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LH1526双路1型A继电器是单刀单掷常开开关,在许多应用中可替代机电继电器。该继电器工作时仅需极小的LED驱动电流,非常适合电池供电以及对功耗敏感的应用场景。该继电器采用GaAlAs LED进行驱动控制,采用MOSFET开关作为输出
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  • 1+

    ¥35.19
  • 10+

    ¥34.29
  • 30+

    ¥33.69
  • 有货
  • LH1512 继电器包含常开和常闭开关,可分别作为 1 型 A 和 1 型 B 继电器独立使用,或组合使用时作为 1 型 C 继电器。这些继电器采用多芯片混合器件结构。驱动控制通过红外 LED 实现
    数据手册
    • 1+

      ¥41.36
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      ¥40.44
    • 30+

      ¥39.83
  • 有货
  • VOA300线性光耦合器由一个红外发射器、一个隔离反馈光电二极管和一个输出PIN光电二极管组成,采用分叉式布局。反馈光电二极管捕获一部分LED光通量,并生成一个控制信号(I_P1),该信号可用于调节LED驱动电流。这种技术可补偿LED的非线性、时间和温度特性
    • 1+

      ¥41.69
    • 10+

      ¥40.76
    • 30+

      ¥40.15
  • 有货
  • 是一款400V双通道常开光隔离固态继电器(SPST-1 form A)。基于混合架构,可实现快速开关时间,且工作环境温度范围宽。高效的GaAlAs红外发光二极管使输入侧的正向电流较低。输出侧的高性能MOSFET开关具有低导通电阻(Rₒₙ),可切换直流和交流信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥52.11
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      ¥50.9
    • 30+

      ¥50.1
  • 有货
  • MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104系列光耦合器由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器组成,采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压
    • 1+

      ¥4.54
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      ¥4.43
    • 50+

      ¥4.36
  • 有货
  • 该产品由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可使用该产品驱动一个分立功率级,该功率级再驱动IGBT栅极。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.92
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      ¥5.78
    • 50+

      ¥5.68
  • 有货
  • 该系列由一个光控双向可控硅和一个砷化镓红外发光二极管组成,采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流和电气噪声隔离功能,输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率双向可控硅。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.56
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      ¥5.29
    • 50+

      ¥4.66
  • 有货
  • ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管(IRED)发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造,耐受测试电压达 7500 V 交流峰值,工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比(CTR)特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测
    • 1+

      ¥6.76
    • 10+

      ¥6.59
    • 50+

      ¥6.48
  • 有货
  • 由与光敏过零三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的扁平SOP-4封装。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、大电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    • 1+

      ¥7.1
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      ¥6.93
    • 30+

      ¥6.82
  • 有货
  • SFH6318非常适合用于TTL应用,因为当LED电流为1.6 mA时,其最小电流传输比为300%,这使得它在使用2.2 kΩ上拉电阻时,能够实现一个单位负载输入和一个单位负载输出的操作。SFH6319最适合涉及CMOS和低功耗TTL的低功耗逻辑应用。在0 °C至70 °C的温度范围内,仅需0.5 mA的LED电流,就能保证400%的电流传输比
    • 1+

      ¥7.41
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      ¥7.23
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      ¥7.11
  • 有货
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    • 30+

      ¥7.13
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  • 高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比,以及5300 VRMS绝缘,通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.65
    • 10+

      ¥7.47
    • 30+

      ¥7.36
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合组成。600V 阻断电压允许控制高达 240VAC 的离线电压,安全系数超过 2,足以应对高达 380V 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.1
    • 10+

      ¥6.77
    • 50+

      ¥6.04
  • 有货
  • 由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用 DIP-6 封装,输出端具有高隔离距离。可将低压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 线路隔离,以控制阻性、感性或容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    • 1+

      ¥8.17
    • 10+

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    • 30+

      ¥5.87
  • 有货
  • 是一款光耦合光电三端双向可控硅,采用 DIP-8 封装驱动功率三端双向可控硅。它提供 5300V 的输入到输出隔离。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.92
    • 50+

      ¥6.53
  • 有货
  • 6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器,采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器
    • 1+

