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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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  • 9000+

    ¥0.1222
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      ¥0.1527
    • 10000+

      ¥0.1486
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = 50V。 高集电极电流:IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至700。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.2301
    • 200+

      ¥0.1815
    • 600+

      ¥0.1545
    • 3000+

      ¥0.1383
    • 9000+

      ¥0.1242
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。 高电压:VCEO = 120V。 出色的 hFE 线性度:hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高 hFE:hFE = 200 至 700。 低噪声:NF = 1dB(典型值),10dB(最大值)。 与 2SA1587 互补。应用:音频通用放大器应用
    • 10+

      ¥0.2317
    • 100+

      ¥0.2017
    • 300+

      ¥0.1867
    • 3000+

      ¥0.1755
    • 6000+

      ¥0.1665
    • 9000+

      ¥0.162
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2425
    • 200+

      ¥0.1911
    • 600+

      ¥0.1625
    • 3000+

      ¥0.1454
  • 有货
  • 特性:小封装:SC-59。 低正向电压:VF(3) = 0.54V(典型值)。 低反向电流:IF = 5μA(最大值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4068
    • 50+

      ¥0.3548
    • 150+

      ¥0.3288
    • 500+

      ¥0.3093
    • 3000+

      ¥0.2937
    • 6000+

      ¥0.2858
  • 有货
  • 适用于音频频率低功率放大器应用、驱动级放大器应用和开关应用,具有出色的hFE线性度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4512
    • 50+

      ¥0.346
    • 150+

      ¥0.2935
    • 500+

      ¥0.2541
    • 3000+

      ¥0.205
    • 6000+

      ¥0.1892
  • 有货
  • 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω(典型值)@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω(典型值)@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω(典型值)@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω(典型值)@VGS = -4.5V。应用:模拟开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4759
    • 50+

      ¥0.3751
    • 150+

      ¥0.3247
    • 500+

      ¥0.2869
    • 2500+

      ¥0.2567
    • 5000+

      ¥0.2289
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。小封装:SC-59。低正向电压:VF(2) = 0.90V(典型值)。快速反向恢复时间:trF = 1.6 ns(典型值)。小总电容:CT = 0.9pF(典型值)
    • 5+

      ¥0.5666
    • 50+

      ¥0.4587
    • 150+

      ¥0.4047
    • 500+

      ¥0.3643
    • 3000+

      ¥0.3319
    • 6000+

      ¥0.3157
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2301至RN2306互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.6589
    • 50+

      ¥0.5149
    • 150+

      ¥0.4429
    • 500+

      ¥0.3889
    • 3000+

      ¥0.3457
  • 有货
  • TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC,具备压摆率控制驱动器,具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下,典型导通电阻仅为 34 mΩ,输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能
    数据手册
    • 5+

      ¥0.73602 ¥0.8178
    • 50+

      ¥0.58473 ¥0.6497
    • 150+

      ¥0.50904 ¥0.5656
    • 500+

      ¥0.45225 ¥0.5025
    • 2500+

      ¥0.40689 ¥0.4521
    • 5000+

      ¥0.38421 ¥0.4269
  • 有货
  • 反相器
    • 5+

      ¥0.7467
    • 50+

      ¥0.5835
    • 150+

      ¥0.5019
    • 500+

      ¥0.4407
    • 3000+

      ¥0.3917
  • 有货
  • 特性:推挽输出。 南极和北极检测。 重量:11.0mg(典型值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9122
    • 50+

      ¥0.7205
    • 150+

      ¥0.6246
    • 500+

      ¥0.5527
    • 3000+

      ¥0.4952
  • 有货
  • 正向电压:VFM = 0.36V(最大值) 平均正向电流:IF(AV) = 1.5A 重复峰值反向电压:VRRM = 30V 采用小型表面贴装封装“S-FLATTM”,适合紧凑组装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0128
    • 50+

      ¥0.8033
    • 150+

      ¥0.6985
    • 500+

      ¥0.569
    • 3000+

      ¥0.5061
  • 有货
  • 六反相器(开漏)。采用硅栅 C2MOS 技术制造,能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。引脚配置和功能与 74VHC04FT 相同,但具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件可通过合适的上拉电阻用于线与、LED 驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可承受 0 至 5.5V 的电压。可用于 5V 到 3V 系统以及双电源系统(如电池备份)的接口,防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.0496
    • 50+

      ¥1.0248
    • 150+

      ¥1.0082
    • 500+

      ¥0.9916
  • 有货
  • 双2输入或非门。
    • 5+

      ¥1.2411
    • 50+

      ¥0.9639
    • 150+

      ¥0.8451
    • 500+

      ¥0.6969
  • 有货
  • 低电压六缓冲器,输入和输出(开漏)具有 5V 容限。专为 3.3V 系统和 5V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于与 5V 电源环境的输入接口。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2682
    • 50+

