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首页 > 热门关键词 > 威世雪崩二极管
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双向TVS 12.8V截止 峰值浪涌电流：70.8A@10/1000us
型号：1.5SMC15CA-E3/57T 编号：C1973779
封装：SMC(DO-214AB)
品牌：VISHAY(威世)
特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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  • 1+

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    ￥2.16
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    单向TVS 68.1V截止 峰值浪涌电流：16.3A@10/1000us
    型号：1.5SMC68A-E3/57T 编号：C1973648
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.71

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      ￥1.65
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    单向TVS 70V截止 峰值浪涌电流：13.3A
    型号：SMCJ70A-E3/9AT 编号：C1976167
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

    • 1+

      ￥6.09

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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：226A
    型号：SM8S18AHE3_A/I 编号：C511491
    封装：DO-218AB
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：结钝化优化设计，采用钝化各向异性整流技术。 结温可达175°C，适用于高可靠性和汽车应用要求。 仅提供单向极性。 低漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变，特别是用于汽车负载突降保护应用
    数据手册

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    单向TVS 28V截止 峰值浪涌电流：8.8A
    型号：SMAJ28A-E3/5A 编号：C1975235
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    • 5+

      ￥0.8201

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    双向TVS 28V截止 峰值浪涌电流：8.8A@10/1000us
    型号：SMAJ28CA-E3/61 编号：C1973617
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    SMAJ36AHE3_A/H
    型号：SMAJ36AHE3_A/H 编号：C1978402
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    数据手册

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      ￥1.0834

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    双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：4.4A@10/1000us
    型号：SMBJ85CA-E3/5B 编号：C1845211
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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    双向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：33.3A@10/1000us
    型号：SMAJ6.5CA-E3/61 编号：C1973093
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：GMF05LC-HSF-GS08 编号：C1976416
    封装：UFDFN-6-EP
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：超紧凑LLP75-6L封装。低封装高度 < 0.6mm。5线ESD保护。低泄漏电流 IR < 0.1 μA。在 VR = 0 V 时典型负载电容为43 pF。符合IEC 61000-4-2的ESD抗扰度：±30 kV接触放电，±30 kV空气放电。工作电压范围 VRWM = 5 V。贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
    数据手册

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    双向 33V 2.5A@8/20us
    型号：VCAN33A2-03G-E3-08 编号：C1851984
    封装：SOT-323
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：适用于CAN总线应用。小型SOT 323封装。最高结温T_J = 175 °C。2线ESD保护。工作范围± 33 V。低泄漏电流I_R < 0.05 μA。低负载电容C_D < 9.5 pF。符合IEC 61000 4 2标准的ESD抗扰度:接触放电± 30 kV,空气放电± 30 kV。符合AEC Q101的ESD能力:人体模型:H3B级:> 8 kV。e3引脚镀锡(Sn)。可提供AEC Q101认证
    数据手册

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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：21.7A@10/1000us
    型号：SMF5V0A-M3-08 编号：C1856665
    封装：SMF(DO-219AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：200 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度：接触放电 ±30 kV，空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型：H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻，出色的钳位能力。 “低噪声”技术，响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3502

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    单向TVS 171V截止 峰值浪涌电流：2.2A@10/1000us
    型号：P6KE200A-E3/73 编号：C241906
    封装：DO-204AC(DO-15)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 600W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。应用：用于保护敏感电子设备，防止因感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5218

    • 50+

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    • 150+

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    单向TVS 128V截止 峰值浪涌电流：2.9A
    型号：P6KE150A-E3/54 编号：C1975577
    封装：DO-15(DO-204AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下600 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 非常快速的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

    • 5+

      ￥1.5458

    • 50+

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      ￥1.144
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    SMAJ550-M3/61
    型号：SMAJ550-M3/61 编号：C1981152
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0968

    • 50+

      ￥1.6255

    • 150+

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    • 500+

      ￥1.1716
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    双向TVS 78V截止 峰值浪涌电流：11.9A
    型号：SMCJ78CA-E3/57T 编号：C1975379
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

