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价格(含税)

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双向可控硅无 1

型号：IL4218-X017T 编号：C19146903

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个带有集成噪声抑制电路的光敏晶闸管系统组成。晶闸管系统可实现低触发电流0.7 mA，具有大于10 kV/μs的dV/dt比和高达800 V的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案，可将低电压逻辑与120 Vₐc、240 Vₐc和380 Vₐc的高电压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、螺线管、高功率晶闸管或三端双向可控硅开关以及固态继电器。

1+
￥19.17
10+
￥18.67
30+
￥18.34

有货

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光耦合器，光控双向可控硅输出，高dV/dt，低输入电流

型号：IL420-X016 编号：C20507094

封装：6-DIP

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥20.75
10+
￥20.29
30+
￥19.99

有货

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停产光耦合器，光控双向可控硅输出，过零检测

型号：BRT23F 编号：C19078476

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光耦合的砷化镓红外发光二极管和一个光敏晶闸管系统组成，集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低触发电流1.2 mA，具有大于10 kV/μs的dV/dt比和高达800 V的负载电压。是一种非常适合微控制器的解决方案，可将低电压逻辑与120 VAC、240 VAC和380 VAC的高电压线路隔离，并控制电阻性、电感性或电容性交流负载，如电机、螺线管、高功率晶闸管、双向晶闸管和固态继电器。

1+
￥21.29
10+
￥20.78
30+
￥20.44

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压400V

型号：VOR1142M4 编号：C143763

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

VOR1142是一款单刀单掷常开开关（1A形式），可在许多应用中替代机电继电器。它采用砷化镓铝红外发光二极管（IRED）驱动控制，输出端采用MOSFET。

数据手册

1+
￥21.35
10+
￥20.91
40+
￥18.19

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压350V

型号：LH1546AEF 编号：C142599

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

LH1546AEF（4引脚SOP封装）性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1A型），在许多应用中可替代机电继电器。该器件采用砷化镓（GaAs）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出

数据手册

1+
￥22.8
10+
￥19.85
30+
￥18.01

有货

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1 Form B(SPSTNC) 负载AC,DC 负载电压350V

型号：LH1501BAB 编号：C1558828

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1501 继电器是单刀单掷常闭开关（1 型 B），可在许多应用中替代机电继电器。这些继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外 LED 实现

数据手册

1+
￥22.92
10+
￥22.39
30+
￥22.03

有货

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IL4118-X007T

型号：IL4118-X007T 编号：C5772614

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥22.95
10+
￥22.44
30+
￥22.1

有货

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IL4118

型号：IL4118 编号：C22414338

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥23.04
10+
￥22.54
40+
￥22.2

有货

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AC,DC 5.3kV

型号：ILQ615-2 编号：C5334371

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术，可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。由于保证了最大非饱和和饱和开关特性，可用于中速数据I/O和控制系统。分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。

数据手册

1+
￥23.23
10+
￥20.05
25+
￥18.17

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：VO3063-X007T 编号：C144874

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

由GaAs红外LED与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合而成。600 V阻断电压允许以大于2的安全系数控制高达240 VAC的离线电压，足以承受高达380 V的电压。

数据手册

1+
￥23.7
10+
￥20.41
30+
￥18.46

有货

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停产光耦合器，光控双向可控硅输出，过零检测

型号：BRT23H 编号：C6790864

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

BRT21、BRT22、BRT23 产品系列包含一个与光敏晶闸管系统光耦合的 GaAs 红外发光二极管，该系统集成了噪声抑制和过零电路。该晶闸管系统可实现低至 1.2 mA 的触发电流，其 dV/dt 比大于 10 kV/μs，负载电压高达 800 V。

1+
￥25.06
10+
￥24.46
30+
￥24.06

有货

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光耦合器，光控可控硅输出，高dV/dt，低输入电流

型号：IL4216 编号：C20509456

封装：6-DIP

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥25.08
10+
￥24.52
50+
￥24.15

有货

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1 Form B 固态继电器

型号：LH1511BAB 编号：C6890404

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1511 继电器是 SPST 常闭开关（1 形式 B），可以在许多应用中替代机电继电器。这些继电器构造为多芯片混合器件。驱动控制通过红外 LED 实现。输出开关是由光电二极管阵列与 MOSFET 开关及控制电路组成的组合。这些继电器可以配置为 AC/DC 或仅 DC 操作。

1+
￥32.47
10+
￥27.79
50+
￥25

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压250V

型号：VOR2121B8T 编号：C2152169

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥34.74
10+
￥33.94
30+
￥33.4

有货

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IL4208-X017T

型号：IL4208-X017T 编号：C499503

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥36.84
10+
￥36.12
30+
￥35.64

有货

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1 Form A(SPSTNO),1 Form B(SPSTNC) 负载AC,DC 负载电压350V

