SMD光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：GAQY214EH 编号：C7435128

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥5.04
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￥4.1
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￥3.63
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￥3.16
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￥2.46
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￥2.31

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型号：6N137-560E 编号：C691908

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽保证了在Vcm = 1000V时高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

数据手册

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￥5.56
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￥3.382 ￥3.56
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￥2.622 ￥2.76
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￥2.4795 ￥2.61

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型号：ATV252-CuH-S 编号：C22372857

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

ATV252光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET耦合组成。 ATV252实现低导通电阻。广泛应用于：工业机械及设备、放盗、防灾市场、空调控制、娱乐市场.

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￥6.1275 ￥6.45
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￥5.529 ￥5.82
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￥5.206 ￥5.48
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￥4.8355 ￥5.09
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￥4.75 ￥5
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￥4.674 ￥4.92

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型号：GAQW216EH 编号：C7435161

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥6.37
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￥5.19
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￥4.59
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￥4
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￥3.51
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￥3.33

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型号：HCPL-4504-500E 编号：C17130

封装：SMD-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

包含 GaAsP LED 和 AlGaAs LED，LED 与集成高增益光电探测器光耦合。具有短传播延迟和高 CTR，保证传播延迟差 (tPLH-tPHL)，适用于解决 IPM 逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和 CMR 针对 TTL 和 IPM 条件进行了规定，便于应用。单通道、二极管-晶体管光耦合器，有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。LED 和集成光电探测器之间的绝缘层提供输入和输出之间的电气绝缘，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极集电极电容将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

数据手册

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￥6.84
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￥5.56
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￥4.92
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￥4.29
500+
￥3.33
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￥3.14

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型号：AQY212GHAX 编号：C719739

封装：SMD-4P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：大大增加了容量。连续负载电流：1.1A。高绝缘性。 I/O隔离电压：5000Vrms。紧凑的4引脚DIP类型。相对于汞或机械继电器性能有所提高。应用：测量仪器。安全和防灾系统：用于报警和安全设备的I/O等

数据手册

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￥12.48
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￥11.23
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￥10.45
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￥8.81
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￥8.38
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￥8.19

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型号：GAQV252G2EH 编号：C7435169

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥13.43
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￥11.62
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￥10.49
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￥8.43
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￥7.91
1000+
￥7.68

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型号：VO14642AABTR 编号：C2653901

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

VO14642是一款高速单通道常开固态继电器（单刀单掷1型A），采用DIP - 6封装。该继电器为多芯片混合器件。高效红外LED可降低输入侧的正向电流

数据手册

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￥15.75
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￥13.31
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￥11.78
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￥10.21
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￥9.51
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￥9.2

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型号：TLP3545A(TP1,F 编号：C2152260

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3545A和TLP3545AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它采用6引脚DIP封装。TLP3545A和TLP3545AF的低导通电阻和高允许导通电流使其适用于电力线控制应用

数据手册

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￥26.77
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￥22.74
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￥20.35
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￥17.93
500+
￥16.81

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型号：PC817B 编号：C5451664

封装：SMD-4P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SMD-4封装光电耦合器，采用光电晶体管输出方式，专为实现精准的信号隔离与传输而设计。适用于DC输入环境，正向电压低至1.2V，确保高效能和低功耗运行。器件提供最大50mA的强劲输出电流，且具备6V高反向电压承受能力，保证在各种复杂工况下稳定可靠工作。广泛应用于电源管理及信号隔离等领域，是系统集成的理想半导体解决方案。

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￥0.169752 ￥0.1929
200+
￥0.15268 ￥0.1735
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￥0.144144 ￥0.1638
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￥0.121616 ￥0.1382
10000+
￥0.116424 ￥0.1323
20000+
￥0.113872 ￥0.1294

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型号：LTV-816S-TA1-A 编号：C123198

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%（IF = 5mA，VCE = 5V）。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间：典型值为4μs（VCE = 2V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。应用：需要高密度安装的混合基板

数据手册

10+
￥0.3818
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￥0.2952
300+
￥0.2519
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￥0.2194
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￥0.1934
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￥0.1804

