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首页 > 热门关键词 > AOS二极管
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使用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
数据手册
  • 5+

    ¥1.8805
  • 50+

    ¥1.5125
  • 150+

    ¥1.3549
  • 500+

    ¥1.1581
  • 有货
    • 1+

      ¥2.19
    • 10+

      ¥1.9
    • 30+

      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • AOZ2261NQI-11 是一款高效、易用的同步降压调节器,支持2.7V到28V的宽输入电压范围,可提供8A的连续输出电流,输出电压可调至0.6V。该设备采用专有的恒定导通时间PWM控制,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。此外,还具有多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、过压保护、短路保护和热关断。
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.68
    • 30+

      ¥4.14
    • 100+

      ¥3.6
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.11
  • 有货
    • 1+

      ¥6.51
    • 10+

      ¥5.38
    • 30+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.26
  • 有货
  • AOZ1212是一款高效率、易于使用的3A降压调节器,适用于多种应用。其输入电压范围为4.5V至27V,输出电压可调至0.8V,内置70mΩ的NFET,最高效率可达95%。具有内部软启动、逐周期电流限制、短路保护和热关断功能。封装形式为SO-8或DFN-8,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.83
    • 10+

      ¥5.54
    • 30+

      ¥4.89
    • 100+

      ¥4.25
    • 500+

      ¥3.86
    • 1000+

      ¥3.66
  • 有货
  • AO6401,TSOP-6/TSOP-6
    数据手册
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥6.36
    • 30+

      ¥5.97
    • 100+

      ¥5.57
    • 500+

      ¥5.38
  • 有货
    • 1+

      ¥9.16
    • 10+

      ¥8.35
    • 50+

      ¥7.83
    • 100+

      ¥7.31
    • 500+

      ¥7.07
    • 1000+

      ¥6.97
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至0.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6275
    • 50+

      ¥0.4931
    • 150+

      ¥0.4259
    • 500+

      ¥0.3755
  • 有货
  • P沟道,-30V,-2.6A,115mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6398
    • 50+

      ¥0.5126
    • 150+

      ¥0.4489
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6871
    • 50+

      ¥0.5418
    • 150+

      ¥0.4692
    • 500+

      ¥0.4147
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9803
    • 50+

      ¥0.7777
    • 150+

      ¥0.6909
    • 500+

      ¥0.5826
  • 有货
  • AON7466将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的高端开关及通用应用。符合RoHS标准且无卤
    • 5+

      ¥1.1348
    • 50+

      ¥0.9983
    • 150+

      ¥0.9398
    • 500+

      ¥0.8668
  • 有货
  • Trench Power AlphaMOS (aMOS LV) 技术。 低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 高电流能力。 符合 RoHS 和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2658
    • 50+

      ¥0.9812
    • 150+

      ¥0.8592
    • 500+

      ¥0.707
  • 有货
    • 5+

      ¥1.3678
    • 50+

      ¥1.184
    • 150+

      ¥1.1052
    • 500+

      ¥1.0069
  • 有货
  • 使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷,适用于作为负载开关或在 PWM 应用中使用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.447
    • 50+

      ¥1.1446
    • 150+

      ¥1.015
    • 500+

      ¥0.8533
  • 有货
  • N沟道,200V,3.8A,0.7Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.4725 ¥4.75
    • 10+

      ¥0.8127 ¥3.87
    • 30+

      ¥0.3773 ¥3.43
    • 100+

      ¥0.33 ¥3
    • 500+

      ¥0.3014 ¥2.74
    • 1000+

      ¥0.286 ¥2.6
  • 有货
  • MOSFETN-CH30V22ATO252
    数据手册
    • 1+

      ¥2.15
    • 10+

      ¥1.86
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.51
  • 有货
  • AO6403采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和极低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    • 5+

      ¥1.027
    • 50+

      ¥0.8153
    • 150+

      ¥0.7246
    • 500+

      ¥0.6114
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1332
    • 50+

      ¥0.9799
    • 150+

      ¥0.9142
    • 500+

      ¥0.8322
  • 有货
    • 1+

      ¥1.1953
    • 10+

      ¥1.0336
    • 30+

      ¥0.9643
    • 100+

      ¥0.8778
    • 500+

      ¥0.8393
    • 1000+

      ¥0.8162
  • 有货
    • 5+

      ¥1.4523
    • 50+

      ¥1.4235
    • 150+

      ¥1.4043
    • 500+

      ¥1.3852
  • 有货
  • N沟 100V 11A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.45
    • 50+

      ¥1.95
    • 150+

      ¥1.73
  • 有货
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.06
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.49
    • 500+

      ¥1.35
  • 有货
  • 使用沟槽 MOSFET 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.58
  • 有货
    • 1+

      ¥2.83
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.6
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • 最新的沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻(RDS(on))
    数据手册
    • 1+

      ¥3.09
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.8
    • 500+

      ¥1.65
  • 有货
  • Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free Compliant
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.88
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.46
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.89
  • 有货
    • 3000+

      ¥3.50493
    • 6000+

      ¥3.44344
    • 9000+

      ¥3.38195
    N沟道,75V,100A,10.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥3.79
    • 50+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.71
  • 有货
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