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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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八进制 D 型触发器,具有三态输出。 采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。 实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作,同时保持了 CMOS 的低功耗。 该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。 当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻抗状态。 输入电压与 TTL 输出电压兼容。 该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。 输入保护和输出电路确保 0 至 5.5V 可应用于输入和输出引脚,而无需考虑电源电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如备用电池、热插拔等)而导致的设备损坏
  • 1+

    ¥2.3
  • 10+

    ¥2.01
  • 30+

    ¥1.89
  • 100+

    ¥1.74
  • 500+

    ¥1.67
  • 1000+

    ¥1.63
  • 有货
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      ¥2.56
    • 10+

      ¥2.26
    • 30+

      ¥2.1
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.82
  • 有货
  • 双路三态输出总线缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.58
    • 50+

      ¥2.07
    • 150+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.59
    • 3000+

      ¥1.47
  • 有货
  • TC74HC02A 是采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 2 输入或非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 类似的高速运行
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.03
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.47
    • 500+

      ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:±24 mA(最小值),VCC = 3.0 V。 超高速运行:tpd = 2.3 ns(典型值),VCC = 5.0 V,CL = 50 pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。 在 3.3 V VCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值)(@ VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 10.6 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.7 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥2.96
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      ¥2.2
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      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • 是高速CMOS模拟多路复用器/解复用器,采用硅栅C²MOS技术制造。它们实现了与等效LSTTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗。具有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。数字信号到控制终端可开启每个通道的相应开关,大振幅信号(VCC-VEE)可由小逻辑振幅(VCC-GND)控制信号切换。每个开关的导通电阻低,可连接到低输入阻抗的电路。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.79
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥3.12
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      ¥2.89
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      ¥2.76
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 2.6 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 50 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IRSS = 10 μA(最大值)(VDS = 150 V)。 增强模式:VTM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.65
    • 30+

      ¥3.4
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      ¥3.16
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      ¥2.93
  • 有货
  • 特性:小尺寸、薄封装。 高速开关。 小栅极电荷:QSW = 7.4 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 13 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.39
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.53
    • 500+

      ¥2.27
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥3.64
    • 50+

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      ¥2.67
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      ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.29
  • 有货
  • 六施密特反相器 TC74AC14F 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。
    • 1+

      ¥4.53
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      ¥3.17
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    • 500+

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      ¥2.31
  • 有货
    • 1+

      ¥4.68
    • 10+

      ¥3.7
    • 50+

      ¥3.21
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    • 1000+

      ¥2.28
  • 有货
  • 特性:小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.33
    • 10+

      ¥4.25
    • 30+

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    • 100+

      ¥3.17
    • 500+

      ¥2.85
    • 1000+

      ¥2.68
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 79 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.37
    • 10+

      ¥4.29
    • 30+

      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.22
    • 500+

      ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.73
  • 有货
  • 新产品,本芯片用场效应管作输出管,相比传统的ULN2003(三极管做输出管)管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.08
    • 10+

      ¥4.9
    • 30+

      ¥4.3
    • 100+

      ¥3.72
    • 500+

      ¥3.37
    • 1000+

      ¥3.18
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式:VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥6.54
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.83
    • 1000+

      ¥3.69
  • 有货
  • TCKE8xx系列是18V高输入电压的单输入单输出eFuse集成电路。它可用作可重复使用的保险丝,具备多种保护功能,如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为28mΩ(典型值),高输出电流可达5.0A,宽输入电压工作特性使该系列非常适合用于电源管理应用,如硬盘驱动器的电源电路和电池充电应用。该系列采用0.5mm间距的小型封装WSON10B(3.0mm×3.0mm,厚度:0.7mm(典型值))。因此,该系列非常适合各种需要高密度焊接的应用,如便携式电子产品。
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.72
    • 30+