    • 1+

      ￥2.12

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    单向TVS 33V截止 峰值浪涌电流：28.1A
    型号：SMCJ33A-E3/9AT 编号：C1975262
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

    • 1+

      ￥2.73

    • 10+

      ￥2.2

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    双向TVS 23.1V截止 峰值浪涌电流：40A@10/1000us
    型号：1.5KE27CA-E3/54 编号：C1975197
    封装：DO-27
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.67

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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：70A@10/1000us
    型号：SM5A27HM3/I 编号：C28248589
    封装：DO-218
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：结钝化优化设计，采用钝化各向异性整流器技术。 T(J) = 175℃ 能力，适用于高可靠性和汽车要求。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合 ISO 7637-2 浪涌规范。应用：用于敏感电子设备，防止由电感负载开关和闪电引起的电压瞬变，特别是用于汽车负载突降保护应用

    • 1+

      ￥10.38

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      ￥6.57
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    SM8S30AHM3/I
    型号：SM8S30AHM3/I 编号：C24283140
    封装：DO-218AB
    品牌：VISHAY(威世)

    • 1+

      ￥11.17

    • 10+

      ￥9.56

    • 30+

      ￥8.55

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      ￥7.05
  • 有货
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    双向ESD 7V 14V截止 峰值脉冲电流：5A@8/20us 2A@8/20us
    型号：VCUT0714A-HD1-GS08 编号：C192172
    封装：DFN1006-2L
    品牌：VISHAY(威世)
    VCUT0714A-HD1是一款双向但不对称（BiAs）的静电放电（ESD）保护器件，可将正、负过压瞬变钳位到地。VCUT0714A-HD1连接在信号或数据线与地之间，在-7 V至+14 V或-14 V至+7 V的指定工作范围内提供高隔离度（低漏电流、小电容）。由于采用了超小型LLP1006-2L封装，引脚短且封装尺寸小，线路电感非常低，因此能够以最小的过冲或下冲对静电放电等快速瞬变进行钳位。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4848

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    单向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：87A@8/20us
    型号：MSP3V3HM3/89A 编号：C241899
    封装：DO-219AD
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形：典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 氧化物平面芯片结。 仅单向极性。 峰值脉冲功率：150W（10/1000μs）。 ESD 能力：空气放电 15kV，接触放电 8kV。应用：用于敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响。 保护敏感设备免受瞬态过电压影响
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6637

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      ￥0.5173

    • 150+

      ￥0.4441

    • 500+

      ￥0.3892
  • 有货
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    单向TVS 30.8V截止 峰值浪涌电流：12A@10/1000us
    型号：TPSMB36AHE3_A/I 编号：C1980149
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
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    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：6.9A
    型号：SMAJ36A-E3/5A 编号：C962611
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。适合自动贴片。玻璃钝化芯片结。有单向和双向两种类型。10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%（78 V 以上为 300 W）。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止因电感负载切换和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线产生的电压瞬变
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    ESD 6V截止 峰值浪涌电流：19.4A@10/1000us
    型号：SMF6V0A-E3-08 编号：C968582
    封装：SMF
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：200 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。低轮廓封装。可进行波峰焊和回流焊。符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度：接触放电 ±30 kV，空气放电 ±30 kV。根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型：H3B1 类 > 8 kV。低增量浪涌电阻，出色的钳位能力。“低噪声”技术，响应时间非常快。可提供 AEC-Q101 认证。与 SOD-123w 封装外形或 SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容
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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：13.7A@10/1000us
    型号：SMAJ18A-E3/61 编号：C2927420
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 采用10/1000 μs波形时，具有400 W的脉冲峰值功率能力，重复率（占空比）：0.01%（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：20.5A
    型号：SMBJ18A-E3/52 编号：C435935
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
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    单向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：15.4A
    型号：SMBJ24A-E3/52 编号：C435936
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
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    单向TVS 28V截止 峰值浪涌电流：8.8A@8/20us
    型号：SMAJ28A-E3/61 编号：C1973934
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    双向TVS 48V截止 峰值浪涌电流：5.2A
    型号：SMAJ48CA-E3/61 编号：C1973118
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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