东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SC2714-Y(TE85L,F) 编号：C17563125

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小反向传输电容：Cre = 0.7 pF（典型值）。低噪声系数：NF = 2.5 dB（典型值）。应用：高频放大器应用。 FM、RF、MIX、IF放大器应用

10+
￥0.3774
100+
￥0.3006
300+
￥0.2622
3000+
￥0.2334
6000+
￥0.2104

有货

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型号：RN2105MFV,L3F(CT 编号：C2929214

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1101MFV至RN1106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.4079
100+
￥0.3262
300+
￥0.2853
1000+
￥0.2547
5000+
￥0.2302
8000+
￥0.2179

有货

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型号：1SS294(TE85L,F) 编号：C4153754

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.4397
50+
￥0.3828
150+
￥0.3544
500+
￥0.333
3000+
￥0.3159
6000+
￥0.3074

有货

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型号：DF2B5M4SL,L3F 编号：C1973305

封装：SMD

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2B5M4SL是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，可防止静电和噪声干扰。DF2B5M4SL利用回滞特性，具有低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容性能使其非常适合高速信号应用。DF2B5M4SL采用超紧凑型封装（0.32 mm×0.62 mm），可满足对占用空间要求较小的应用需求。

数据手册

5+
￥0.6594
50+
￥0.5222
150+
￥0.4536
500+
￥0.4022
2500+
￥0.361
5000+
￥0.3404

有货

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型号：SSM6N43FU,LF 编号：C17287625

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω（最大值）（@ VGS = 1.5V）。RDS(ON) = 1.14Ω（最大值）（@ VGS = 1.8V）。RDS(ON) = 0.85Ω（最大值）（@ VGS = 2.5V）。RDS(ON) = 0.66Ω（最大值）（@ VGS = 4.5V）。RDS(ON) = 0.63Ω（最大值）（@ VGS = 5.0V）

5+
￥0.7225
50+
￥0.628
150+
￥0.5875
500+
￥0.5369
3000+
￥0.5144
6000+
￥0.5009

有货

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型号：2SC3324-GR(TE85L,F 编号：C3201057

封装：TO-236

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.7339
50+
￥0.5899
150+
￥0.5179
500+
￥0.4639
3000+
￥0.4207
6000+
￥0.399

有货

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型号：DF2S6P2FU,H3F 编号：C1974448

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF2S6P2FU是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。为保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响，DF2S6P2FU实现了高脉冲峰值电流（Ipp）。

数据手册

5+
￥1.0967
50+
￥0.84
150+
￥0.7299
500+
￥0.5927
3000+
￥0.5316

有货

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型号：TC7WH08FU,LJ(CT 编号：C2880450

封装：SM-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

双2输入与门

数据手册

5+
￥1.2326
50+
￥0.9226
150+
￥0.7897
500+
￥0.6239
3000+
￥0.55

有货

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型号：CRZ16(TE85L,Q,M) 编号：C435815

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

是浪涌吸收器。平均功率耗散 P = 0.7W，齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V。由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装

数据手册

5+
￥1.282972 ￥1.5646
50+
￥0.993456 ￥1.3798
150+
￥0.806372 ￥1.3006
500+
￥0.745116 ￥1.2018
3000+
￥0.717836 ￥1.1578
6000+
￥0.70153 ￥1.1315

有货

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型号：TCR3UF30A,LM 编号：C5358561

封装：SOT-25

品牌：TOSHIBA(东芝)

CMOS 工艺单输出电压调节器，具有开/关控制输入，特点是超低静态偏置电流和低压降电压。这些电压调节器提供 0.8 V 至 5.0 V 之间的固定输出电压，能够驱动高达 300 mA 的电流。它们具有过流保护、热关断功能和自动放电选项。采用通用封装 SMV（2.9 mm x 2.8 mm；厚度 1.1 mm（典型值）），在 3.3 V 输出、输出电流为 300 mA 时，具有 206 mV 的低压降电压。由于可以使用 1 μF 的小型陶瓷输入和输出电容器，这些器件非常适合需要高密度电路板组装的便携式应用，如手机、物联网设备和可穿戴设备。

数据手册

5+
￥1.3757
50+
￥1.0864
150+
￥0.9625
500+
￥0.8078

有货

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型号：TC7WZ14FU,LJ(CT 编号：C7421352

封装：SOT-505

品牌：TOSHIBA(东芝)

