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封装：SOIC-4-175mil

有一个GaAs红外发射二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：TCMT1103 编号：C553971

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚封装。元件安装在一个引线框架上，为最高安全要求提供输入和输出之间的固定距离。

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型号：CNY173SR2M 编号：C258247

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：HCPL-3150(AT) 编号：C48686296

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

HCPL-3150(AT)是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于：工业逆变器、不间断电源、开关电源、电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动。

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型号：SFH690ABT 编号：C3097773

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

SFH690ABT、SFH690AT、SFH690BT、SFH690CT、SFH690DT 系列产品采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在引脚间距为 100 密耳的 4 引脚迷你扁平封装中。其特点是电流传输比高、耦合电容低且隔离电压高。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：VOS618A-2T 编号：C5142127

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

具有GaAs红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在一个4引脚、50密耳引脚间距的迷你扁平封装中。它的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：CNY17F-3X007T 编号：C142631

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

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型号：AT3150-CUH-D 编号：C41398773

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于：工业逆变器、不间断电源、开关电源、电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动。

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型号：4N33M 编号：C4068

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：ELM611(TA) 编号：C42383364

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：APY212G1S 编号：C42444448

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMl 光电继电器是可靠且技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有显著优势，包括长寿命（机械和电气寿命无限制）、无触点弹跳开关、更高的开关速度和高频性能、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI）、无电弧、无触点弹跳和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可切换交流或直流负载以及小封装尺寸

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型号：TLP250(UMW) 编号：C53109739

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：SFH6106-4T 编号：C503261

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有砷化镓红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

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型号：AT3120-CuH-D 编号：C41367997

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT3120 是一种输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（ AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

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￥3.483 ￥3.87
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型号：APY221R2S 编号：C42444434

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光继电器具有长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、小封装尺寸等明显优势。

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￥2.11
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型号：AT213-CuH-D 编号：C42371495

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT213 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥3.582 ￥3.98
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型号：ACPL-W341(AT) 编号：C41415692

封装：SOP-6-W

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-W341(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。

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￥2.0045 ￥2.11

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型号：AT216-CuH-D 编号：C42371497

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT216 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥3.69 ￥4.1
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￥2.295 ￥2.55
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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C393891

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。

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￥3.9044 ￥9.08
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￥2.5014 ￥7.58
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￥1.5548 ￥6.76
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￥1.3409 ￥5.83
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￥1.2443 ￥5.41
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￥1.2006 ￥5.22

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型号：SL214M 编号：C5155352

封装：SMD-4P

品牌：Slkor(萨科微)

SL214X用于代替继电器许多应用。它使用GaAlAs LED发光来驱动控制和集成单片模具开关输出。用高压制造的模具介电隔离技术由以下部分组成光电二极管阵列、开关控制电路和光MOSFE开关耦合组成。

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￥3.96 ￥4.95
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￥3.584 ￥4.48
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￥3.376 ￥4.22
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￥3.152 ￥3.94
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型号：LTV-172G 编号：C38308119

封装：SOP-4

品牌：LITEON(光宝)

光宝科技（LITEON）的LTV - 172G由一个铝镓砷红外发射二极管和一个光电MOSFET光耦合而成，采用SOP4封装，适用于表面贴装组装。LTV - 172G适用于需要节省空间的电池管理系统。

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￥4.07
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￥3.3
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￥2.92
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￥2.54
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￥2.31
1000+
￥2.19

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型号：GAQY210E 编号：C7435136

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳切换。更高的速度和高频切换。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥4.22
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￥3.4
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￥2.99
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￥2.58
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￥2.33
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￥2.21

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C99487

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。

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￥4.29
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￥3.43
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￥2.99
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￥2.57
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￥2.31
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￥2.18

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型号：TLP5754(D4-TP4,E 编号：C38846771

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥4.29
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￥3.79
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￥3.53
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￥3.28
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￥3.13

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型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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