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首页 > 热门关键词 > 威世光耦
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光电晶体管输出光耦合器，SOP-4封装，引脚间距100 mil，迷你扁平封装
型号：SFH690ABT 编号：C3097773
封装：SOP-4-2.54mm
品牌：VISHAY(威世)
SFH690ABT、SFH690AT、SFH690BT、SFH690CT、SFH690DT 系列产品采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在引脚间距为 100 密耳的 4 引脚迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
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    DC 5.3kV
    型号：SFH6106-4T 编号：C503261
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有砷化镓红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：VOL617A-3X001T 编号：C141610
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    具有 GaAs 红外发射二极管发射器，并采用 4 引脚 LSOP 宽体封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，半间距SSOP-4小型扁平封装
    型号：VOS627A-X001T 编号：C5334376
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：VISHAY(威世)
    VOS627A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
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    DC输入 隔离电压(rms):4000V
    型号：ILD217T 编号：C145010
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    光电耦合器, 三极管输出, 双通道
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    1 Form A 固态继电器（常开）
    型号：LH1500AABTR 编号：C3008868
    封装：SMD-6P
    品牌：VISHAY(威世)
    LH1500 是一款坚固耐用的开关，适用于电信和接地故障应用。它是一种常开型单刀单掷开关（1 Form A），在许多应用中可以替代电磁继电器。其构造使用了GaAlAs LED进行驱动控制，并采用MOSFET作为开关输出。

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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH617A-3X007T 编号：C145231
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    110℃ 额定 SFH617A (DIP) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TCLT1007 编号：C143694
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TCLT1003 编号：C118296
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    SOP-4L，宽体7.62mm间距的光耦
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    高速单通道和双通道10MBd光耦合器
    型号：VO2630-X007T 编号：C5334386
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    单通道和双通道 10 MBd 光耦合器，采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有一个使能功能，允许对探测器进行选通。内部屏蔽为部分型号提供了 5 kV/μs 或 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。
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    1 Form A (SPST-NO) AC,DC输出 无过零检测
    型号：LH1510AABTR 编号：C559566
    封装：SMD-6P
    品牌：VISHAY(威世)
    是单刀单掷常开开关（1 Form A），可在许多应用中替代机电继电器。采用GaAlAs LED进行驱动控制，使用高可靠性MOSFET作为输出开关。此外，它采用限流电路来提供过压保护，也可为单向直流应用提供限流功能。
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    高可靠性，光电晶体管输出型光耦合器
    型号：VO617A-3X017T 编号：C3035004
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    110℃额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6可实现>8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950 (DIN VDE 0806)标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。规格可能会有所变化。
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH615A-4X017T 编号：C540969
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH615A具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：VO618A-3X017T 编号：C143748
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。 这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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      ￥2.2179

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    DC 5kV
    型号：VO615A-6X017T 编号：C85163
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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    DC 5.3kV
    型号：SFH6106-2T 编号：C5224076
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH610A和SFH6106具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
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    带基极连接的光电晶体管输出型光耦合器
    型号：CNY17-3X007T 编号：C7469109
    封装：SMD-6P
    品牌：VISHAY(威世)
    是由砷化镓红外发射二极管与硅NPN光电晶体管光耦合而成的光耦合对。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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    光电耦合器，带基极连接的光电晶体管输出，高BVcEo电压
    型号：H11D1 编号：C5334388
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    采用GaAs红外发光二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料DIP-6封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
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      ￥5.4624 ￥5.69
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    DC输入 2通道 隔离电压(rms):4000V
    型号：VO2631-X007T 编号：C511606
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合，探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有使能功能，可对探测器进行选通。内部屏蔽为部分产品提供了 5kV/μs 或 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1μF 的旁路电容。
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    线性光耦合器，高增益稳定性，宽带宽
    型号：IL300-F-X007 编号：C3000896
    封装：SMD-8P
    品牌：VISHAY(威世)
    IL300线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器、一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。红外发射器发射的光线照射到输出PIN光电二极管和反馈光电二极管上。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分，并产生一个控制信号（I_P1），该信号可用于通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：VO615A-8X016 编号：C145351
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。
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    DC 3.75kV
    型号：VOS615A-3T 编号：C17627612
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：VISHAY(威世)
    具有砷化镓红外发射二极管发射器，光耦合到硅平面光电晶体管探测器，并采用4引脚50密耳引脚间距的微型扁平封装。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：4N35 编号：C506472
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。这些耦合器通过了保险商实验室（UL）认证，符合 5000 VRMS 的隔离测试电压。这种隔离性能是通过双模隔离制造工艺实现的。通过订购选项 1，这些系列产品可符合 DIN EN 60747-5-5 局部放电隔离规范。这些隔离工艺和 ISO9001 质量体系使产品在商用塑料光电晶体管光耦合器中具有最高的隔离性能。器件有适合表面贴装的引脚成型配置，可采用卷带包装或标准管装运输。
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    5.3kV
    型号：SFH610A-2 编号：C2984665
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    该产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压。
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    DC 3.75kV
    型号：VOS618A-3T 编号：C17494890
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：VISHAY(威世)
    VOS618A系列采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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    采用SOIC-8封装，带基极连接的光电晶体管输出型光耦合器
    型号：IL208AT 编号：C3008876
    封装：SOIC-8
    品牌：VISHAY(威世)
    由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度电气隔离。采用标准 SOIC-8A 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。消除了通孔要求，符合表面贴装器件标准。指定的最小和最大电流传输比（CTR）允许相邻电路电气设计具有窄公差。70V 的高集电极-发射极击穿电压（BVCEO）比行业标准 30V 提供更高的安全裕度。
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    光耦合器
    型号：4N36 编号：C5241911
    封装：DIP-6
    品牌：VISHAY(威世)
    每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。
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    光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流
    型号：SFH618A-4 编号：C5224102
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。
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    交流输入，光电晶体管输出型光耦合器
    型号：SFH6206-3X001T 编号：C3001641
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH620A (DIP) 和 SFH6206 (SMD) 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。
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    光电晶体管输出型光耦合器，极高隔离电压
    型号：CNY65AYST 编号：C511469
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，以满足最高安全要求。
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