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型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

数据手册

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￥0.8558
50+
￥0.683
150+
￥0.5966
500+
￥0.5318
2000+
￥0.416
4000+
￥0.39

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型号：AT214-CuH-S 编号：C42371493

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT214 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥3.798 ￥4.22
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￥3.078 ￥3.42
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￥2.718 ￥3.02
100+
￥2.358 ￥2.62
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￥2.142 ￥2.38
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￥2.034 ￥2.26

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型号：AQW212EHA 编号：C527084

封装：SMD-8P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：负载电压备有60V、350V、400V、600V。耐电压5,000V（加强绝缘）。经济实惠。输出构成：2a。应用：通信调制解调器。电话设备

1+
￥11.49
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￥10.28
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￥9.52
100+
￥8.44
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￥8.02
1000+
￥7.84

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型号：ACNW3190-500E 编号：C3019221

封装：SMD-8-400mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V/200 A、600 V/300 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。在 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 中具有最高 1414 Vpeak 的绝缘电压 VIORM。

数据手册

1+
￥13.12
10+
￥11.99
30+
￥10.74
100+
￥9.8196 ￥10.02
750+
￥9.4962 ￥9.69
1500+
￥9.359 ￥9.55

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型号：PC357SC-CX(KTP) 编号：C51883203

封装：SMD-4P

品牌：KTP(科泰普)

PC357SC-CX消费类产品,由红外发光二极管和光耦合的光电晶体管探测器组成。

10+
￥0.2786
100+
￥0.2215
300+
￥0.1929
1000+
￥0.1715
3500+
￥0.1543
10500+
￥0.1458

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型号：TLP521GB-S 编号：C20612587

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

TLP521GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥0.68381 ￥0.7198
50+
￥0.54701 ￥0.5758
150+
￥0.47861 ￥0.5038
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￥0.42731 ￥0.4498
2000+
￥0.37202 ￥0.3916
4000+
￥0.351405 ￥0.3699

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型号：MOC3021SM 编号：C22373362

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

MOC3021SM器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

5+
￥1.074376 ￥1.1678
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￥0.842536 ￥0.9158
150+
￥0.743176 ￥0.8078
1000+
￥0.619252 ￥0.6731
2000+
￥0.564052 ￥0.6131
6000+
￥0.53084 ￥0.577

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型号：LTV-341W-TA1-H 编号：C262124

封装：SMD-6P

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2

1+
￥5.27
10+
￥4.27
30+
￥3.77
100+
￥3.28
500+
￥2.98
1000+
￥2.83

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型号：GAQY252G3EH 编号：C7435131

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

光耦继电器触点形式:1 Form A(SPST-NO)

1+
￥7.79
10+
￥6.57
30+
￥5.89
100+
￥4.56
500+
￥4.22
1000+
￥4.07

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型号：MOC3041SM 编号：C899805

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥7.87
10+
￥6.54
50+
￥5.82
100+
￥4.99
500+
￥4.63
1000+
￥4.46

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型号：APY252G3EH 编号：C44916800

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。

1+
￥8.59
10+
￥7.12
30+
￥6.32
100+
￥5.4
500+
￥4.92
1000+
￥4.74

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型号：TLP241A(TP1,F 编号：C2152214

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.44
30+
￥6.61
100+
￥5.67
500+
￥4.77

有货

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型号：GAQV258EH 编号：C7435172

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳切换。更高的速度和高频切换。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥15.74
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￥13.33
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￥11.82
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￥10.27
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￥9.58
1000+
￥9.27

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型号：AQW216EHAX 编号：C127263

封装：SMD-8P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：5000V加强绝缘，输入输出间内部绝缘距离超过0.4mm，符合EN41003、EN60950（加强绝缘）。适用于2 Form A使用以及两个独立的1 Form A使用。可控制低电平模拟信号，具有极低的闭路失调电压，能无失真地控制低电平模拟信号。高灵敏度和高速响应，5mA输入电流可控制最大0.14A负载电流，典型操作速度为0.5ms。低电平关态泄漏电流最大为1μA。应用：调制解调器。电话设备

数据手册