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ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管(IRED)发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流(lF)下,其集电极 - 发射极饱和电流传输比(CTRCEsat)最低为 30%,ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口
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    ¥11.87
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  • 有货
  • ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管(IRED)发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造,耐受测试电压达 7500 V 交流峰值,工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比(CTR)特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测
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  • TCMT410系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用16引脚(四通道)封装。
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  • 有货
  • 单通道10 MBd光耦合器采用高效输入LED与集成光电二极管IC探测器耦合。探测器具有漏极开路NMOS晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏更少。双通道10 MBd光耦合器也有提供。对于单通道类型,引脚7上的使能功能允许对探测器进行选通。内部屏蔽为VO2601和VO2631提供了5 kV/μs的保证共模瞬态抗扰度,为VO2611和VO4661提供了15 kV/μs的保证共模瞬态抗扰度。建议在引脚5和8之间连接一个0.1 μF的旁路电容。
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      ¥13.28
  • 有货
  • LH1546AD(4引脚DIP封装)性能可靠,非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关(1A型),在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用砷化镓(GaAs)发光二极管进行驱动控制,采用集成单片芯片作为开关输出
    数据手册
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      ¥14.2
  • 有货
  • SPST常开开关(1 form A)可在许多应用中替代机电继电器。它采用GaAlAs IRED驱动控制和MOSFET作为开关输出。
    数据手册
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      ¥14.44
  • 有货
  • IL420 和 IL4208 由一个光学耦合的 GaAs 红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制和非零交叉功能的光敏晶闸管系统组成。该晶闸管系统能够实现低至 1 mA 的触发电流,并具有大于 10 kV/μs 的 dV/dt 比率以及高达 800 V 的负载电压。IL420 和 IL4208 是一种完美的微控制器友好型解决方案,用于将低压逻辑与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 高压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、电磁阀、高功率晶闸管、TRIAC 或固态继电器。
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      ¥18.92
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      ¥18.46
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      ¥18.15
  • 有货
  • 使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术,可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。 分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。 由于保证了最大非饱和和饱和开关特性,可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。
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      ¥19.09
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      ¥14.54
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  • 是单通道 25 MBd 高速光耦合器,采用 CMOS 技术。利用输入 LED 驱动器与高速红外发射二极管 (IRED) 以及集成光探测器 IC 相结合。具有真正的数字输入和输出接口,最大脉冲宽度失真极低,仅为 6 ns,且抗噪性高,最低为 20 kV/μs,便于集成到数字逻辑系统中。
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      ¥20.65
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      ¥19.77
  • 有货
  • 是一个单刀单掷常开开关(1 Form A),可在许多应用中取代机电继电器。该继电器采用GaAlAs LED进行驱动控制,并采用集成单片管芯作为开关输出。该管芯采用高压介电隔离技术制造,由光电二极管阵列、开关控制电路和MOSFET开关组成。此外,该继电器采用限流电路,在提供过压保护时,使其能够通过符合ANSI/TIA-968-B的雷击浪涌测试和其他监管电压浪涌要求。是该系列中唯一为单向直流应用提供限流功能的继电器。
    数据手册
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      ¥22.73
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      ¥22.23
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      ¥19.55
  • 有货
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  • 有货
  • 多通道光电晶体管光耦合器使用GaAs红外发光二极管发射器和高增益NPN硅光电晶体管。这些器件采用双模绝缘技术制造,该组装过程可承受7500 VDC的测试电压。 ILD621GB/ILQ621GB在IF为1.0 mA时,CTR(CE Sat)最低为30%,非常适合CMOS接口。在5.0 mA时,最低CTR(CE)为100%,可保证高增益线性工作。ILD/Q621在5.0 mA时,保证CTR(CE)最低为50%。透明离子屏蔽可确保在存在恒定直流VIO电压的应用(如电源反馈电路)中实现稳定的直流增益。
    数据手册
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      ¥28.7
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      ¥27.68
  • 有货
  • LH1526双路1型A继电器是单刀单掷常开开关,在许多应用中可替代机电继电器。该继电器工作时仅需极小的LED驱动电流,非常适合电池供电以及对功耗敏感的应用场景。该继电器采用GaAlAs LED进行驱动控制,采用MOSFET开关作为输出
    数据手册
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      ¥35.19
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  • 有货
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      ¥36.67
  • 有货
  • 是一款400V双通道常开光隔离固态继电器(SPST-1 form A)。基于混合架构,可实现快速开关时间,且工作环境温度范围宽。高效的GaAlAs红外发光二极管使输入侧的正向电流较低。输出侧的高性能MOSFET开关具有低导通电阻(Rₒₙ),可切换直流和交流信号。
    数据手册
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      ¥52.11
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      ¥50.1
  • 有货
  • ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管(IRED)发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造,耐受测试电压达 7500 V 交流峰值,工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比(CTR)特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测
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      ¥6.76
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      ¥6.48
  • 有货
  • 由与光敏过零三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用节省电路板空间的扁平SOP-4封装。可将低压逻辑与120V AC、240V AC和380V AC线路隔离,以控制电阻性、电感性或电容性负载,包括电机、螺线管、大电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
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      ¥7.1
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      ¥6.82
  • 有货
  • SFH6318非常适合用于TTL应用,因为当LED电流为1.6 mA时,其最小电流传输比为300%,这使得它在使用2.2 kΩ上拉电阻时,能够实现一个单位负载输入和一个单位负载输出的操作。SFH6319最适合涉及CMOS和低功耗TTL的低功耗逻辑应用。在0 °C至70 °C的温度范围内,仅需0.5 mA的LED电流,就能保证400%的电流传输比
    • 1+

