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首页 > 热门关键词 > 光耦
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    ¥1.0778
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  • 1000+

    ¥0.753034 ¥0.8011
  • 2000+

    ¥0.688738 ¥0.7327
  • 5000+

    ¥0.650104 ¥0.6916
  • 有货
  • AT6N137由一个850nm的AlGaAS LED组成,其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门,可快速输出。 广泛应用于:接地回路消除、LSTTL转TTL,LSTTL或5V CMOS、线路接收器,数据传输、开关电源、计算机外围接口。
    • 5+

      ¥1.37047 ¥1.4426
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      ¥1.217805 ¥1.2819
    • 150+

      ¥1.152445 ¥1.2131
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      ¥1.04652 ¥1.1016
    • 2000+

      ¥1.01023 ¥1.0634
    • 5000+

      ¥0.98838 ¥1.0404
  • 有货
  • OR - 852系列器件包含一个红外发光二极管,与一个高压光电达林顿探测器光耦合。这些器件采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5124
    • 50+

      ¥1.1947
    • 150+

      ¥1.0586
    • 500+

      ¥0.8887
    • 2000+

      ¥0.854
  • 有货
  • 特性:高电流传输比(CTR:IF = 1mA,VCE = 2V 时,最小值为 600%)。 输入输出之间的隔离电压为 3750Vrms。 采用双传输模塑技术。应用:要求高密度安装的混合基板
    数据手册
    • 5+

      ¥1.578
    • 50+

      ¥1.2655
    • 150+

      ¥1.1315
    • 500+

      ¥0.9644
  • 有货
  • AT6N139通过发光二极管和集成高增益光检测器提供输入与输出之间高电流传输比。0.5mA的LED电流在0-70°C的工作温度范围内可保证400%的最小电流传输比。可适用于CMOS、LSTTL或其他低功耗应用中。 广泛应用于:低输入电流接口、EIA RS-232C接口、117V交流电压状态指示器、低功耗系统–接地隔离
    • 1+

      ¥1.602 ¥1.78
    • 10+

      ¥1.395 ¥1.55
    • 45+

      ¥1.305 ¥1.45
    • 90+

      ¥1.197 ¥1.33
    • 495+

      ¥1.143 ¥1.27
    • 990+

      ¥1.116 ¥1.24
  • 有货
  • ATH11L2是由一个GaAs红外发射二极管和一个高速集成电路检测器组成。输出检波器内置施密特触发器,为抗噪和脉冲整形提供迟滞。高数据速率,典型频率为2MHZ;紧凑型双列直插式封装; 广泛应用于:逻辑隔离器、可编程电流电
    • 5+

      ¥1.60614 ¥1.7846
    • 50+

      ¥1.26594 ¥1.4066
    • 150+

      ¥1.12014 ¥1.2446
    • 1000+

      ¥0.93825 ¥1.0425
    • 2000+

      ¥0.85725 ¥0.9525
    • 5000+

      ¥0.80865 ¥0.8985
  • 有货
    • 1+

      ¥1.66
    • 10+

      ¥1.43
    • 30+

      ¥1.34
    • 100+

      ¥1.22
    • 500+

      ¥1.17
    • 1000+

      ¥1.14
  • 有货
  • FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6773
    • 50+

      ¥1.346
    • 150+

      ¥1.204
    • 1000+

      ¥0.8996
    • 2000+

      ¥0.8207
    • 5000+

      ¥0.7733
  • 有货
  • MOC3062SM是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。
    • 5+

      ¥1.75365 ¥1.9485
    • 50+

      ¥1.38627 ¥1.5403
    • 150+

      ¥1.22877 ¥1.3653
    • 1000+

      ¥1.0323 ¥1.147
    • 2000+

      ¥0.94482 ¥1.0498
    • 5000+

      ¥0.89235 ¥0.9915
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA、VCE = 5V时,最小值为50%。 高输入输出隔离电压(Viso = 5000Vrms)。 响应时间(tr):在VCE = 2V、Ic = 2mA、RL = 100Ω时,典型值为4μs。 双列直插封装:单通道、双通道、四通道类型。 宽引脚间距封装:单通道、双通道、四通道类型。 表面贴装封装:单通道、双通道、四通道类型。 卷带包装:单通道、双通道类型。 安全认证:UL / CSA / FIMKO / NEMKO / DEMKO / SEMKO / VDE认证。 符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7671
    • 50+

      ¥1.4471
    • 150+

      ¥1.31
    • 1000+

      ¥1.008
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管和一个红外 LED 光耦合在 SO4 封装中组成。保证高隔离电压 (3750 Vrms) 和宽工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.44
    • 100+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 6N136M 是一种用于单通道的高速光耦合器, 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光 电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接, 可以通过降低基极集电极电容, 使速度比传统 光电晶体管耦合器提高 100 倍。 广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。
    • 5+

