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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24.0 mΩ(典型值) (@VGS = -1.8V);RDS(ON) = 18.3 mΩ(典型值) (@VGS = -2.5V);RDS(ON) = 14.3 mΩ(典型值) (@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关
  • 5+

    ¥1.7037
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    ¥1.3257
  • 150+

    ¥1.1637
  • 500+

    ¥0.9616
  • 3000+

    ¥0.8716
  • 有货
  • 该电压比较器器件设计为可在宽电压范围内由单电源供电运行。 在±1 V至±18 V的电压范围内,也能保证双电源的正常运行。 VCC至少要比输入共模电压高1.5 V。 输出端可与其他集电极开路输出端相连,以实现线或关系。
    • 5+

      ¥1.7946
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      ¥1.4166
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      ¥1.2546
    • 500+

      ¥1.0525
  • 有货
  • 是先进的高速CMOS HEX D型触发器,采用硅栅CMOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS低功耗。施加到D输入的信息信号在时钟脉冲的正沿传输到Q输出。当CLR输入保持低电平时,Q输出处于低逻辑电平,与其他输入无关。输入保护电路确保可在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于连接5V至3V系统和双电源系统,如备用电池。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.83
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      ¥1.62
    • 150+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.41
    • 2500+

      ¥1.36
    • 5000+

      ¥1.33
  • 有货
  • 74VHCT245AFT是一个高速CMOS八位总线收发器,用于双向异步通信。支持3.3V到5V系统间的电平转换。
    • 1+

      ¥2.01
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      ¥1.78
    • 30+

      ¥1.68
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 4.3nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.8mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)。 低泄漏电流:ISS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:Vtot = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:开关稳压器。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
    • 10+

      ¥1.83
    • 30+

      ¥1.71
    • 100+

      ¥1.0608 ¥1.56
    • 500+

      ¥1.0132 ¥1.49
    • 1000+

      ¥0.986 ¥1.45
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.3Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 3.0S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值) (VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.4-4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥2.1328 ¥3.44
    • 10+

      ¥1.6016 ¥3.08
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      ¥1.218 ¥2.9
    • 100+

      ¥1.1424 ¥2.72
    • 500+

      ¥1.0962 ¥2.61
    • 1000+

      ¥1.0752 ¥2.56
  • 有货
  • 双路三态输出总线缓冲器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.29
    • 50+

      ¥1.78
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      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.3
    • 3000+

      ¥1.18
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,具有三态输出。 采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。 实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作,同时保持了 CMOS 的低功耗。 该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。 当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻抗状态。 输入电压与 TTL 输出电压兼容。 该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。 输入保护和输出电路确保 0 至 5.5V 可应用于输入和输出引脚,而无需考虑电源电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如备用电池、热插拔等)而导致的设备损坏
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2.01
    • 30+

      ¥1.89
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    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.63
  • 有货
  • 特性:高 DC 电流增益:hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) =-0.27V (max)。 高速开关:tf = 55 ns (typ.)。 重量:0.36 g (typ.)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3275
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      ¥1.8229
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      ¥1.6067
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      ¥1.3369
  • 有货
  • 74HC574D是一款高速CMOS八进制触发器,采用硅栅C2MOS技术制造,具备三态输出。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。这些8位D型触发器由时钟输入(CK)和输出使能输入(OE(上划线))控制
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
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      ¥1.83
    • 30+

      ¥1.6
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      ¥1.19
    • 1000+

      ¥1.12
  • 有货
  • 同步可预置4位计数器 74VHC161FT:二进制、异步清零;74VHC163FT:二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。
    • 1+

      ¥2.56
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      ¥2.29
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  • 有货
  • TC74HC02A 是采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 2 输入或非门。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 类似的高速运行
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
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      ¥2.03
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      ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • 是多路复用器,具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”,大振幅(VDD-VEE)可由小逻辑振幅(VDD-VSS)的控制信号进行切换。例如,在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下,可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低,可连接到低输入阻抗的电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
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      ¥2.56
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      ¥2.03
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      ¥1.98
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。 高集电极击穿电压:VCEO = 800V,VCBO = 900V。 高速开关:Δtr = 0.2μs(典型值),tf = 0.4 μs(典型值)(IC = 0.3A)。应用:高速高压开关。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.01
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      ¥2.65
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    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:±24 mA(最小值),VCC = 3.0 V。 超高速运行:tpd = 2.3 ns(典型值),VCC = 5.0 V,CL = 50 pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。 在 3.3 V VCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.22
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      ¥1.82
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      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值)(@ VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥3.52
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    • 30+

      ¥2.45
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      ¥2.1
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      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 10.6 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.7 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥2.96
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • 特性:高集电极电压:VCEO = 160V(最小值)。 与TTA004B互补。 小集电极输出电容:Cob = 12pF(典型值)。 高过渡频率:fT = 100MHz(典型值)。应用:音频放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥2.8
    • 250+

      ¥2.41
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48
    • 10+

      ¥3.64
    • 50+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.67
    • 500+

      ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.29
  • 有货
  • 六施密特反相器 TC74AC14F 是一款采用硅栅和双层金属布线 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 施密特反相器。
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.31
  • 有货
  • 特性:小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.33
    • 10+

      ¥4.25
    • 30+

      ¥3.71
    • 100+

      ¥3.17
    • 500+

      ¥2.85
    • 1000+

      ¥2.68
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式:VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥6.11
    • 10+

      ¥5
    • 30+

      ¥4.39
    • 100+

      ¥3.71
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.26
  • 有货
  • 特性:8 电路内置。 高电压:VOUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = -500mA(每通道最大值)。 输入电压(输出开启):2.0V(最小值)。 输入电压(输出关闭):0.6V(最大值)。 封装:PG 型 P-DIP18-300-2.54-001;FG 型 SOP18-P-375-1.27;FNG 型 SSOP18-P-225-0.65;FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.22
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥4.08
    • 500+

      ¥3.62
    • 1000+

      ¥3.45
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥6.79
    • 10+

      ¥6.1
    • 30+

      ¥5.72
    • 100+

      ¥5.3
    • 500+

      ¥5.11
    • 1000+

      ¥5.02
  • 有货
  • TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
    • 10+

      ¥7.84
    • 30+

      ¥6.9
    • 100+

      ¥5.93
    • 500+

      ¥5.49
    • 1000+

      ¥5.3
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:使用超级结结构DTMOS,RDS(ON) = 0.25Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 3.0至4.0V,VDS = 10V,ID = 0.85mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥10.21
    • 50+

      ¥9.14
    • 100+

      ¥8.05
    • 500+

      ¥7.56
    • 1000+

      ¥7.35
  • 有货
  • 该芯片的主要功能是DSI-to-LVDS桥接,支持高达1600x1200 24位/像素分辨率的单链路LVDS和高达WUXGA (1920x1200 24位/像素)分辨率的双链路LVDS。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.56
    • 10+

      ¥11.49
    • 30+

      ¥10.82
    • 100+

      ¥9.63
    • 500+

      ¥9.32
  • 有货
    • 1+

      ¥13.59
    • 10+

      ¥11.44
    • 30+

      ¥10.1
    • 100+

      ¥8.73
    • 500+

      ¥8.11
    • 800+

      ¥7.84
  • 有货
  • 用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥21.24
    • 10+

      ¥17.95
    • 28+

      ¥17.09
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2687
    • 100+

      ¥0.2144
    • 300+

      ¥0.1873
    • 3000+

      ¥0.1466
    • 6000+

      ¥0.1303
  • 有货
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