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首页 > 热门关键词 > SMD光耦
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是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装,四种形式(DIP、DIP-M、SMD、SLM)。
  • 5+

    ¥0.9523
  • 50+

    ¥0.7363
  • 150+

    ¥0.6283
  • 500+

    ¥0.5473
  • 2000+

    ¥0.4825
  • 有货
  • 由与单片硅非零电压交叉光电三端双向可控硅光耦合的砷化镓红外发射二极管组成。它们设计用于与分立功率三端双向可控硅配合使用,应用于逻辑系统的接口,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器。
    • 5+

      ¥1.0468
    • 50+

      ¥0.8306
    • 150+

      ¥0.738
  • 有货
  • SMD4封装单通道晶体管光耦,5000V隔离电压,380-600%电流传输比
    • 5+

      ¥1.0908
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      ¥0.8388
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      ¥0.7308
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      ¥0.5961
    • 2000+

      ¥0.5361
    • 4000+

      ¥0.5
  • 有货
  • 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装,三种形式(DIP、DIP-M、SMD、SLM)。
    • 5+

      ¥1.0908
    • 50+

      ¥0.8388
    • 150+

      ¥0.7308
    • 500+

      ¥0.5961
    • 2000+

      ¥0.5361
  • 有货
  • 静态dv/dt:1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些
    • 5+

      ¥1.0982
    • 50+

      ¥0.8623
    • 150+

      ¥0.7613
  • 有货
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      ¥1.1464
    • 50+

      ¥1.0093
    • 150+

      ¥0.9505
    • 1500+

      ¥0.8772
    • 3000+

      ¥0.8446
  • 有货
  • SMD6封装非过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:600V IFT:5mA
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      ¥1.4086
    • 50+

      ¥1.1001
    • 150+

      ¥0.9679
  • 有货
  • 静态dv/dt:1500V/us 600V过零三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向
    • 5+

      ¥1.5941
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      ¥1.2615
    • 150+

      ¥1.1189
  • 有货
  • CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用双列直插封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6608 ¥5.19
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      ¥0.9284 ¥4.22
    • 30+

      ¥0.4488 ¥3.74
    • 100+

      ¥0.3912 ¥3.26
    • 500+

      ¥0.3564 ¥2.97
    • 1000+

      ¥0.3384 ¥2.82
  • 有货
  • 三端双向可控硅驱动器输出光耦合器,800V 零交叉 MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供
    • 5+

      ¥1.7294
    • 50+

      ¥1.358
    • 150+

      ¥1.1988
  • 有货
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      ¥1.8334
    • 50+

      ¥1.4579
    • 150+

      ¥1.297
  • 有货
  • 驱动光耦:输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL:200ns;200ns 电源电压:10V~30V 高抗扰度,3.0A 输出电流,门极驱动器光耦合器 MP3182 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动
    • 1+

      ¥1.84
    • 10+

      ¥1.8
    • 30+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.74
  • 有货
    • 5+

      ¥1.9119
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      ¥1.4986
    • 150+

      ¥1.3215
    • 1000+

      ¥1.1005
  • 有货
  • 输入类型:DC,数据速率: 10Mbit/s,隔离电压(rms): 5kV,电源电压: 2.7V~5.5V,SMD8
    • 5+

      ¥2.14389 ¥2.3821
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      ¥1.69488 ¥1.8832
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      ¥1.50237 ¥1.6693
    • 1000+

      ¥1.26225 ¥1.4025
    • 2000+

      ¥1.15533 ¥1.2837
    • 5000+

      ¥1.09116 ¥1.2124
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成,采用4引脚塑料双列直插式封装。
    • 1+

      ¥2.58
    • 10+

      ¥2.02
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      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.35
  • 有货
  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关,功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口,以控制 115 V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.77
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.74
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      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.2
    • 1000+

      ¥1.1
  • 有货
  • MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3712 ¥6.02
    • 10+

      ¥2.2678 ¥4.93
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      ¥1.3176 ¥3.66
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      ¥1.1628 ¥3.23
  • 有货
  • 是一个光耦合对,由砷化镓红外发射二极管和硅NPN光电晶体管光耦合组成。信号信息(包括直流电平)可通过该器件传输,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.66
    • 10+

      ¥2.93
    • 50+

      ¥2.59
    • 100+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥2.03
  • 有货
  • 6N139 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。采用 8 引脚封装。
    • 1+

      ¥3.681 ¥4.09
    • 10+

      ¥2.979 ¥3.31
    • 30+

      ¥2.628 ¥2.92
    • 100+

      ¥2.286 ¥2.54
    • 500+

      ¥2.079 ¥2.31
    • 1000+

      ¥1.971 ¥2.19
  • 有货
  • 6N135,6N136 是一种用于单通道的高速光耦合器,由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接,可以通过降低基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。
    • 1+

      ¥3.744 ¥4.16
    • 10+

      ¥3.042 ¥3.38
    • 30+

      ¥2.691 ¥2.99
    • 100+

      ¥2.349 ¥2.61
    • 500+

      ¥2.133 ¥2.37
    • 1000+

      ¥2.034 ¥2.26
  • 有货
  • SMD7封装固态继电器(过零),5000V隔离电压,VDRM:600V IT(RMS):1.2A
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.44
    • 30+

      ¥3.04
    • 100+

      ¥2.64
    • 500+

      ¥2.4
    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • APSEMI光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,光电继电器具有显著优势,包括长寿命、无触点弹跳开关、更高的开关速度和高频开关能力、更高的灵敏度、抗电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)、无电弧、无触点弹跳和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可进行交流或直流负载开关操作,以及封装尺寸小等
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.09
    • 30+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.81
    • 1000+

      ¥2.66
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.63
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.54
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥5.75
    • 10+

      ¥4.66
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.58
    • 500+

      ¥3.26
  • 有货
  • 由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用六引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.75
    • 10+

      ¥5.61
    • 30+

      ¥5.51
    • 100+

      ¥5.41
  • 有货
  • 光耦合器由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用DIP6封装,保证绝缘厚度为0.4mm(最小值)。因此,该光耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥5.87
    • 10+

      ¥5.32
    • 30+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.67
  • 有货
  • 光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号,以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现开关功能,不会产生机械磨损,提供一致可靠的开关性能。
    • 1+

      ¥6.19
    • 10+

      ¥4.95
    • 30+

      ¥4.33
    • 100+

      ¥3.72
    • 500+

      ¥3.36
    • 1000+

      ¥3.17
  • 有货
  • SMD6封装光继电器 5000V隔离电压,负载电压100V, 负载电流:1.25A
    • 1+

      ¥6.53
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.84
    • 1000+

      ¥3.7
  • 有货
  • SMD6封装光继电器 5000V隔离电压,负载电压400V, 负载电流:0.13A
    • 1+

      ¥6.9
    • 10+

      ¥5.73
    • 30+

      ¥5.09
    • 100+

      ¥4.37
    • 500+

      ¥4.05
    • 1000+

      ¥3.91
  • 有货
  • 10 MBd宽体光耦合器由一个GaAlAs红外发光二极管和一个集成光电探测器光耦合而成。集成法拉第屏蔽的探测器提供了高功率开关应用所需的高电平噪声隔离。宽体耦合器具有高隔离距离,外部爬电距离>10mm,适用于工作电压超过1000V的应用。
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥6.07
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.72
    • 750+

      ¥4.4
    • 1500+

      ¥4.26
  • 有货
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