高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：QSOP-16-150mil

是基于iCoupler技术的四通道数字隔离器。结合高速互补金属氧化物半导体（CMOS）和单片空心变压器技术，这些隔离组件具有优于光耦合器设备和其他集成耦合器等替代方案的出色性能。在5V工作电压下，最大传播延迟为13ns，脉冲宽度失真小于3ns，通道匹配度最高为3.0ns。数据通道相互独立，有多种配置可供选择，耐受电压额定值为3.0kV rms或3.75kV rms

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￥19.0512 / 个

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型号：ADUM1446ARQZ-RL7 编号：C660470

封装：QSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

ADuM1440/ADuM1441/ADuM1442/ADuM1445/ADuM1446/ADuM1447是采用Coupler技术的微功耗、4通道数字隔离器。这些隔离器件将高速互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。在标准工作模式下，当ENₓ = 0(内部刷新使能)时，每通道电流低于10μA。

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型号：ADUM2401CRIZ 编号：C660638

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

4通道数字隔离器基于iCoupler技术，结合高速CMOS和单片空心变压器技术，提供出色的性能，优于光耦合器等替代方案。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler器件消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。此外，在可比的信号数据速率下，iCoupler器件的功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一

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￥51.84 / 个

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型号：6N139-500E 编号：C691910

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速操作。如有需要，可将VCC和V₀端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。

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型号：TLP2367(E 编号：C6285469

封装：11-4L1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2367是一款采用小型SO6封装的50 Mbps高速光电耦合器。TLP2367由高输出GaAlAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，可在-40°C至125°C的工作温度范围以及2.7 V至5.5 V的电源电压下实现高速开关性能。

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型号：ADUM141D1BRZ 编号：C660426

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

ADuM140D/ADuM140E/ADuM141D/ADuM141E/ADuM142D/ADuM142E是采用iCoupler技术的四通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。这些器件的最大传播延迟为13ns，在5V下脉冲宽度失真小于3ns。

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￥19.0512 / 个

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型号：ADUM2401BRWZ 编号：C579392

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

4通道数字隔离器基于iCoupler技术，结合高速CMOS和单片空心变压器技术，提供出色的性能，优于光耦合器等替代方案。通过避免使用LED和光电二极管，iCoupler器件消除了与光耦合器相关的设计难题。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特性消除了典型光耦合器对不确定电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响的担忧。此外，在可比的信号数据速率下，iCoupler器件的功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一

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￥49.4208 / 个

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型号：FOD8332V 编号：C899343

封装：SOP-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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￥21.28956 / 个

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型号：ADUM142E0BRQZ 编号：C215337

封装：QSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

是基于iCoupler技术的四通道数字隔离器。结合高速互补金属氧化物半导体（CMOS）和单片空心变压器技术，这些隔离组件具有优于光耦合器设备和其他集成耦合器等替代方案的出色性能。在5V工作电压下，最大传播延迟为13ns，脉冲宽度失真小于3ns，通道匹配度最高为3.0ns。数据通道相互独立，有多种配置可供选择，耐受电压额定值为3.0kV rms或3.75kV rms

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￥19.0512 / 个

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型号：ADUM1402BRWZ 编号：C579386

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

基于iCoupler技术的四通道数字隔离器，结合高速CMOS和单片空心变压器技术，性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管，消除了与光耦合器相关的设计难题，如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。无需外部驱动器和其他分立元件，在可比信号数据速率下，功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。提供四种独立的隔离通道，具有多种通道配置和数据速率，电源电压范围为2.7V至5.5V，可与低电压系统兼容，并实现隔离屏障上的电压转换功能

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￥38.5776 / 个

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型号：6N136SM 编号：C898983

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥3.29952 / 个

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型号：6N136TVM 编号：C898986

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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型号：6N136SVM 编号：C898984

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥3.63348 / 个

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型号：6N136SDVM 编号：C188655

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥3.73296 / 个

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型号：FOD8173TR2 编号：C899334

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8173 系列采用拉伸体 6 引脚小型塑料封装，由镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和 CMOS 检测器集成电路组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有图腾柱输出驱动器的电压比较器。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VDD 范围内得以保证。

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