      ¥7.41
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      ¥7.23
    • 30+

      ¥7.11
  • 有货
  • 由砷化镓红外发光二极管与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合组成。600V 阻断电压允许控制高达 240VAC 的离线电压,安全系数超过 2,足以应对高达 380V 的电压。
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    • 1+

      ¥8.1
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      ¥6.77
    • 50+

      ¥6.04
  • 有货
  • 由与光敏三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用 DIP-6 封装,输出端具有高隔离距离。可将低压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 线路隔离,以控制阻性、感性或容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    • 1+

      ¥8.17
    • 10+

      ¥6.69
    • 30+

      ¥5.87
  • 有货
  • 是一款光耦合光电三端双向可控硅,采用 DIP-8 封装驱动功率三端双向可控硅。它提供 5300V 的输入到输出隔离。
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    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.92
    • 50+

      ¥6.53
  • 有货
  • 是一款250 V单通道常开光隔离固态继电器(SPST-1 form A)。基于混合架构,可在较宽的环境温度范围内实现快速开关时间。高效的GaAlAs红外发光二极管可实现低输入正向电流。在输出端,高性能MOSFET开关可提供低导通电阻,能够切换直流和交流信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.3
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      ¥10.05
    • 50+

      ¥9.89
  • 有货
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      ¥11.51
    • 10+

      ¥11.21
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      ¥11.02
  • 有货
  • 单通道和双通道 10 MBd 光耦合器,采用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。 探测器具有漏极开路 NMOS 晶体管输出,与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比,泄漏更少。 对于单通道类型,引脚 7 上的使能功能允许对探测器进行选通。 内部屏蔽为 VO0601T 和 VO0631T 提供 5 kV/μs 的共模瞬态抗扰度,为 VO0611T 和 VO0661T 提供 15 kV/μs 的共模瞬态抗扰度。 建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1 μF 的旁路电容。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.17
    • 10+

      ¥10.49
    • 30+

      ¥9.43
  • 有货
    • 1+

      ¥15.56
    • 10+

      ¥15.2
    • 30+

      ¥14.96
  • 有货
  • 光控三端双向可控硅由与光敏非过零三端双向可控硅光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,采用 SOP-4 封装。VOM3053 的 LED 触发电流为 5 mA,VOM3052 为 10 mA。光控三端双向可控硅将低压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 线路隔离,以控制阻性、感性或容性负载,包括电机、螺线管、高电流晶闸管或三端双向可控硅以及继电器。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.66
    • 10+

      ¥13.46
    • 30+

      ¥12.09
  • 有货
  • 光耦合的GaAs红外发光二极管和具有集成噪声抑制和非过零功能的光敏晶闸管系统组成。晶闸管系统可实现1 mA的低触发电流,其dV/dt比大于10 kV/μs,负载电压高达800 V。是一种非常适合微控制器的解决方案,可将低压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管、三端双向可控硅开关和固态继电器。
    • 1+

      ¥18.61
    • 10+

      ¥18.12
    • 30+

      ¥17.8
  • 有货
  • 由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个光敏晶闸管系统组成,集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现低触发电流 2mA,具有大于 10kV/μs 的 dV/dt 比和高达 800V 的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案,可将低电压逻辑与 120VAC、240VAC 和 380VAC 高压线路隔离,并控制电阻性、电感性或电容性交流负载,如电机、螺线管、高功率晶闸管或三端双向可控硅开关元件以及固态继电器。
    • 1+

      ¥18.78
    • 10+

      ¥18.31
    • 30+

      ¥17.99
  • 有货
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