东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TCD1304DG(8Z,K) 编号：C5348961

封装：CDIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高灵敏度、低暗电流的3648像元CCD线性图像传感器，由高灵敏度CCD芯片组成，具有电子快门功能（ICG），该功能可使输出电压不受光强变化影响而保持恒定。

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1+
￥237.57
30+
￥225

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型号：CMS04(TE12L,Q,M) 编号：C603062

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

近年来，从计算机、家用电器到汽车和工业设备等众多产品，都对减小尺寸和重量的有效解决方案提出了需求。不同应用场景对半导体的要求也有所不同。以电源为例，要求在更小的尺寸内容纳更高的容量，这会提高系统的运行温度

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5+
￥1.1561
50+
￥0.9396
150+
￥0.8468
500+
￥0.731
3000+
￥0.611
6000+
￥0.58

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型号：2SC6124(TE12L,ZC) 编号：C5340733

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.5295
50+
￥1.1887
150+
￥1.0426
1000+
￥0.8603
2000+
￥0.7792
5000+
￥0.7305

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型号：TB67H451AFNG,EL 编号：C5349076

封装：HSOP-8_EP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H451AFNG 是一款 PWM 斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用 BiCD 工艺制造，额定输出电压为 50 V，最大电流为 3 A。

1+
￥3.28
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

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型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

1+
￥4.36
10+
￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.63
500+
￥2.38
1000+
￥2.25

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型号：TPH3R704PL,L1Q 编号：C141553

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.0 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

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1+
￥4.51
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.8
500+
￥2.55
1000+
￥2.42

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型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

1+
￥4.71
10+
￥3.77
30+
￥3.3
100+
￥2.83
500+
￥2.55
1000+
￥2.4

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型号：TPHR8504PL,LQ(M1W 编号：C22388172

封装：DFN-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥6.04
10+
￥4.84
30+
￥4.24
100+
￥3.64
500+
￥3.29
1000+
￥3.1

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型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

1+
￥10.27
10+
￥8.58
25+
￥6.52
100+
￥5.48
500+
￥5.01
1000+
￥4.8

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型号：DF2S6.8FS,L3M 编号：C1972978

封装：SOD-923

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：ESD保护

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20+
￥0.1546
200+
￥0.1157
600+
￥0.094
2000+
￥0.0811
10000+
￥0.0698
20000+
￥0.0638

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型号：1SS302TE85LF 编号：C150148

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-70。低正向电压：0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：1.6ns（典型值）。小总电容：0.9pF（典型值）。重量：0.006g（典型值）

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10+
￥0.246
100+
￥0.1932
300+
￥0.1668
3000+
￥0.147
6000+
￥0.1312
9000+
￥0.1232

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型号：CTS520,L3F 编号：C2847407

封装：SOD-882

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低反向电流：IR(2) = 5μA (最大值)。小芯片级封装：厚度 = 0.40mm (最大值)。应用：高速开关

10+
￥0.2654
100+
￥0.2126
300+
￥0.1862
1000+
￥0.1664
5000+
￥0.1505
10000+
￥0.1181

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型号：CUS05S40,H3F 编号：C442418

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(2) = 0.56 V（典型值）(@IF = 500mA)。应用：高速开关

10+
￥0.3959
100+
￥0.3095
300+
￥0.2663
3000+
￥0.2339
6000+
￥0.208
9000+
￥0.195

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型号：1SV325,H3F 编号：C4153758

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥0.5465
50+
￥0.4265
150+
￥0.3665
500+
￥0.3215
2500+
￥0.2855
4000+
￥0.2675

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型号：1SV323,H3F 编号：C516856

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

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5+
￥0.6716
50+
￥0.5274
150+
￥0.4554
500+
￥0.4013
2500+
￥0.358
4000+
￥0.3364

有货

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型号：1SV281(TPH3,F) 编号：C146317

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于小型调谐器

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5+
￥1.0846
50+
￥0.9565
150+
￥0.9016
500+
￥0.741548 ￥0.8332
2500+
￥0.714403 ￥0.8027
4000+
￥0.698116 ￥0.7844

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型号：74VHC21FT 编号：C4470883

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC21FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

5+
￥1.3991
50+
￥1.0866
150+
￥0.9527
500+
￥0.7856
2500+
￥0.7112
5000+
￥0.6665

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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

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5+
￥1.4317
50+
￥1.1113
150+
￥0.9739
500+
￥0.8026
3000+
￥0.7263
6000+
￥0.6805

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型号：TC7WB66CFK,LF 编号：C516178

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WB66CFK/L8X 和 TC7WB67CFK/L8X 是低导通电阻、高速 CMOS 2 位总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持 CMOS 的低功耗特性

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5+
￥1.4849
50+
￥1.1671
150+
￥1.0309
500+
￥0.861
3000+
￥0.7854

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型号：2SC5886A(T6L1,NQ) 编号：C5156044

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。高速开关：tf = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

5+
￥2.3575
50+
￥1.8787
150+
￥1.6735
500+
￥1.4175
2000+
￥1.3035

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型号：TC78H621FNG,EL 编号：C2150461

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC78H621FNG是一款双桥驱动IC，其输出晶体管采用了DMOS。该芯片能够驱动2个有刷直流电机或1个步进电机。

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.14
30+
￥2.77
100+
￥2.41
500+
￥2.19
1000+
￥2.07

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型号：TBD62083AFG,EL 编号：C163228

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，本芯片用场效应管作输出管，相比传统的ULN2803（三极管做输出管）管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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1+
￥5.35
10+
￥4.27
30+
￥3.73
100+
￥3.19
500+
￥2.87
1000+
￥2.71

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型号：TPH4R008NH,L1Q(M 编号：C396039

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小尺寸、薄封装。高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 18 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_HSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 80 V)。增强模式：V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.46
10+
￥4.38
30+
￥3.84
100+
￥3.3
500+
￥2.98
1000+
￥2.82

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型号：2SK3565(STA4,Q,M) 编号：C396031

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）

数据手册

1+
￥6.58
10+
￥5.4
50+
￥4.74
100+
￥4.01
500+
￥3.68
1000+
￥3.53

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

数据手册

500+
￥12.42
1000+
￥12.075

我要订货

型号：1SS352,H3F 编号：C15885

封装：SC-76-2

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于超高速开关应用，小封装，正向电压低，反向恢复时间快，总电容小。

数据手册

20+
￥0.1744
200+
￥0.1339
600+
￥0.1114
3000+
￥0.0979
9000+
￥0.0862

有货

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型号：RN1105MFV,L3F(CT 编号：C7421319

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。超小型封装，适合高密度安装。集成偏置电阻，减少外部部件数量，可减小系统尺寸并缩短组装时间。提供多种电阻值选择，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.3159
100+
￥0.2462
300+
￥0.2114
1000+
￥0.1853
5000+
￥0.1644
8000+
￥0.154

有货

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型号：RN1106MFV,L3F 编号：C5349733

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.4069
100+
￥0.3205
300+
￥0.2773
1000+
￥0.2449
5000+
￥0.219
8000+
￥0.206

有货

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型号：2SC2713-BL,LF 编号：C2880441

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用。

数据手册

10+
￥0.4473
100+
￥0.3513
300+
￥0.3033
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

有货

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型号：2SA1163-BL,LF 编号：C2929210

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SC2713互补。应用：音频通用放大器应用

数据手册

5+
￥0.479
50+
￥0.3734
150+
￥0.3205
500+
￥0.2809
3000+
￥0.2493
6000+
￥0.2334

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