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操作

低输入电流，光电晶体管输出，SOP-4迷你扁平封装

型号：VOM617A-3T 编号：C5369219

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定的VOM617A具有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

5+
￥2.0976
50+
￥1.6667
150+
￥1.4821
500+
￥1.2517

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH6156-4T 编号：C118294

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥2.1085
50+
￥1.6907
150+
￥1.5116

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH615A-4X017T 编号：C540969

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH615A具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

数据手册

5+
￥2.1978
50+
￥1.7036
150+
￥1.4918

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：TCLT1007 编号：C143694

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

数据手册

1+
￥2.51
10+
￥1.93
30+
￥1.67
100+
￥1.36
500+
￥1.22
1000+
￥1.14

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH615A-3 编号：C500641

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠使用。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

1+
￥2.88
10+
￥2.27
30+
￥2.01
100+
￥1.68
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：VOS617A-7X001T 编号：C2925139

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.41
30+
￥2.17
100+
￥1.88

有货

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光耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，半间距SSOP-4迷你扁平封装

型号：VOS618A-3X001T 编号：C511068

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

有一个GaAs红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.45
30+
￥2.19
100+
￥1.86

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH6186-3T 编号：C506557

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.73
30+
￥2.4
100+
￥1.99
500+
￥1.81

有货

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DC 5.3kV

型号：SFH6106-4T 编号：C503261

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有砷化镓红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

数据手册

1+
￥3.83
10+
￥3.11
30+
￥2.75
100+
￥2.39
500+
￥2.18

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4000V

型号：VO0631T 编号：C222529

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED和集成光电二极管IC探测器。探测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型的7号引脚具有使能功能，可对探测器进行选通。内部屏蔽为VO0601T和VO0631T提供5 kV/μs的共模瞬态抗扰度，为VO0611T和VO0661T提供15 kV/μs的共模瞬态抗扰度。建议在5号和8号引脚之间连接一个0.1 μF的旁路电容。

数据手册

1+
￥8.16
10+
￥7.49
30+
￥7.07
100+
￥6.23

有货

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光电晶体管输出型光耦合器，极高隔离电压

型号：CNY65AGRST 编号：C5345074

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

光晶体管输出型光耦合器由一个光晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

数据手册

1+
￥12.15
10+
￥10.36
30+
￥9.23
100+
￥8.08

有货

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高速单通道和双通道10 MBd光耦合器

型号：VO2630-X007T 编号：C5334386

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道 10 MBd 光耦合器，采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有一个使能功能，允许对探测器进行选通。内部屏蔽为部分型号提供了 5 kV/μs 或 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。

数据手册

1+
￥20.12
10+
￥17.26
30+
￥14.9
100+
￥13.07
500+
￥12.24

有货

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光隔离1FormA固态继电器

型号：VORA1010M4T 编号：C26140966

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥21.98
10+
￥18.63
30+
￥16.63
100+
￥14.62

有货

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光电耦合器，光电晶体管输出，4引脚LSoP封装，长爬电距离迷你扁平封装

型号：VOL617A-2T 编号：C17624030

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

VOL617A采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚宽体小外形无引脚封装（LSOP）。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。

5+
￥1.3452
50+
￥1.1412
150+
￥1.0538
500+
￥0.9448

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：VO615A-8X016 编号：C145351

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥1.761 ￥5.87
10+
￥0.954 ￥4.77
30+
￥0.423 ￥4.23
100+
￥0.368 ￥3.68
500+
￥0.336 ￥3.36
1000+
￥0.319 ￥3.19

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH617A-3X007T 编号：C145231

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥2.4842
50+
￥1.9672
150+
￥1.7456

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：4N35 编号：C506472

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。这些耦合器通过了保险商实验室（UL）认证，符合 5000 VRMS 的隔离测试电压。这种隔离性能是通过双模隔离制造工艺实现的。通过订购选项 1，这些系列产品可符合 DIN EN 60747-5-5 局部放电隔离规范。这些隔离工艺和 ISO9001 质量体系使产品在商用塑料光电晶体管光耦合器中具有最高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置，可采用卷带包装或标准管装运输。

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.19
50+
￥1.82
100+
￥1.54
500+
￥1.41
1000+
￥1.33

有货

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DC 3.75kV

型号：TCMT1103 编号：C553971

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上，为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.38
30+
￥2.13
100+
￥1.82
500+
￥1.61

有货

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DC 3.75kV

型号：VOS618A-3T 编号：C17494890

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS618A系列采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

1+
￥3.43
10+
￥2.73
30+
￥2.43
100+
￥2.05
500+
￥1.88

有货

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交流输入，光电晶体管输出型光耦合器

型号：SFH6206-2T 编号：C144978

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.31
30+
￥2.9
100+
￥2.5
500+
￥2.27
1000+
￥2.14

有货

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1 Form A (SPST-NO) AC,DC输出无过零检测

型号：LH1510AABTR 编号：C559566

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是单刀单掷常开开关（1 Form A），可在许多应用中替代机电继电器。采用GaAlAs LED进行驱动控制，使用高可靠性MOSFET作为输出开关。此外，它采用限流电路来提供过压保护，也可为单向直流应用提供限流功能。

数据手册

1+
￥18.44
10+
￥15.65
30+
￥13.9
100+
￥12.11

有货

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DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH615A-3X009T 编号：C499481

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH615A具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

数据手册

5+
￥1.2086
500+
￥1.0797

有货

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高可靠性，光电晶体管输出型光耦合器

型号：VO617A-3X017T 编号：C3035004

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0806)标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。规格可能会有所变化。

数据手册

5+
￥1.5358
50+
￥1.2146
150+
￥1.077
1000+
￥0.9052

有货

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DC 3.75kV

型号：TCMT1106 编号：C145341

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

1+
￥2.5
10+
￥1.97
30+
￥1.74
100+
￥1.45
500+
￥1.32

有货

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高温型光电晶体管输出光耦合器

型号：VO615A-2X019T 编号：C17406184

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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光电晶体管输出光耦合器，SOP-4封装，引脚间距100 mil，迷你扁平封装

型号：SFH690AT 编号：C3008847

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

具有 GaAs 红外发射二极管发射器，光耦合到硅平面光电晶体管探测器，并封装在 4 引脚、间距为 100 mil 的小型扁平封装中。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输，仅以卷带式包装提供，每卷 2000 个。

数据手册

1+
￥2.73
10+
￥2.19
30+
￥1.96
100+
￥1.67

有货

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光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流

型号：SFH6186-3X001T 编号：C17622506

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.81
10+
￥2.18
30+
￥1.91
100+
￥1.57

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光耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，半间距SSOP-4迷你扁平封装

型号：VOS618A-2T 编号：C5142127

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.08
30+
￥2.68
100+
￥2.29
500+
￥2.06

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VOM160PT

型号：VOM160PT 编号：C5830974

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥6.33
10+
￥5.04
30+
￥4.39
100+
￥3.76
500+
￥3.37
1000+
￥3.18

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交流输入，光电晶体管输出型光耦合器

型号：SFH6206-3X001T 编号：C3001641

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A (DIP) 和 SFH6206 (SMD) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。

数据手册

1+
￥7.28
10+
￥5.93
30+
￥5.18
100+
￥4.34
500+
￥3.97

有货

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