三态施密特反相器

5+
￥1.9676
50+
￥1.5291
150+
￥1.3412
500+
￥1.1067

有货

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型号：74VHC32FT(BE) 编号：C7421285

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或门 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。

1+
￥2.06
10+
￥1.83
30+
￥1.73
100+
￥1.6
500+
￥1.54
1000+
￥1.51

有货

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型号：CMS11(TE12L,Q,M) 编号：C146309

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

适合开关模式电源应用、便携式设备电池应用。因采用小尺寸表面贴装封装M-FLATTM，适合紧凑组装。

数据手册

5+
￥2.2624
50+
￥1.7652
150+
￥1.552
500+
￥1.2861
3000+
￥1.1677

有货

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型号：74VHC161FT(BJ) 编号：C7421276

封装：TSSOP16B

品牌：TOSHIBA(东芝)

同步可预置4位计数器 74VHC161FT：二进制、异步清零；74VHC163FT：二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。

1+
￥2.56
10+
￥2.29
30+
￥2.16
100+
￥2.02
500+
￥1.94
1000+
￥1.9

有货

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型号：2SC6124(TE12L,ZC) 编号：C5340733

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥2.83
10+
￥2.2
30+
￥1.93
100+
￥1.6
500+
￥1.45

有货

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型号：TC4052BFT(EL,N) 编号：C5221831

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是多路复用器，具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”，大振幅（VDD-VEE）可由小逻辑振幅（VDD-VSS）的控制信号进行切换。例如，在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下，可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低，可连接到低输入阻抗的电路。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.56
30+
￥2.4
100+
￥2.13
500+
￥2.03
1000+
￥1.98

有货

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

1+
￥3.01
10+
￥2.65
30+
￥2.47
100+
￥2.29
500+
￥2.18
1000+
￥2.12

有货

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型号：TK110P10PL,RQ(S2 编号：C695267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 9.3 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 32 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 8.9 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 100 V)。增强模式：V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥3.38
10+
￥2.97
30+
￥2.77
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.38

有货

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型号：TPH1R204PL1,LQ 编号：C7401598

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 17 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 56 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥3.74
10+
￥2.99
30+
￥2.61
100+
￥2.23
500+
￥2.01
1000+
￥1.89

有货

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型号：TTC004B,Q 编号：C150167

封装：TO-126

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = 160V（最小值）。与TTA004B互补。小集电极输出电容：Cob = 12pF（典型值）。高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。应用：音频放大器

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.34
30+
￥2.94
250+
￥2.55
500+
￥2.32
1000+
￥2.19

有货

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型号：2SK1062(TE85L,F) 编号：C5331494

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 100 mS（最小值），ID = 50 mA。低导通电阻：RDS(ON) = 0.6 Ω（典型值）@ ID = 50 mA。增强模式。与2SJ168互补。应用：高速开关应用。模拟开关应用

数据手册

1+
￥4.57
10+
￥3.71
30+
￥3.27
100+
￥2.85
500+
￥2.32
1000+
￥2.19

有货

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型号：TK16A60W 编号：C556312

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：Vth = 2.7至3.7V，VDS = 10V，ID = 0.79mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.022 ￥8.1
10+
￥3.8324 ￥7.37
50+
￥2.9232 ￥6.96
100+
￥2.7342 ￥6.51
500+
￥2.6502 ￥6.31
1000+
￥2.6082 ￥6.21

有货

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型号：TPCA8120,L1Q(CM 编号：C5370566

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：由于采用小型薄型封装，占用空间小。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）(VGS = -10V)。低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V，ID = -1mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥4.74
30+
￥4.44
100+
￥4.11
500+
￥3.96
1000+
￥3.89

有货

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型号：TBD62783AFG(Z,EL) 编号：C840444

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：8 电路内置。高电压：VOUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = -500mA（每通道最大值）。输入电压（输出开启）：2.0V（最小值）。输入电压（输出关闭）：0.6V（最大值）。封装：PG 型 P-DIP18-300-2.54-001；FG 型 SOP18-P-375-1.27；FNG 型 SSOP18-P-225-0.65；FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001

数据手册

1+
￥5.73
10+
￥4.58
30+
￥4.01
100+
￥3.44
500+
￥2.99
1000+
￥2.81

有货

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型号：TPHR6503PL,L1Q 编号：C7125477

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器