威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TCMT1107 编号：C81148

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

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￥2.59
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￥2.05
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￥1.81
100+
￥1.52
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￥1.32
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￥1.24

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型号：SFH6186-5T 编号：C145241

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥3.41
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￥2.74
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￥2.4
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￥1.9665 ￥2.07
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￥1.7765 ￥1.87
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￥1.6815 ￥1.77

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型号：VO0631T 编号：C222529

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED和集成光电二极管IC探测器。探测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型的7号引脚具有使能功能，可对探测器进行选通。内部屏蔽为VO0601T和VO0631T提供5 kV/μs的共模瞬态抗扰度，为VO0611T和VO0661T提供15 kV/μs的共模瞬态抗扰度。建议在5号和8号引脚之间连接一个0.1 μF的旁路电容。

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￥7.344 ￥8.16
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￥6.741 ￥7.49
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￥6.363 ￥7.07
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￥5.355 ￥5.95

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型号：CNY651AGRST 编号：C17702723

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

CNY651系列是高隔离电压的通孔（TH）和贴片（SMD）版本光耦合器，由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于3 mm的间距，以满足最高安全要求。

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￥17.69
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￥14.97
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￥13.26
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￥11.52
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￥10.73

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型号：VOL617A-2T 编号：C17624030

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

VOL617A采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚宽体小外形无引脚封装（LSOP）。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。

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￥1.3452
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￥1.1412
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￥1.0538
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￥0.925904 ￥0.9448
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￥0.878276 ￥0.8962
6000+
￥0.84966 ￥0.867

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型号：VOM617A-3T 编号：C5369219

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定的VOM617A具有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥1.977
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￥1.5461
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￥1.3615
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3000+
￥1.0285

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型号：TCLT1002 编号：C3035008

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

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￥2.4196
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￥1.9201
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型号：SFH690BT 编号：C335248

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

该系列有GaAs红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚100密耳引脚间距的迷你扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥2.73
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￥2.15
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￥1.91
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型号：VOL618A-3T 编号：C143757

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

具有砷化镓红外发射二极管发射器，光耦合到硅平面光电晶体管探测器，并采用4引脚LSOP宽体封装。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥2.74
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￥2.13
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￥1.87
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型号：VOS628A-3T 编号：C143059

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS628A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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￥3.48
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型号：VOM3052-X001T 编号：C511500

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

光控双向可控硅由与光敏非过零双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用SOP-4封装。对于VOM3053，其LED触发电流为5mA；对于VOM3052，其LED触发电流为10mA。光控双向可控硅将低压逻辑与120Vₐₙ、240Vₐₙ和380Vₐₙ线路隔离，以控制阻性、感性或容性负载，包括电机、螺线管、高电流晶闸管或双向可控硅以及继电器。

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￥3.71
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型号：LH1546AEFTR 编号：C143707

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

LH1546AEF（4引脚SOP封装）性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1A型），在许多应用中可替代机电继电器。该器件采用砷化镓（GaAs）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出

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￥19.94
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￥16.9
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￥15.09
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￥13.26
500+
￥12.42

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型号：SFH615A-3X009T 编号：C499481

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH615A具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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￥1.1201
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￥0.94164 ￥0.9912

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型号：SFH6156-3T 编号：C118293

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥1.6033
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￥1.2568
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￥1.1082

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型号：VO615A-9X017T 编号：C145478

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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￥1.6677
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￥1.3149
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￥1.1637
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￥0.9751
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￥0.8911

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型号：TCLT1109 编号：C139540

封装：SOP-5-300mil

品牌：VISHAY(威世)

由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用5引脚SOP-6L封装。

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￥1.73
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￥1.49
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￥1.39
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￥1.17

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型号：TCLD1000 编号：C3097770

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

TCLD1000由一个达林顿光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。

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￥2.1319
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￥1.117004 ￥1.1398
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￥0.9457 ￥0.965

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型号：CNY65B 编号：C118289

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，为满足最高安全要求，输入和输出之间的间距大于 3 mm。

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1+
￥10.53
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￥8.82
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￥7.21

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型号：IL420-X009T 编号：C511027

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由与光敏非过零三端双向可控硅网络光耦合的砷化镓红外发光二极管组成。三端双向可控硅由两个反向并联的单片可控硅组成。这三个半导体组装在一个六引脚双列直插式封装中。通过使用射极跟随器光电晶体管和级联可控硅预驱动器实现了高输入灵敏度，从而使LED触发电流小于2 mA（直流）

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￥17.79
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型号：VOS617A-7X001T 编号：C2925139

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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1+
￥2.85
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￥2.3
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￥2.06
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￥1.77
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1000+
￥1.37

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型号：TCMT1103 编号：C553971

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上，为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。

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1+
￥3.13
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￥2.47
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￥2.18
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￥1.83
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型号：SFH6186-3T 编号：C506557

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管检测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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1+
￥3.16
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￥2.45
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￥1.6815 ￥1.77
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￥1.52 ￥1.6
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￥1.425 ￥1.5

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型号：IL206AT 编号：C144902

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

IL205AT/IL206AT/IL207AT/IL208AT是由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成的光耦合器对。该器件能够传输包含直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。该系列产品采用标准SOIC - 8A小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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1+
￥3.17
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￥2.53
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￥2.26
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.386 ￥1.54

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型号：VOS618A-2T 编号：C5142127

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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￥3.19
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￥2.49
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￥2.18
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￥1.7738 ￥1.81
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￥1.6072 ￥1.64
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￥1.5092 ￥1.54

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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