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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：28.1A@10/1000us
型号：SMCJ33CA-E3/57T 编号：C1973232
封装：SMC(DO-214AB)
品牌：VISHAY(威世)
特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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  • 5+

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    单向TVS 68.1V截止 峰值浪涌电流：16.3A@10/1000us
    型号：1.5SMC68A-E3/57T 编号：C1973648
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册

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    单向TVS 51V截止 峰值浪涌电流：18.2A@10/1000us
    型号：SMCJ51A-E3/57T 编号：C1973335
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：51.4A
    型号：SMCJ18CA-E3/57T 编号：C435940
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    双向
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    单向 171V 3.6A@10/1000us
    型号：1.5SMC200A-E3/57T 编号：C1973659
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：10A@10/1000us
    型号：SA30CA-E3/54 编号：C1973209
    封装：DO-15(DO-204AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：玻璃钝化芯片结。 单向和双向可用。 10/1000 μs波形下具有500 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
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    单向TVS 28.2V截止 峰值浪涌电流：32.8A@10/1000us
    型号：1.5SMC33A-E3/57T 编号：C1975402
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
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    单向TVS 9V截止 峰值浪涌电流：97.4A@10/1000us
    型号：SMCJ8.5A-E3/57T 编号：C1973802
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    TPSMB36AHE3_A/H
    型号：TPSMB36AHE3_A/H 编号：C1976174
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
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    单向TVS 40.2V截止 峰值浪涌电流：23.1A@10/1000us
    型号：1.5KE47A-E3/54 编号：C1973322
    封装：DO-27
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
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    TPSMC6.8AHE3_B/H
    型号：TPSMC6.8AHE3_B/H 编号：C1982169
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：VISHAY(威世)
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    P4SMA47CAHE3_A/H
    型号：P4SMA47CAHE3_A/H 编号：C1979818
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    数据手册

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    双向 28V 66.1A
    型号：SMC3K28CAHM3_A/H 编号：C3707482
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：双向。峰值脉冲功率：3000 W (10/1000 μs)；30 kW (8/20 μs)。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。符合 J-STD-020 标准，LF 最大峰值为 260℃。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷电在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。符合 ISO 7637-2:2011 脉冲 1、脉冲 2a、脉冲 3a、脉冲 3b 和 ISO 16750-2 脉冲 b 的标准

    • 1+

      ￥4.75

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    SM8S33CAHM3/I
    型号：SM8S33CAHM3/I 编号：C20036947
    封装：DO-218AB
    品牌：VISHAY(威世)

    • 1+

      ￥30.05

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    单向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：9.3A@10/1000us
    型号：SMBJ40A-E3/52 编号：C1973679
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
    数据手册

    • 5+

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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：13.7A@10/1000us
    型号：SMAJ18A-E3/61 编号：C2927420
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 采用10/1000 μs波形时，具有400 W的脉冲峰值功率能力，重复率（占空比）：0.01%（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6425

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    单向TVS 188V截止 峰值浪涌电流：2A@10/1000us
    型号：SMBJ188A-E3/52 编号：C1973355
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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    • 5+

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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：8.3A@10/1000us
    型号：SMAJ30CAHE3_A/H 编号：C1666027
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：20.5A
    型号：SMBJ18A-E3/52 编号：C435935
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    单向
    数据手册

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    SMAJ16AHE3_A/H
    型号：SMAJ16AHE3_A/H 编号：C1978393
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    数据手册

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    单向TVS 13V截止 峰值浪涌电流：18.6A@10/1000us
    型号：SMAJ12AHE3_A/H 编号：C1666019
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    单向TVS 100V截止 峰值浪涌电流：3.7A@10/1000us
    型号：SMBJ100A-E3/52 编号：C1974199
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备，保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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    • 5+

      ￥0.8407

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    双向TVS 10V截止 峰值浪涌电流：35.3A
    型号：SMBJ10CA-E3/52 编号：C466994
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低剖面封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 采用10/1000 μs波形时，峰值脉冲功率能力为600 W，重复率（占空比）为0.01%。 出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止因电感负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变，应用于消费、计算机、工业和电信领域。
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      ￥0.8443

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    双向TVS 11V截止 峰值浪涌电流：22A@10/1000us
    型号：SMAJ10CA-E3/61 编号：C1973090
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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      ￥0.5063

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：16.4A
    型号：SMAJ15CA-E3/61 编号：C962580
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低外形封装。适合自动贴片。玻璃钝化芯片结。有单向和双向两种类型。10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%（78 V 以上为 300 W）。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止因电感负载切换和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线产生的电压瞬变
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    双向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：38.8A
    型号：SMAJ6.0CA-E3/61 编号：C435929
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    双向
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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：43.5A
    型号：SMAJ5.0AHE3_A/H 编号：C1979045
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    ESD 22V截止 峰值浪涌电流：5.6A
    型号：SMF22A-HE3-08 编号：C1973936
    封装：SMF(DO-219AB)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：200 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。 低外形封装。 可波峰焊和回流焊。 符合 IEC 61000-4-2 的 ESD 抗扰度：接触放电 ±30 kV，空气放电 ±30 kV。 根据 AEC-Q101 的 ESD 能力：人体模型：H3B 类 > 8 kV。 低增量浪涌电阻，出色的钳位能力。 “低噪声”技术，响应时间极快。 可提供 AEC-Q101 认证产品。 与 SOD-123w 封装外形、SOD-123F 和 SOD-123FL 兼容
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    双向TVS 188V截止 峰值浪涌电流：910mA
    型号：SMAJ188CA-E3/61 编号：C1974946
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。 出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
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    ESD 15V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：GSOT15C-G3-08 编号：C1981828
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：双线ESD保护器件。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2，接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV。ESD能力符合AEC-Q101：人体模型，H3B级：>8kV。节省空间的SOT-23封装。e3-Sn。可提供AEC-Q101认证
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