型号：LH1502BB 编号：C1558839

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

LH1502继电器包含常开和常闭开关，这些开关可分别作为1A型和1B型继电器独立使用，也可组合起来作为1C型继电器使用。该继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外LED实现

数据手册

1+
￥50.26
10+
￥48.98
30+
￥48.12

有货

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双通道1型A固态继电器（常开）

型号：LH1522AAC 编号：C5334324

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

LH1522 双 1 Form A 继电器是 SPST 常开开关，可以在许多应用中替代电磁继电器。它们使用 GaAIAs LED 进行驱动控制，并采用 MOSFET 开关作为输出。此外，当提供过电压保护时，LH1522 固态继电器还采用了限流电路。

数据手册

1+
￥71.02
10+
￥61.52
50+
￥55.73

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停产双向可控硅无 1

型号：K3010P 编号：C3009282

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光控三端双向可控硅和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流隔离和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率三端双向可控硅。

1+
￥5.55
10+
￥4.48
50+
￥3.95

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停产双向可控硅无 1

型号：K3023P 编号：C3008946

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

该系列由一个光控双向可控硅和一个砷化镓红外发光二极管组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率双向可控硅。

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1+
￥6.56
10+
￥5.29
50+
￥4.66

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5300V

型号：6N137-X007T 编号：C241879

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

单通道和双通道光耦合器利用高效输入 LED 与集成光电二极管 IC 探测器耦合。探测器具有开漏 NMOS 晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏更少。单通道类型在引脚 7 上有使能功能，允许对探测器进行选通。内部屏蔽为部分型号提供了 5kV/μs 或 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。建议在引脚 5 和 8 之间连接一个 0.1μF 的旁路电容。

数据手册

1+
￥9.39
10+
￥7.77
30+
￥6.88
100+
￥5.87
500+
￥5.43
1000+
￥5.22

订货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：CNY17F-3X007T 编号：C142631

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

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20+
￥4.731526
30+
￥3.970421
100+
￥2.937606
500+
￥2.407143
1000+
￥2.297019

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC 负载电压350V

型号：LH1540AABTR 编号：C3001847

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

LH1540性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用GaAlAs（镓铝砷）发光二极管进行驱动控制，采用MOSFET作为开关输出

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1+
￥19.59
10+
￥16.61
30+
￥14.75

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：VOMA618A-3X001T 编号：C504845

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

VOMA618A系列包含一个镓铝砷（GaAlAs）红外发射二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚迷你扁平封装。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

数据手册

1+
￥21.62
10+
￥18.27
30+
￥16.27
100+
￥14.25
500+
￥13.32
1000+
￥12.9

订货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：VOM617AT 编号：C143737

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃，具有砷化镓红外发射二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的迷你扁平封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

5+
￥1.2868
50+
￥1.258
150+
￥1.2388
500+
￥1.2197

订货

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DC输入隔离电压(rms):4000V

型号：VO207AT 编号：C145276

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8A 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。

数据手册

5+
￥2.5597
2000+
￥2.0691

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DC 5.3kV

型号：SFH615A-3X006 编号：C5224105

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54 mm，可端部堆叠。选项 6 的爬电距离和电气间隙 > 8 mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于高达 400 VRMS 或直流的工作电压。

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4000+
￥1.1655
8000+
￥1.155
12000+
￥1.134

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光电耦合器，光电晶体管输出，带基极连接的交流输入

型号：H11AA1-X007T 编号：C7466036

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

H11AA1是一款双向输入光耦合隔离器，由两个反向并联的砷化镓红外LED与一个硅NPN光电晶体管耦合而成，采用6引脚DIP封装。H11AA1的最小电流传输比（CTR）为20%，CTR对称性为1:3，专为需要检测或监控交流信号的应用而设计。

1+
￥10.12
10+
￥8.61
30+
￥7.67
100+
￥6.7
500+
￥6.26
1000+
￥6.08

订货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4000V

型号：SFH6316T 编号：C2838496

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

高速光耦合器由 GaAlAs 红外发射二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如 TTL、CMOS 等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准 SOIC-8 封装，适用于表面贴装。

数据手册

1+
￥12.11
10+
￥10.44
30+
￥9.39

有货

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光电耦合器，光电晶体管输出，无基极连接

型号：CNY17F-3X006 编号：C428741

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成的光耦合器，采用塑料插入式 DIP-6 封装。耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压。与其他系列相比，F 型的基极端未连接，从而大大提高了共模干扰抗扰度。

数据手册

50+
￥6.814114
200+
￥5.591068
500+
￥4.566038
1000+
￥3.913747

我要订货

光电晶体管输出型光耦合器，极高隔离电压

型号：CNY65 编号：C5273037

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于 3 mm 的间距，以满足最高安全要求。

数据手册

360+
￥6.42345
720+
￥6.365055
1080+
￥6.30666

我要订货

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