      ¥6.79
    • 100+

      ¥5.74
    • 500+

      ¥5.27
    • 1000+

      ¥5.06
  • 有货
    • 1+

      ¥13.59
    • 10+

      ¥11.44
    • 30+

      ¥10.1
    • 100+

      ¥8.73
    • 500+

      ¥8.11
    • 800+

      ¥7.84
  • 有货
  • 是一种桥接设备,可将MIPI CSl-2到并行端口和并行端口到CSl-2的数据转换。所有内部寄存器可以通过I2C或SPI访问。
    • 1+

      ¥18.21
    • 10+

      ¥15.38
    • 30+

      ¥13.69
    • 100+

      ¥12.41
    • 500+

      ¥11.63
    • 1000+

      ¥11.27
  • 有货
  • 用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥21.82
    • 10+

      ¥18.52
    • 28+

      ¥17.66
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间 tₕ = 1.6 ns(典型值)。 AEC-Q101认证。应用:超高速开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.25014 ¥0.379
    • 100+

      ¥0.169848 ¥0.3033
    • 300+

      ¥0.122084 ¥0.2654
    • 3000+

      ¥0.10902 ¥0.237
    • 6000+

      ¥0.098578 ¥0.2143
    • 9000+

      ¥0.093334 ¥0.2029
  • 有货
  • 高速开关应用 双引脚小封装适用于更高的安装密度 低正向电压:VF(3) = 0.38V(典型值) 低反向电流:IR = 50μA(最大值) 小总电容:CT = 46 pF(典型值)
    • 10+

      ¥0.313
    • 100+

      ¥0.273
    • 300+

      ¥0.253
    • 3000+

      ¥0.238
    • 6000+

      ¥0.226
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1401至RN1406互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.3745
    • 100+

      ¥0.2996
    • 300+

      ¥0.2621
    • 3000+

      ¥0.234
  • 有货
  • 特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 与RN2901至RN2906互补。应用:开关电路。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.5491
    • 50+

      ¥0.4291
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3241
  • 有货
  • 特性:峰值正向电压:VFM = 0.55V (最大值)@IFM = 3.0 A。 平均正向电流:IF(AV) = 3.0 A。 重复峰值反向电压:VRRM = 40 V。 小而薄的封装,适用于高密度电路板组装。应用:开关稳压器中的二次整流。 移动设备中的反向电流保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5879
    • 50+

      ¥0.5177
    • 150+

      ¥0.4827
    • 500+

      ¥0.4563
    • 3000+

      ¥0.387
    • 6000+

      ¥0.3765
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 400mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V),RDS(ON) = 300mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6646
    • 50+

      ¥0.5206
    • 150+

      ¥0.4487
    • 500+

      ¥0.3947
    • 3000+

      ¥0.3515
  • 有货
  • 特性:峰值正向电压:VFM = 0.49V(最大值)@IFM = 3A。 平均正向电流:IF(AV) = 3A。 重复峰值反向电压:VRRM = 30V。 小而薄的封装,适用于高密度电路板组装。应用:开关稳压器中的二次整流。 移动设备中的反向电流保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.744096 ¥1.0784
    • 50+

      ¥0.506279 ¥0.8581
    • 150+

      ¥0.374213 ¥0.7637
    • 500+

      ¥0.31654 ¥0.646
    • 3000+

      ¥0.290815 ¥0.5935
    • 6000+

      ¥0.27538 ¥0.562
  • 有货
  • 特性:小封装。 低导通电阻:Q1:RMS(ON) = 0.7Ω (max)(@VGS = 10V);Q2:RMS(ON) = 2.7Ω (max)(@VGS =-10V)
    • 5+

      ¥0.8883
    • 50+

      ¥0.7681
    • 150+

      ¥0.7166
    • 500+

      ¥0.6524
    • 3000+

      ¥0.6238
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hT 在 200 至 500 之间(IC = -0.3 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = -0.2V(最大值)。 高速开关:tr = 90 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9574
    • 50+

      ¥0.8276
    • 150+

      ¥0.7719
    • 1000+

      ¥0.7025
    • 2000+

      ¥0.6716
    • 5000+

      ¥0.6531
  • 有货
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