SMD光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-8P

AT222光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。采用8引脚封装（DIP、SMD）。广泛应用于：通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。

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￥6.916 ￥7.28
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￥6.232 ￥6.56
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￥5.8615 ￥6.17
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￥5.434 ￥5.72
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￥5.244 ￥5.52
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￥5.1585 ￥5.43

有货

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型号：GAQY225G3EH 编号：C53198684

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压: 100 V 连续负载电流: 3.0A

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￥7.26
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￥6.03
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￥5.36
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￥4.6

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型号：GAQV212GEH 编号：C7435168

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥7.28
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￥6.02
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￥5.33
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￥4.55
500+
￥4.2
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￥4.05

有货

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型号：MOC3073SM 编号：C899853

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

数据手册

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￥7.7
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￥6.3
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￥5.54
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￥4.67
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￥4.29
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￥4.11

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型号：SL214S 编号：C5155353

封装：SMD-8P

品牌：Slkor(萨科微)

SL214X用于代替继电器许多应用。它使用GaAlAs LED发光来驱动控制和集成单片模具开关输出。用高压制造的模具介电隔离技术由以下部分组成光电二极管阵列、开关控制电路和光MOSFE开关耦合组成。

数据手册

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￥8.56
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￥7.12
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￥6.33
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￥5.44
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￥4.8
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￥4.62

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型号：ACNW3190-500E 编号：C3019221

封装：SMD-8-400mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V/200 A、600 V/300 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。在 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 中具有最高 1414 Vpeak 的绝缘电压 VIORM。

数据手册

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￥13.12
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￥11.99
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￥10.74
100+
￥10.02

有货

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型号：GAQW414EH 编号：C7435162

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

光耦继电器触点形式:2 Form B(SPST-NC)

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￥17.24
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￥14.59
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￥12.93
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￥11.23
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￥10.46
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￥10.13

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型号：LH1510AABTR 编号：C559566

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

是单刀单掷常开开关（1 Form A），可在许多应用中替代机电继电器。采用GaAlAs LED进行驱动控制，使用高可靠性MOSFET作为输出开关。此外，它采用限流电路来提供过压保护，也可为单向直流应用提供限流功能。

数据手册

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￥18.44
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￥15.65
30+
￥13.9
100+
￥12.11

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型号：FOD4208SDV 编号：C899306

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

数据手册

1+
￥24.33
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￥20.84
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￥18.77
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￥16.68
500+
￥15.71

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型号：GAQW612EH 编号：C7435154

封装：SMD-8P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗EMV或RF干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥24.94
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￥21.32
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￥19.17
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￥16.99
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￥15.99
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￥15.54

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型号：HSSR-7111#300 编号：C31886134

封装：SMD-6P

品牌：Broadcom(博通)

是单通道功率MOSFET光耦合器，采用8引脚密封双列直插陶瓷封装。该器件的工作和存储温度范围广，可作为商用产品购买，也可通过MIL-PRF-38534不同等级测试。

1+
￥1008.53
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￥974.63

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型号：PC-817S1-CTP1-F 编号：C42368115

封装：SMD-4P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

由红外发射二极管和光电晶体管检测器通过光学耦合封装组成，晶体管光耦可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.

20+
￥0.2112
200+
￥0.1653
600+
￥0.1398
2000+
￥0.1279
10000+
￥0.1146
20000+
￥0.1074

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型号：JPC817-C 编号：C49208349

封装：SMD-4P

品牌：JUXING(钜兴)

正向压降(Vf) 1.2V 输出电流 2mA 隔离电压(Vrms) 5kV 直流反向耐压(Vr) 6V 负载电压 35V 属性参数值输出通道数 1 集射极饱和电压(VCE(sat)) 100mV@1mA,20mA 上升时间(tr) 6us 下降时间 5us 工作温度 -55℃~+110℃ 电流传输比(CTR)最小值 50% 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 600%

10+
￥0.305425 ￥0.3215
100+
￥0.24073 ￥0.2534
300+
￥0.20843 ￥0.2194
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￥0.18411 ￥0.1938
4000+
￥0.16473 ￥0.1734
10000+
￥0.15504 ￥0.1632

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型号：LTV-817S-TA1-A 编号：C22113

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%（IF = 5mA，VCE = 5V）。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间：典型值为4μs（VCE = 2V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。双列直插式封装：LTV-817为单通道型，LTV-827为双通道型，LTV-847为四通道型。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

数据手册

10+
￥0.4037
100+
￥0.3296
300+
￥0.2926
1000+
￥0.2649
5000+
￥0.2427

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型号：HPS2501-S 编号：C22396461

封装：SMD-4P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款直流输入光耦合器采用光电三极管输出，正向电压仅为1.17V，节能高效。50mA的输出电流能力，确保信号传递既快速又精准。适用于需要优异信号隔离性能的电子设备，如家用电器控制、仪表传感系统及计算机接口，为您的电路设计提供稳定、安全的数据传输方案。

5+
￥0.419408 ￥0.4766
50+
￥0.331496 ￥0.3767
150+
￥0.287584 ￥0.3268
500+
￥0.254672 ￥0.2894
2000+
￥0.228272 ￥0.2594
4000+
￥0.215072 ￥0.2444

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型号：TLP785GB-S 编号：C20612585

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

TLP785GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥0.44046 ￥0.4894
50+
￥0.34542 ￥0.3838
150+
￥0.2979 ￥0.331
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￥0.26226 ￥0.2914
2000+
￥0.24597 ￥0.2733
4000+
￥0.23166 ￥0.2574

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型号：AM817S(B)(T1)-FG 编号：C5179649

封装：SMD-4P

品牌：Amicc(欧密格光电)

4-pin DIP晶体管光电耦合器

数据手册

10+
￥0.4501
100+
￥0.3541
300+
￥0.3061
2000+
￥0.2681
4000+
￥0.2393
10000+
￥0.2249

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型号：PC814 编号：C52260339

封装：SMD-4P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入驱动，输出端为光电三极管，输入侧正向压降为1.2V，功耗较低，适合对能效有要求的电路设计。输出最大电流为50mA，具备基本的负载驱动能力。电流传输比（CTR）在20%至300%之间，具有较宽的工作范围，适应不同信号强度的传输需求。通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，常用于电源反馈控制、数字信号隔离、通信设备接口及电路级间耦合等应用，有效抑制干扰并保障系统安全性。