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首页 > 热门关键词 > 威世ESD二极管
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特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备,保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
数据手册
  • 5+

    ¥1.394
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    ¥1.0835
  • 150+

    ¥0.9504
  • 750+

    ¥0.7844
  • 2250+

    ¥0.7104
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    • 150+

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      ¥0.9608
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      ¥0.8828
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下600 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快速的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7532
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      ¥1.4574
    • 500+

      ¥1.3467
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 浪涌电阻增量低。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变,应用于消费、计算机、工业、汽车和电信领域。
    数据手册
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      ¥1.9512
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    • 150+

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      ¥0.9489
  • 有货
  • 特性:超紧凑LLP1006-2L封装。低封装高度 < 0.4mm。1线ESD保护。低泄漏电流 < 0.5μA。低负载电容 CD = 15pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ±30kV接触放电,±30kV空气放电。高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3.5A。可通过标准视觉检查进行焊接检查,无需X射线。引脚镀NiPdAu (e4),无晶须生长。e4贵金属(如Ag、Au、NiPd、NiPdAu)(无Sn)
    数据手册
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      ¥0.3796
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      ¥0.3072
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  • 有货
  • 单向
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      ¥0.7567
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    • 2250+

      ¥0.389215 ¥0.4097
    • 5250+

      ¥0.36651 ¥0.3858
  • 有货
  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的敏感电子设备,保护其免受感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
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      ¥0.7755
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  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01 %(78 V以上为300 W)。 出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
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    • 5400+

      ¥0.448742 ¥0.4579
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01 %(78 V 以上为 300 W)。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止因电感负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变。
    数据手册
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    • 50+

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      ¥0.5637
  • 有货
  • 特性:双线ESD保护器件。ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2,接触放电 ±30kV,空气放电 ±30kV。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型,H3B级:>8kV。节省空间的SOT-23封装。e3-Sn。可提供AEC-Q101认证
    数据手册
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      ¥1.0717
    • 50+

      ¥0.8449
    • 150+

      ¥0.7477
    • 500+

      ¥0.6265
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有600 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线,保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响
    • 5+

      ¥1.2423
    • 50+

      ¥0.9679
    • 150+

      ¥0.8503
    • 750+

      ¥0.682492 ¥0.7036
    • 2250+

      ¥0.619054 ¥0.6382
    • 5250+

      ¥0.58103 ¥0.599
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下600 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快速的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥1.333
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      ¥1.1573
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  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0441
    • 50+

      ¥1.5845
    • 150+

      ¥1.3875
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
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      ¥1.84
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      ¥1.45
  • 有货
  • 特性:低轮廓封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1749
    • 50+

      ¥1.6904
    • 150+

      ¥1.4827
  • 有货
  • 特性:超紧凑LLP75-7L封装。 低封装高度 < 0.6mm。 3线USB ESD保护,最大工作范围 = 5.5V。 VBUS保护,工作范围12V。 低泄漏电流。 低负载电容 CD = 0.7pF。 ESD抗扰度达到IEC 61000-4-2 ±15kV接触放电,±15kV空气放电。 浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3A。 e4-贵金属(如银、金、镍钯、镍钯金)(无锡)
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3312
    • 50+

      ¥1.8515
    • 150+

      ¥1.6459
    • 500+

      ¥1.186584 ¥1.2108
    • 3000+

      ¥1.074668 ¥1.0966
    • 6000+

      ¥1.007538 ¥1.0281
  • 有货
  • 特性:低剖面封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 10/1000 ps波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止由电感负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3789
    • 50+

      ¥1.8885
    • 150+

      ¥1.6784
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.76
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.58
    • 30+

      ¥3.37
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥3.03
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs 波形下的峰值脉冲功率能力为 1500 W,重复率(占空比)为 0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。应用:用于保护敏感电子设备,防止由电感负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.38
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.06
    • 100+

      ¥2.5676 ¥2.62
    • 500+

      ¥2.303 ¥2.35
    • 1400+

      ¥2.1756 ¥2.22
  • 有货
  • 特性:超紧凑LLP75-6L封装。低封装高度 < 0.6mm。5线ESD保护。低泄漏电流 IR < 0.1 μA。在 VR = 0 V 时典型负载电容为43 pF。符合IEC 61000-4-2的ESD抗扰度:±30 kV接触放电,±30 kV空气放电。工作电压范围 VRWM = 5 V。贵金属(如Ag、Au、NiPd、NiPdAu)(无Sn)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.368864 ¥1.1527
    • 50+

      ¥0.325312 ¥1.0166
    • 150+

      ¥0.306656 ¥0.9583
    • 500+

      ¥0.28336 ¥0.8855
    • 3000+

      ¥0.272992 ¥0.8531
    • 6000+

      ¥0.266752 ¥0.8336
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 10/1000 μs 波形下 400 W 峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01 %(78 V 以上为 300 W)。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止因感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.747
    • 50+

      ¥0.5976
    • 150+

      ¥0.5228
    • 500+

      ¥0.4668
  • 有货
  • 特性:低剖面封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。应用:用于敏感电子设备,保护其免受由感性负载开关和照明在 IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9052
    • 50+

      ¥0.7013
    • 150+

      ¥0.614
    • 500+

      ¥0.505
  • 有货
  • 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9487
    • 50+

      ¥0.7701
    • 150+

      ¥0.6807
  • 有货
  • 特性:低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。600 W 峰值脉冲功率能力,10/1000 μs 波形,重复率(占空比):0.01%。出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由电感负载开关和雷击在 IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9666
    • 50+

      ¥0.7665
    • 150+

      ¥0.6665
    • 750+

      ¥0.53226 ¥0.5914
    • 2250+

      ¥0.47826 ¥0.5314
    • 5250+

      ¥0.45126 ¥0.5014
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 可承受10/1000 μs波形的600 W峰值脉冲功率,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备免受感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变影响
    • 5+

      ¥0.9695
    • 50+

      ¥0.7556
    • 150+

      ¥0.6487
    • 500+

      ¥0.5685
  • 有货
  • 特性:低外形封装。适合自动贴片。玻璃钝化芯片结。有单向和双向两种类型。10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%(78 V 以上为 300 W)。出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止因电感负载切换和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线产生的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9782
    • 50+

      ¥0.7736
    • 150+

      ¥0.6859
    • 500+

      ¥0.5765
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向类型。 10/1000 μs 波形下 600 W 峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于保护敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET 以及消费、计算机、工业和电信领域传感器单元信号线上产生的电压瞬变。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1046
    • 50+

      ¥0.8788
    • 150+

      ¥0.7821
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有600 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。应用:用于消费、计算机、工业和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线,保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响
    • 5+

      ¥1.2737
    • 50+

      ¥0.9992
    • 150+

      ¥0.8816
    • 750+

      ¥0.7349
    • 2250+

      ¥0.6695
    • 5250+

      ¥0.6303
  • 订货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 单双向可选。 出色的钳位能力。 响应时间极快。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4058
    • 50+

      ¥1.0912
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