V 的高集电极-发射极击穿电压（BVCEO）比行业标准 30V 提供更高的安全裕度。

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型号：IL206AT 编号：C144902

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

IL205AT/IL206AT/IL207AT/IL208AT是由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成的光耦合器对。该器件能够传输包含直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。该系列产品采用标准SOIC - 8A小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：IL222AT 编号：C5358776

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

IL221AT/IL222AT/IL223AT 是一款高电流传输比（CTR）光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 发光二极管电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流允许从 CMOS 轻松连接到 LSTTL 或 TTL

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型号：CNY17-3X007 编号：C511374

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发射二极管和硅NPN光电晶体管光耦合组成。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：VOS627A-X001T 编号：C5334376

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS627A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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型号：IL208AT 编号：C3008876

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度电气隔离。采用标准 SOIC-8A 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。消除了通孔要求，符合表面贴装器件标准。指定的最小和最大电流传输比（CTR）允许相邻电路电气设计具有窄公差。70V 的高集电极-发射极击穿电压（BVCEO）比行业标准 30V 提供更高的安全裕度。

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型号：SFH6286-2T 编号：C144900

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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型号：VOW137-X017T 编号：C5721265

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

10 MBd宽体光耦合器由一个GaAlAs红外发光二极管和一个集成光电探测器光耦合而成。集成法拉第屏蔽的探测器提供了高功率开关应用所需的高电平噪声隔离。宽体耦合器具有高隔离距离，外部爬电距离>10mm，适用于工作电压超过1000V的应用。

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型号：VO3120-X007T 编号：C241865

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VO3120由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：H11AA1 编号：C4749232

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

H11AA1是一款双向输入光耦合隔离器，由两个反向并联的砷化镓红外发光二极管与一个硅NPN光电晶体管耦合组成，采用6引脚DIP封装。H11AA1的最小电流传输比（CTR）为20%，CTR对称性为1:3，专为需要检测或监测交流信号的应用而设计。

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￥9.93
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型号：VOMA617A-4X001T 编号：C17250097

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有 GaAlAs 红外发射二极管，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在 4 引脚迷你扁平封装中。在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输，特别适用于汽车以及高可靠性工业应用。

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型号：CNY66B 编号：C222455

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，以满足最高安全要求。

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￥16.19
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￥15.78
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￥15.52

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型号：VO615A-3X009T 编号：C17227196

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插封装。

5+
￥1.6647
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￥1.2831
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￥1.1196
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￥0.9156

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型号：SFH617A-2X009T 编号：C5334420

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥2.0889
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￥1.6757
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￥1.4986

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型号：SFH617A-2X016 编号：C499516

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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￥2.2052
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￥1.7094
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￥1.4969

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型号：VOS615A-3T 编号：C17627612

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有砷化镓红外发射二极管发射器，光耦合到硅平面光电晶体管探测器，并采用4引脚50密耳引脚间距的微型扁平封装。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

1+
￥2.54
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￥1.99
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￥1.76
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￥1.47
500+
￥1.34

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型号：IL217AT 编号：C5224052

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该设备可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准的 SOIC-8 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。此外，该封装符合表面贴装器件的标准。低输入电流下的高电流传输比 (CTR) 专为低功耗要求而设计，如 CMOS 微处理器接口。

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￥2.55
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￥2.21
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￥2.05
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￥1.55
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型号：VOS617A-8X001T 编号：C962591

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有砷化镓红外发射二极管发射器，光耦合到硅平面光电晶体管探测器，并封装在4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥2.64
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￥2.6

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型号：SFH617A-2X006 编号：C5224106

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定值产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。该耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8.8mm。

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