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首页 > 热门关键词 > 威世雪崩二极管
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ESD 33V截止 峰值浪涌电流：3.8A@10/1000us
型号：SMF33A-E3-08 编号：C1972966
封装：SMF(DO-219AB)
品牌：VISHAY(威世)
特性：200 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度：接触放电 ±30 kV，空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型：H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻，出色的钳位能力。 “低噪声”技术，响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容
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双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.2A
型号：SMBJ5.0CA-E3/52 编号：C91161
封装：SMB(DO-214AA)
品牌：VISHAY(威世)
VBR=6.4V， Vc=9.2V， Ipp=65.2A 双向
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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：28.1A@10/1000us
    型号：SMCJ33CAHE3_A/H 编号：C1982701
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.3A@10/1000us
    型号：SMBJ36CAHE3_B/H 编号：C20037766
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有600 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线，保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响

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    单向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：57.7A@10/1000us
    型号：SMCJ15A-E3/57T 编号：C1974570
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

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    单向TVS 20.5V截止 峰值浪涌电流：45.2A@10/1000us
    型号：1.5SMC24A-E3/57T 编号：C1983063
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册

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    单向TVS 64V截止 峰值浪涌电流：14.6A
    型号：SMCJ64A-E3/57T 编号：C467977
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

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    单向ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：VBUS053AZ-HAF-GS08 编号：C506613
    封装：UFDFN-6-EP
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：超紧凑LLP75-7L封装。 低封装高度 < 0.6mm。 3线USB ESD保护，最大工作范围 = 5.5V。 VBUS保护，工作范围12V。 低泄漏电流。 低负载电容 CD = 0.7pF。 ESD抗扰度达到IEC 61000-4-2 ±15kV接触放电，±15kV空气放电。 浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3A。 e4-贵金属（如银、金、镍钯、镍钯金）（无锡）
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    双向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：35.6A@10/1000us
    型号：SMCJ26CA-E3/57T 编号：C232209
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    数据手册

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    单向TVS 171V截止 峰值浪涌电流：5.5A
    型号：1.5SMC200A-E3/9AT 编号：C3699302
    封装：DO-214AB(SMCJ)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。对于10/1000 μs波形，具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和闪电在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。

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    TPSMC6.8AHE3_B/H
    型号：TPSMC6.8AHE3_B/H 编号：C1982169
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
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    P4SMA47CAHE3_A/H
    型号：P4SMA47CAHE3_A/H 编号：C1979818
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
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    单向TVS 23.1V截止 峰值浪涌电流：40A
    型号：1.5KE27A-E3/54 编号：C506559
    封装：DO-27
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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    双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：VESD03A1B-HD1-GS08 编号：C968545
    封装：SOD-882
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：超紧凑LLP1006-2L封装。低封装高度 < 0.4mm。1线ESD保护。低泄漏电流 < 0.5μA。低负载电容 CD = 15pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ±30kV接触放电，±30kV空气放电。高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3.5A。可通过标准视觉检查进行焊接检查，无需X射线。引脚镀NiPdAu (e4)，无晶须生长。e4贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
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    • 10+

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    单向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：9.3A@10/1000us
    型号：SMBJ40A-E3/52 编号：C1973679
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
    数据手册

    • 5+

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    单向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：18.5A@10/1000us
    型号：SMBJ20A-E3/52 编号：C1973207
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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    SM6T6V8A-E3/52
    型号：SM6T6V8A-E3/52 编号：C511038
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    数据手册

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    单向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：14.3A@10/1000us
    型号：SMBJ26A-E3/52 编号：C1973127
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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    单向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：58.3A
    型号：SMBJ6.0A-E3/52 编号：C553974
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴片。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有600 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护IC、MOSFET和传感器单元信号线免受感性负载开关和雷击引起的电压瞬变影响
    数据手册

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    单向TVS 171V截止 峰值浪涌电流：2.2A
    型号：P6SMB200A-E3/52 编号：C515652
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs 波形下具有 600 W 峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线，保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响
    数据手册

    • 5+

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    • 50+

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    双向TVS 11V截止 峰值浪涌电流：22A@10/1000us
    型号：SMAJ10CA-E3/61 编号：C1973090
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.2A
    型号：SMBJ5.0A-E3/5B 编号：C3700342
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 可承受10/1000 μs波形的600 W峰值脉冲功率，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备免受感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响

    • 5+

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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：28.1A@10/1000us
    型号：SMCJ33CA-E3/57T 编号：C1973232
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

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    ESD 51V截止 峰值浪涌电流：2.4A@10/1000us
    型号：SMF51A-E3-08 编号：C1973411
    封装：SMF(DO-219AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：200 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度：接触放电 ±30 kV，空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型：H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻，出色的钳位能力。 “低噪声”技术，响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容
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    双向TVS 33V截止 峰值浪涌电流：11.3A
    型号：SMBJ33CA-E3/52 编号：C50669
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装，适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力（10/1000μs 波形，重复率 0.01%）。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、消费、计算机、工业和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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    双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：12.3A@10/1000us
    型号：SMAJ20CAHE3_A/H 编号：C5562453
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止因感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上产生的电压瞬变

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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：145A@10/1000us
    型号：SMCJ5.0A-E3/9AT 编号：C511537
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于保护敏感电子设备，防止因感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变。
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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：VBUS054B-HSF-GS08 编号：C506614
    封装：UFDFN-6-EP
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：超紧凑LLP75-6L封装。低封装高度 < 0.6mm。4线USB ESD保护。低泄漏电流。低负载电容 CD = 0.8pF。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ±15kV接触放电，±15kV空气放电。e4-贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
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    TPC36AHM3_A/H
    型号：TPC36AHM3_A/H 编号：C1974087
    封装：TO-277A
    品牌：VISHAY(威世)
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    VBUS05N1-DD1HG3-08
    型号：VBUS05N1-DD1HG3-08 编号：C3706330
    封装：DFN1006-2B
    品牌：VISHAY(威世)

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