      ¥1.105
    • 150+

      ¥1.035
    • 500+

      ¥0.9011
    • 2500+

      ¥0.8623
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(saq) = 0.5V 最大 (I = 1.5A)。 高速开关时间:tSTG = 0.5 μs(典型值)。 小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与 2SA1736 互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    • 5+

      ¥1.3554
    • 50+

      ¥1.053
    • 150+

      ¥0.9234
    • 1000+

      ¥0.7616
    • 2000+

      ¥0.6896
  • 有货
  • 特性:宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高速运行:tsp = 5.5 ns(典型值)(VCC = 5.0 V, CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25℃)。 高抗噪性:VNI H = VNI L = 28%VCC(最小值)。 5.5V 耐受输入。 平衡传播延迟:tPLH = tPHL。 宽工作电压范围:VCC = 2.0 至 5.5V。 引脚分配和功能与 TC7w14 相同
    • 5+

      ¥1.3668
    • 50+

      ¥1.2093
    • 150+

      ¥1.1418
    • 500+

      ¥1.0575
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持CMOS低功耗特性。提供控制输入(C)来控制开关,C输入为高电平时开关导通,为低电平时开关关断。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5047
    • 50+

      ¥1.171
    • 150+

      ¥1.028
    • 500+

      ¥0.8496
    • 3000+

      ¥0.7701
    • 6000+

      ¥0.7225
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效LSTTL相似的高速运行。由于内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.6887
    • 50+

      ¥1.3107
    • 150+

      ¥1.1487
    • 500+

      ¥0.9466
  • 有货
  • 特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24.0 mΩ(典型值) (@VGS = -1.8V);RDS(ON) = 18.3 mΩ(典型值) (@VGS = -2.5V);RDS(ON) = 14.3 mΩ(典型值) (@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
    • 5+

      ¥1.7037
    • 50+

      ¥1.3257
    • 150+

      ¥1.1637
    • 500+

      ¥0.9616
    • 3000+

      ¥0.8716
  • 有货
  • 74VHC373FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器,具有三态输出。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。
    • 1+

      ¥1.73
    • 10+

      ¥1.5
    • 30+

      ¥1.4
    • 100+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.22
    • 1000+

      ¥1.19
  • 有货
  • 先进的高速CMOS八进制总线缓冲器,采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器,具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器,也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备用、热板插入等)而导致的器件损坏。
    • 1+

      ¥1.78
    • 10+

      ¥1.56
    • 30+

      ¥1.47
    • 100+

      ¥1.36
    • 500+

      ¥1.31
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 是先进的高速CMOS HEX D型触发器,采用硅栅CMOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS低功耗。施加到D输入的信息信号在时钟脉冲的正沿传输到Q输出。当CLR输入保持低电平时,Q输出处于低逻辑电平,与其他输入无关。输入保护电路确保可在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于连接5V至3V系统和双电源系统,如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.83
    • 50+

      ¥1.62
    • 150+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.41
    • 2500+

      ¥1.36
    • 5000+

      ¥1.33
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型锁存器,具有 5V 容限输入和输出。为 3.3V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件专为低电压(3.3V)VCC 应用而设计,但可用于输入和输出端与 5V 电源环境接口。这个 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.0592 ¥2.34
    • 10+

      ¥1.6068 ¥2.06
    • 30+

      ¥1.3192 ¥1.94
    • 100+

      ¥1.2172 ¥1.79
    • 500+

      ¥1.1764 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.1492 ¥1.69
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 4.3nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.8mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。 低泄漏电流:ISS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:Vtot = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:开关稳压器。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
    • 10+

      ¥1.83
    • 30+

      ¥1.71
    • 100+

      ¥1.0608 ¥1.56
    • 500+

      ¥1.0132 ¥1.49
    • 1000+

      ¥0.986 ¥1.45
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.3Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值) (VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.4-4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1328 ¥3.44
    • 10+

      ¥1.6016 ¥3.08
    • 50+

      ¥1.218 ¥2.9
    • 100+

      ¥1.1424 ¥2.72
    • 500+

      ¥1.0962 ¥2.61
    • 1000+

      ¥1.0752 ¥2.56
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。 高速开关:tf = 95 ns (典型值)。应用:高速开关应用。 DC/DC 转换器应用
    • 5+

      ¥2.1525
    • 50+

      ¥1.6737
    • 150+

      ¥1.4685
    • 500+

      ¥1.2125
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四异或门。它在保持CMOS低功耗的同时,实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。内部电路包括一个输出缓冲器,可提供高抗噪性和稳定的输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,0至5.5V的电压可施加到输入引脚。该器件可用于5V至3V系统的接口以及双电源系统,如电池备份。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。
    • 1+

      ¥2.29
    • 10+

      ¥2.01
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.65
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