      ¥9.57
    • 10+

      ¥9.36
    • 30+

      ¥9.22
  • 有货
  • 是一款250 V单通道常开光隔离固态继电器(SPST-1 form A)。基于混合架构,可在较宽的环境温度范围内实现快速开关时间。高效的GaAlAs红外发光二极管可实现低输入正向电流。在输出端,高性能MOSFET开关可提供低导通电阻,能够切换直流和交流信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.71
    • 10+

      ¥10.47
    • 50+

      ¥10.3
  • 有货
  • 单通道和双通道 10 MBd 光耦合器,采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。 探测器具有漏极开路 NMOS 晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏更少。 对于单通道类型,引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。 内部屏蔽为 VO0601T 和 VO0631T 提供 5 kV/μs 的共模瞬态抗扰度,为 VO0611T 和 VO0661T 提供 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。 建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.17
    • 10+

      ¥10.49
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      ¥9.43
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  • LH1546AD(4引脚DIP封装)性能可靠,非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关(1A型),在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用砷化镓(GaAs)发光二极管进行驱动控制,采用集成单片芯片作为开关输出
    数据手册
    • 1+

      ¥14.44
    • 10+

      ¥14.13
    • 30+

      ¥13.93
  • 有货
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      ¥15.2
    • 30+

      ¥14.96
  • 有货
  • 光控三端双向可控硅由与光敏非过零三端双向可控硅光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,采用 SOP-4 封装。VOM3053 的 LED 触发电流为 5 mA,VOM3052 为 10 mA。光控三端双向可控硅将低压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 线路隔离,以控制阻性、感性或容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.66
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      ¥13.46
    • 30+

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  • 有货
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    • 10+

      ¥18.01
    • 50+

      ¥17.69
  • 有货
  • 光耦合的GaAs红外发光二极管和具有集成噪声抑制和非过零功能的光敏晶闸管系统组成。晶闸管系统可实现1 mA的低触发电流,其dV/dt比大于10 kV/μs,负载电压高达800 V。是一种非常适合微控制器的解决方案,可将低压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管、三端双向可控硅开关和固态继电器。
    • 1+

      ¥18.61
    • 10+

      ¥18.12
    • 30+

      ¥17.8
  • 有货
  • 由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个光敏晶闸管系统组成,集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现低触发电流 2mA,具有大于 10kV/μs 的 dV/dt 比和高达 800V 的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案,可将低电压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 高压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管或三端双向可控硅开关元件以及固态继电器。
    • 1+

      ¥18.78
    • 10+

      ¥18.31
    • 30+

      ¥17.99
  • 有货
  • 由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制电路的光敏晶闸管系统组成。晶闸管系统可实现低触发电流0.7 mA,具有大于10 kV/μs的dV/dt比和高达800 V的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案,可将低电压逻辑与120 Vₐc、240 Vₐc和380 Vₐc的高电压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管或三端双向可控硅开关以及固态继电器。
    • 1+

      ¥19.17
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      ¥18.67
    • 30+

      ¥18.34
  • 有货
    • 1+

      ¥20.75
    • 10+

      ¥20.29
    • 30+

      ¥19.99
  • 有货
  • 由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个光敏晶闸管系统组成,集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低触发电流1.2 mA,具有大于10 kV/μs的dV/dt比和高达800 V的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案,可将低电压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高电压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管、双向晶闸管和固态继电器。
    • 1+

      ¥21.29
    • 10+

      ¥20.78
    • 30+

      ¥20.44
  • 有货
  • LH1546AEF(4引脚SOP封装)性能可靠,非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关(1A型),在许多应用中可替代机电继电器。该器件采用砷化镓(GaAs)发光二极管进行驱动控制,采用MOSFET作为开关输出
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    • 1+

      ¥22.8
    • 10+

      ¥19.85
    • 30+

      ¥18.01
  • 有货
  • LH1501 继电器是单刀单掷常闭开关(1 型 B),可在许多应用中替代机电继电器。这些继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外 LED 实现
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    • 1+

      ¥22.92
    • 10+

      ¥22.39
    • 30+

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      ¥22.95
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