      ¥1.942465 ¥2.0447
    • 50+

      ¥1.535485 ¥1.6163
    • 150+

      ¥1.361065 ¥1.4327
    • 500+

      ¥1.143515 ¥1.2037
    • 2500+

      ¥1.046615 ¥1.1017
    • 5000+

      ¥0.98838 ¥1.0404
  • 有货
  • 6N138M 是一种用于单通道的高速光耦合器, 由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组 成。广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。
    • 5+

      ¥1.94292 ¥2.1588
    • 50+

      ¥1.55736 ¥1.7304
    • 135+

      ¥1.39212 ¥1.5468
    • 495+

      ¥1.18602 ¥1.3178
    • 2520+

      ¥1.09422 ¥1.2158
    • 4995+

      ¥1.03905 ¥1.1545
  • 有货
  • 该可控硅输出光耦采用双向可控硅结构,最大正向电流为50mA,正向压降为1.2V,确保器件在多种负载条件下稳定工作。具备5kVrms的高隔离电压,提供出色的电气隔离性能,适用于电源管理、智能控制及家电电路等场景,可有效提升系统安全性与抗干扰能力。
    • 5+

      ¥2.05732 ¥2.1656
    • 50+

      ¥1.6264 ¥1.712
    • 150+

      ¥1.44172 ¥1.5176
    • 500+

      ¥1.21125 ¥1.275
    • 3000+

      ¥1.10865 ¥1.167
    • 6000+

      ¥1.04709 ¥1.1022
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.067
    • 50+

      ¥1.6492
    • 150+

      ¥1.4701
    • 1000+

      ¥1.1375
    • 2000+

      ¥1.038
  • 有货
  • HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距选项和弯引脚贴片(SMD)选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0741
    • 50+

      ¥1.6431
    • 150+

      ¥1.4583
    • 1000+

      ¥1.1766
    • 2000+

      ¥1.0739
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由一个与铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(-55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0847
    • 50+

      ¥1.6561
    • 150+

      ¥1.4725
    • 500+

      ¥1.2433
  • 有货
  • TLP385是一款高隔离型光电耦合器,采用4引脚SO6L封装,由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP385保证具有高隔离电压(5000 Vrms)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.2724 ¥2.47
    • 10+

      ¥1.7876 ¥2.18
    • 30+

      ¥1.476 ¥2.05
    • 100+

      ¥1.3608 ¥1.89
    • 500+

      ¥1.3104 ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.2816 ¥1.78
  • 有货
  • 由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装,保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此,该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.3
  • 有货
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.05
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.26
  • 有货
  • 6N137由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。其工作参数在 -55 °C 至 100 °C 的温度范围内得到保证。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.14
    • 40+

      ¥1.82
    • 80+

      ¥1.53
    • 480+

      ¥1.4
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • TLP183是一款低输入型光电晶体管耦合器,采用SO6封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP183保证了高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(Ta = -55至125 °C)。与DIP封装相比,TLP183体积更小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.72
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.52
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.29
  • 有货
  • 具有 GaAs 红外发射二极管发射器,光耦合到硅平面光电晶体管探测器,并封装在 4 引脚、间距为 100 mil 的小型扁平封装中。具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输,仅以卷带式包装提供,每卷 2000 个。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.19
    • 30+

      ¥1.96
    • 100+

      ¥1.6366 ¥1.67
    • 500+

      ¥1.3426 ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.274 ¥1.3
  • 有货
  • 输入类型:DC,数据速率: 10Mbit/s,隔离电压(rms): 3750V,共模瞬变抗扰度CMTI: 10kV/us, SOP5
    • 1+

      ¥2.763 ¥3.07
    • 10+

      ¥2.187 ¥2.43
    • 30+

      ¥1.944 ¥2.16
    • 100+

      ¥1.629 ¥1.81
    • 500+

      ¥1.494 ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.413 ¥1.57
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小且薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于如小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.87
    • 10+

      ¥2.29
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成,用于交流运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.33
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
  • 具有GaAs红外发射二极管发射器,该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合,并封装在4引脚、50密耳引脚间距的微型扁平封装中。它具有在低输入电流下的高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.88
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.13
    • 175+

      ¥1.57
    • 525+

      ¥1.42
  • 有货
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.38
    • 45+

      ¥2.1
    • 90+

      ¥1.75
    • 495+

      ¥1.59
    • 990+

      ¥1.5
  • 有货
  • 6N137由高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光电耦合器的输入端和输出端之间提供了良好的交流和直流隔离。光电检测器的输出特性为集电极开路的肖特基钳位晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.51
    • 1000+

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