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MOSFET2N-CH30V6ADFN3X3EP
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  • 50+

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  • 2500+

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  • 5000+

    ¥0.908
  • 有货
  • N沟道,30V,13A,11.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.07
    • 10+

      ¥1.82
    • 30+

      ¥1.71
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      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.52
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
    • 1+

      ¥4.07
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      ¥3.33
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      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.6
    • 500+

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    • 1000+

      ¥2.26
  • 有货
  • 最新的沟槽功率AlphaMOS (aMOS MV) 技术。极低的导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 1+

      ¥5.36
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.15
    • 100+

      ¥3.74
    • 500+

      ¥3.5
  • 有货
  • N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9046
    • 50+

      ¥0.7198
    • 150+

      ¥0.6274
    • 500+

      ¥0.5581
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥0.9769
    • 50+

      ¥0.7503
    • 150+

      ¥0.6533
    • 500+

      ¥0.5322
    • 3000+

      ¥0.4782
  • 有货
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      ¥1.0549
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      ¥0.8432
    • 150+

      ¥0.7525
    • 500+

      ¥0.6393
    • 2500+

      ¥0.5889
  • 有货
  • AOz8808是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护HDMI 1.4/2.0、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网等高速数据线免受静电放电(ESD)事件的损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1719
    • 50+

      ¥0.9326
    • 150+

      ¥0.83
    • 500+

      ¥0.702
    • 3000+

      ¥0.645
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2499
    • 50+

      ¥1.0819
    • 150+

      ¥1.0099
    • 500+

      ¥0.92
    • 2500+

      ¥0.88
  • 有货
  • N沟 30V 8.5A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3261
    • 50+

      ¥1.0515
    • 150+

      ¥0.9338
    • 500+

      ¥0.787
    • 3000+

      ¥0.7216
  • 有货
    • 5+

      ¥1.332
    • 50+

      ¥1.0843
    • 150+

      ¥0.9782
    • 500+

      ¥0.8457
  • 有货
  • N沟道,60V,37A,20mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.97
    • 10+

      ¥1.93
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.88
  • 有货
  • 最新沟槽功率AlphaMOS(aMOS LV)技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具备极低的导通电阻RDS(ON)
    • 5+

      ¥2.1745
    • 50+

      ¥1.6877
    • 150+

      ¥1.4791
    • 500+

      ¥1.2189
  • 有货
    • 1+

      ¥2.77
    • 10+

      ¥2.2
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.51
    • 1000+

      ¥1.43
  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    • 5+

      ¥2.986
    • 50+

      ¥2.485
    • 150+

      ¥2.2702
    • 500+

      ¥2.0023
    • 3000+

      ¥1.883
  • 有货
  • N沟 20V 20A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.84
  • 有货
  • P沟 30V 17A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.79
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.49
    • 500+

      ¥2.14
  • 有货
  • AOZ2261AQI-15 是一款高效率、易于使用的同步降压调节器,输入电压范围为4V至28V,可提供8A连续输出电流,输出电压可调低至0.8V。采用恒定导通时间PWM控制,具有快速瞬态响应和相对恒定的开关频率。具备多种保护功能,包括欠压锁定、逐周期限流、过压保护、短路保护和热关断。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.09
    • 10+

      ¥4.96
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.51
    • 1000+

      ¥3.34
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻、输入电容和输出电容组合,可将传导和开关功率损耗降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    • 1+

      ¥6.13
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.45
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.56
  • 有货
    • 1+

      ¥6.8
    • 10+

      ¥5.51
    • 30+

      ¥4.86
    • 100+

      ¥4.22
    • 500+

      ¥3.83
    • 1000+

      ¥3.63
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.06
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • 采用Trench Power AlphaSGT技术,具有低RDS(ON)、逻辑电平栅极驱动、ESD保护、出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积(FOM),符合RoHS和无卤标准。VDS为60V,Ip(在VGS = 10V时)为9.5A,RDS(ON)(在VGS = 10V时)<14.5mΩ,RDS(ON)(在VGS = 4.5V时)<19mΩ。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.93
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.48
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.2
  • 有货
    • 1+

      ¥7.95
    • 10+

      ¥6.33
    • 30+

      ¥5.43
  • 有货
    • 5+

      ¥0.21543 ¥0.7181
    • 50+

      ¥0.11194 ¥0.5597
    • 150+

      ¥0.04805 ¥0.4805
    • 500+

      ¥0.04211 ¥0.4211
    • 3000+

      ¥0.03736 ¥0.3736
    • 6000+

      ¥0.03498 ¥0.3498
  • 有货
  • P-ChannelMOSFET
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8967
    • 50+

      ¥0.6951
    • 150+

      ¥0.6087
    • 500+

      ¥0.5009
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻RDS(ON)
    • 5+

      ¥1.4121
    • 50+

      ¥1.1299
    • 150+

      ¥1.0089
    • 500+

      ¥0.858
  • 有货
  • N沟道,20V,7A,20mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5313
    • 50+

      ¥1.2188
    • 150+

      ¥1.0849
    • 500+

      ¥0.9178
  • 有货
    • 5+

      ¥1.9086
    • 50+

      ¥1.5461
    • 150+

      ¥1.3907
    • 500+

      ¥1.1138
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反向传输电容(Crss),以及有保证的雪崩能力,这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥5.19
    • 30+

      ¥4.86
    • 100+

      ¥4.48
    • 500+

      ¥4.32
    • 1000+

      ¥4.24
  • 有货
  • 双N沟 20V 7A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.330176 ¥1.3856
    • 50+

      ¥0.946602 ¥1.1007
    • 150+

      ¥0.743812 ¥0.9787
    • 500+

      ¥0.627988 ¥0.8263
    • 3000+

      ¥0.57646 ¥0.7585
    • 6000+

      ¥0.545528 ¥0.7178
  • 有货
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