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首页 > 热门关键词 > 威世光耦
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光电晶体管输出光耦合器，SOP-4封装，引脚间距100 mil，迷你扁平封装
型号：SFH690ABT 编号：C3097773
封装：SOP-4-2.54mm
品牌：VISHAY(威世)
SFH690ABT、SFH690AT、SFH690BT、SFH690CT、SFH690DT 系列产品采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在引脚间距为 100 密耳的 4 引脚迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
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    AC,DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TCLT1600 编号：C553998
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管与两个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用SOP 4引脚宽体封装
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    光电晶体管输出型光耦合器，极高隔离电压
    型号：CNY651AGRST 编号：C17702723
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    CNY651系列是高隔离电压的通孔（TH）和贴片（SMD）版本光耦合器，由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于3 mm的间距，以满足最高安全要求。

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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压350V
    型号：LH1540AABTR 编号：C3001847
    封装：SMD-6P
    品牌：VISHAY(威世)
    LH1540性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用GaAlAs（镓铝砷）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出
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    光电耦合器，光敏达林顿管输出，SOP-4L封装
    型号：TCLD1000 编号：C3097770
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    TCLD1000由一个达林顿光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH615A-3X009 编号：C143042
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：VO618A-3X017T 编号：C143748
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。 这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    DC 3.75kV
    型号：VOM618A-3T 编号：C17373983
    封装：SOP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    额定温度为110°C的VOM618A采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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    高速光耦合器，1 MBd，晶体管输出
    型号：SFH6343T 编号：C5224046
    封装：SOIC-8
    品牌：VISHAY(威世)
    高速光耦合器由GaAlAs红外发光二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如TTL、CMOS等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准SOIC-8封装，适用于表面贴装。
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    光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，SOP-4迷你扁平封装
    型号：VOMA617A-8X001T 编号：C5122329
    封装：SOP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    VOMA617A系列包含一个GaAlAs红外发射二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输，特别适用于汽车以及高可靠性工业应用
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压350V
    型号：LH1546AEFTR 编号：C143707
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    LH1546AEF（4引脚SOP封装）性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1A型），在许多应用中可替代机电继电器。该器件采用砷化镓（GaAs）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH6156-2T 编号：C118292
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    光电耦合器，光电晶体管输出，SOP-4L，长型迷你扁平封装
    型号：TCLT1002 编号：C3035008
    封装：SOP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。
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    光耦合器，光电晶体管输出，4引脚LSoP，长爬电距离迷你扁平封装
    型号：VOL617A-7X001T 编号：C17319496
    封装：SOP-4
    品牌：VISHAY(威世)

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TCLT1006 编号：C2838493
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。
    数据手册

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    DC 4kV
    型号：ILD211T 编号：C17290411
    封装：SOIC-8
    品牌：VISHAY(威世)
    ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件能够传输包含直流电平的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

    • 1+

      ￥4.39

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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：VOMA617A-3X001T 编号：C194679
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    具有GaAlAs红外发射二极管，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在4引脚迷你扁平封装中。它在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输，特别适用于汽车以及高可靠性工业应用。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：CNY17F-3X007T 编号：C142631
    封装：SMD-6P
    品牌：VISHAY(威世)
    CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压
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    • 1+

      ￥3.48

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：VOL617A-3X001T 编号：C141610
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    具有 GaAs 红外发射二极管发射器，并采用 4 引脚 LSOP 宽体封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    • 1+

      ￥3.59

    • 10+

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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：VOM3052-X001T 编号：C511500
    封装：SOP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    光控双向可控硅由与光敏非过零双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用SOP-4封装。对于VOM3053，其LED触发电流为5mA；对于VOM3052，其LED触发电流为10mA。光控双向可控硅将低压逻辑与120Vₐₙ、240Vₐₙ和380Vₐₙ线路隔离，以控制阻性、感性或容性负载，包括电机、螺线管、高电流晶闸管或双向可控硅以及继电器。
    数据手册

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    DC输入 隔离电压(rms):4000V
    型号：ILD206T 编号：C144955
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    光电耦合器, 三极管输出, 双通道
    数据手册

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    AC,DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH6286-3T 编号：C144899
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5300V
    型号：6N137-X007T 编号：C241879
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    单通道和双通道光耦合器利用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有使能功能，允许对探测器进行选通。内部屏蔽为部分型号提供了 5kV/μs 或 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1μF 的旁路电容。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.83

    • 10+

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      ￥5.87
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    DC输入 隔离电压(rms):8200V
    型号：CNY66 编号：C962625
    封装：DIP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，满足最高安全要求。
    数据手册

    • 1+

      ￥16.31

    • 10+

      ￥13.96

    • 25+

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：TCLT1109 编号：C139540
    封装：SOP-5-300mil
    品牌：VISHAY(威世)
    由光电晶体管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用5引脚SOP-6L封装。
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    光电耦合器，光电晶体管输出，4引脚LSoP封装，长爬电距离迷你扁平封装
    型号：VOL617A-2X001T 编号：C5358734
    封装：SOP-4
    品牌：VISHAY(威世)
    VOL617A 采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，其与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用 4 引脚宽体 LSOP 封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：VOM617A-4T 编号：C222501
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    额定温度为110℃，具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装中。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：VOM617AT 编号：C143737
    封装：SOP-4-2.54mm
    品牌：VISHAY(威世)
    额定温度为110℃，具有砷化镓红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的迷你扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
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    DC输入 隔离电压(rms):5300V
    型号：SFH6186-5T 编号：C145241
    封装：SMD-4P
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输
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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：SFH6916 编号：C506471
    封装：SOP-16-4.6mm
    品牌：VISHAY(威世)
    SFH6916采用了砷化镓（GaAs）红外发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个16引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输
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