SMD光耦_厂家_价格_品牌_库存

触点形式:2A(双刀单掷-常开) 连续负载电流:1100mA 负载电压:150V

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型号：6N137-SMD8 编号：C47361086

封装：SMD-8P

品牌：拓朴微

6N137 光耦合器由一个 850nm 的 AlGaAS LED 组成，其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门，可快速输出。

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型号：EL3120S 编号：C42371564

封装：SMD-8P

EL3120S 是一种输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（ AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

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型号：SFH6206-2T 编号：C144978

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：MOC3081SM 编号：C899856

封装：SMD-6P

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：GAQY210KEHX 编号：C53282194

封装：SMD-4P

触点形式:1A(单刀单掷-常开) 连续负载电流:0.13A 负载电压:350V

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

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型号：AT4506-CuH-S 编号：C32712996

封装：SMD-8P,9.7x6.5mm

AT4506 包含一个 GaAsP LED，它被光学耦合到一个集成的高增益光电探测器。芯片上的 20KΩ输出上拉电阻可以通过短接输出引脚 6 和 7 来启用，因此在常见的 IPM 应用中不需要外部上拉电阻。广泛应用于：IPM 隔离、隔离 IGBT/MOSFET 门驱动器、交流和直流无刷直流电机驱动器、工业逆变器。

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型号：GAQY211G3EH 编号：C52177858

封装：SMD-4P

1 Form A(SPST-NO) 光MOS继电器，负载电压:40V 连续负载电流:2.5A

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型号：TIL113SM 编号：C900043

封装：SMD-6P

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：MOC3051SR2VM 编号：C184543

封装：SMD-6P

MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些器件将来自 115 V

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型号：GAQY274AEH 编号：C52177854

封装：SMD-4P

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.35A

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型号：PS2561DL2-1Y-A 编号：C17270925

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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型号：APY211G2EH 编号：C42444454

封装：SMD-4P

品牌：APSEMI(先进光)

是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。通过移动光子来实现开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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型号：ATV254-CuH-S 编号：C42371490

封装：SMD-6P

AV254 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：FODM3083 编号：C462758

封装：SMD-4P

FODM306X 和 FODM308X 系列由于单片式硅检测器进行光耦合的红外发光二极管组成，执行零电压较差双向三端可控硅的功能，采用紧凑型的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们与双向三端可控硅一起用于逻辑系统与 115/240 VAC 线路供电设备的接口中，如固态继电器、工业控制器、电机、电磁装置和消费设备。

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型号：TLP240J(TP1,F 编号：C2835182

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥7.5012 ￥7.98
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型号：H11G1SM 编号：C899466

封装：SMD-6P

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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型号：QX227-CuH-S 编号：C52164488

封装：SMD-8P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD8封装双通道光继电器 5000V隔离电压，负载电压200V, 负载电流：0.18A

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型号：QX226-CuH-S 编号：C52164486

封装：SMD-8P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD8封装双通道光继电器 5000V隔离电压，负载电压600V, 负载电流：0.04A

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型号：SPW252A 编号：C52238161

封装：SMD-8P

品牌：Siliup(矽普)

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￥8.98
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型号：LT937-1 编号：C33962510

封装：SMD-6P,8.8x6.4mm

品牌：Letex(丽太)

LT9371是一款采用6引脚SMD封装的1 Form A固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可提供3750V/5000V的输入 - 输出隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOSFET。

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型号：APV252G3EH 编号：C42444432

封装：SMD-6P

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的切换，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：LCA110STR 编号：C6286073

封装：SMD-6P

品牌：Littelfuse/IXYS

是常开（1-Form-A）固态继电器，采用光耦合MOSFET技术，提供3750Vrms的输入到输出隔离。光耦合输出采用专利的OptoMOS架构，由高效红外LED控制。可用于取代机械继电器，并具有与半导体器件相关的卓越可靠性。

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型号：AT2222-CuH-S 编号：C42371486

封装：SMD-8P