威世光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：IL4118 编号：C22414338

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

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￥23.04
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￥22.54
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￥22.2

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型号：ILQ615-2 编号：C5334371

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术，可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。由于保证了最大非饱和和饱和开关特性，可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。

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￥23.23
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￥20.05
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￥18.17

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型号：VO3063-X007T 编号：C144874

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由GaAs红外LED与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合而成。600 V阻断电压允许以大于2的安全系数控制高达240 VAC的离线电压，足以承受高达380 V的电压。

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￥23.7
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￥20.41
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型号：BRT23H 编号：C6790864

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

BRT21、BRT22、BRT23 产品系列包含一个与光敏晶闸管系统光耦合的 GaAs 红外发光二极管，该系统集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低至 1.2 mA 的触发电流，其 dV/dt 比大于 10 kV/μs，负载电压高达 800 V。

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￥25.06
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￥24.46
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￥24.06

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型号：IL4216 编号：C20509456

封装：6-DIP

品牌：VISHAY(威世)

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￥25.08
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￥24.52
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￥24.15

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型号：VOR2121A8 编号：C1558990

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

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￥30.02
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￥29.32
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￥28.86

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型号：VOR2121B8T 编号：C2152169

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

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￥34.74
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￥33.94
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￥33.4

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型号：IL4208-X017T 编号：C499503

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

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￥36.84
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￥36.12
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型号：LH1501BABTR 编号：C5357932

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

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￥37.65
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￥36.82
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￥36.27

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型号：LH1512BACTR 编号：C2653965

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

LH1512继电器包含常开和常闭开关，可以独立用作1 Form A和1 Form B继电器，或者当一起使用时，作为1 Form C继电器。这些继电器构造为多芯片混合器件。驱动控制通过红外LED实现。输出开关是由光电二极管阵列与MOSFET开关及控制电路组合而成的。

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￥41.5
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￥40.59
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型号：LH1502BB 编号：C1558839

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

LH1502继电器包含常开和常闭开关，这些开关可分别作为1A型和1B型继电器独立使用，也可组合起来作为1C型继电器使用。该继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外LED实现

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￥50.26
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￥48.98
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型号：LH1522AAC 编号：C5334324

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

LH1522 双 1 Form A 继电器是 SPST 常开开关，可以在许多应用中替代电磁继电器。它们使用 GaAIAs LED 进行驱动控制，并采用 MOSFET 开关作为输出。此外，当提供过电压保护时，LH1522 固态继电器还采用了限流电路。

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￥71.02
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￥61.52
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￥55.73

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型号：K3010P 编号：C3009282

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光控三端双向可控硅和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流隔离和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率三端双向可控硅。

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￥5.55
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型号：CNY17-3X007T 编号：C7469109

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅NPN光电晶体管光耦合而成的光耦合对。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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￥2.37705
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￥1.89336

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型号：VO207AT 编号：C145276

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8A 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。

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型号：IL300-DEFG-X007T 编号：C3009019

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

线性光耦合器由一个AlGaAs红外发射器照射一个输出PIN光电二极管和一个反馈光电二极管组成。反馈光电二极管捕获发射器光通量的一部分，并生成一个控制信号 (Iₚ₁)，该信号可用于通过调节发射器正向电流来保持发射器输出恒定。这可以补偿发射器的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个输出信号 (Iₚ₂)，该信号与发射器产生的伺服光通量呈线性关系。输入-输出耦合器增益 (K3) 的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管可以精确跟踪发射器的输出光通量。

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￥29.73
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￥25.7
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￥23.3
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型号：CNY64B 编号：C141580

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

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￥14.67
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型号：IL300 编号：C222532

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

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￥18.65
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型号：TCLT1103 编号：C17586734

封装：SOP-6

品牌：VISHAY(威世)

TCLT110系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用5引脚SOP - 6L封装。

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￥2.30782
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￥2.26803
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型号：SFH6186-2 编号：C17356081

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥2.95
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￥2.88
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￥2.83
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￥2.79

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型号：H11AA1-X007T 编号：C7466036

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

H11AA1是一款双向输入光耦合隔离器，由两个反向并联的砷化镓红外LED与一个硅NPN光电晶体管耦合而成，采用6引脚DIP封装。H11AA1的最小电流传输比（CTR）为20%，CTR对称性为1:3，专为需要检测或监控交流信号的应用而设计。

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￥10.62
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￥9.11
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￥8.17
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￥7.2
500+
￥6.76
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￥6.58

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型号：ILQ615-3 编号：C17351875

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

ILD615、ILQ615 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 光电晶体管。这些器件采用上下引线框架光耦合和双塑封绝缘技术制造，耐受测试电压达 7500 V 交流峰值，工作电压为 1700 Vrms。经过分档的最小/最大和线性电流传输比（CTR）特性使这些器件非常适合用于直流或交流电压检测

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￥12.07
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￥10.03
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￥8.76
100+
￥7.45

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型号：SFH6316T 编号：C2838496

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

高速光耦合器由 GaAlAs 红外发射二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如 TTL、CMOS 等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准 SOIC-8 封装，适用于表面贴装。

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单价：
￥5.533429 / 个

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型号：ILQ621GB-X017T 编号：C5353621

封装：SMD-16P

品牌：VISHAY(威世)

多通道光电晶体管光耦合器使用GaAs红外发光二极管发射器和高增益NPN硅光电晶体管。这些器件采用双模绝缘技术制造，该组装过程可承受7500 VDC的测试电压。 ILD621GB/ILQ621GB在IF为1.0 mA时，CTR(CE Sat)最低为30%，非常适合CMOS接口。在5.0 mA时，最低CTR(CE)为100%，可保证高增益线性工作。ILD/Q621在5.0 mA时，保证CTR(CE)最低为50%。透明离子屏蔽可确保在存在恒定直流VIO电压的应用（如电源反馈电路）中实现稳定的直流增益。

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1+
￥28.7
10+
￥28.09
30+
￥27.68
100+
￥27.27

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型号：IL300-DEFG-X017T 编号：C6968645

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥31.71
10+
￥26.93
30+
￥24.08
100+
￥21.21

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型号：VOS627A-3X001T 编号：C144965

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

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1+
￥0.5002
10+
￥0.4027
30+
￥0.354
100+
￥0.3175
500+
￥0.2882
1000+
￥0.2736

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型号：VO615A-3X007T 编号：C2859530

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

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1000+
￥0.96524
2000+
￥0.9407
3000+
￥0.90798
6000+
￥0.89162

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型号：CNY75GB 编号：C80161

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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2000+
￥1.368
4000+
￥1.344
6000+
￥1.32

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型号：SFH615A-3X006 编号：C5224105

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端部堆叠。选项 6 的爬电距离和电气间隙 > 8 mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压。

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4000+
￥1.197
8000+
￥1.176
12000+
￥1.155

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型号：CNY17F-3X006 编号：C428741

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成的光耦合器，采用塑料插入式 DIP-6 封装。耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与其他系列相比，F 型的基极端未连接，从而大大提高了共模干扰抗扰度。

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单价：
￥3.87769 / 个

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