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首页 > 热门关键词 > AOS二极管
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  • AON7466将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的高端开关及通用应用。符合RoHS标准且无卤
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      ¥0.8125
  • 有货
  • Trench Power AlphaMOS (aMOS LV) 技术。 低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 高电流能力。 符合 RoHS 和无卤标准
    数据手册
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      ¥1.0219
    • 150+

      ¥0.9
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      ¥0.7478
  • 有货
  • 使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷,适用于作为负载开关或在 PWM 应用中使用。
    数据手册
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      ¥1.459
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    • 150+

      ¥1.027
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      ¥0.8653
  • 有货
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      ¥1.3153
    • 150+

      ¥1.2365
    • 500+

      ¥1.1382
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
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      ¥1.3422
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      ¥1.191
  • 有货
  • MOSFETN-CH30V22ATO252
    数据手册
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      ¥1.55
  • 有货
  • N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V
    数据手册
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    • 50+

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    • 150+

      ¥0.3726
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS标准且无卤
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4437
    • 100+

      ¥0.3582
    • 300+

      ¥0.3154
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤标准
    • 5+

      ¥1.1452
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      ¥0.842
    • 500+

      ¥0.7285
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
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      ¥1.2982
    • 50+

      ¥1.1449
    • 150+

      ¥1.0792
    • 500+

      ¥0.9973
  • 有货
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      ¥1.2077
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      ¥1.1384
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      ¥1.0519
    • 500+

      ¥1.0134
    • 1000+

      ¥0.9903
  • 有货
  • 使用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0168
    • 50+

      ¥1.6062
    • 150+

      ¥1.4303
    • 500+

      ¥1.2107
  • 有货
  • N-CH 60V 16.5A
    数据手册
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    • 50+

      ¥1.88
    • 150+

      ¥1.67
    • 500+

      ¥1.4
  • 有货
  • Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free Compliant
    数据手册
    • 1+

      ¥2.75
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      ¥1.93
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      ¥1.62
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      ¥1.34
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  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
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    • 500+

      ¥0.377
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.5807
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  • MOS管AON3414_10.5A_30V_N_DFN3x3_AOS
    数据手册
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    • 150+

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      ¥0.6783
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  • N沟道,30V,3.5A,50mΩ@10V
    数据手册
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      ¥0.7093 ¥1.73
    • 1000+

      ¥0.6929 ¥1.69
  • 有货
  • N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
    数据手册
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      ¥0.888 ¥1.48
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      ¥0.822 ¥1.37
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      ¥0.792 ¥1.32
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      ¥0.774 ¥1.29
  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术 在4.5V栅源电压(VGS)下具有极低的导通电阻RDS(ON)
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    • 50+

      ¥1.0347
    • 150+

      ¥0.9137
    • 500+

      ¥0.7628
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源(SMPS)中的高端开关和通用应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2006
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      ¥1.5526
    • 500+

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  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。符合RoHS和无卤标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3006
    • 50+

      ¥1.8218
    • 150+

      ¥1.6166
    • 500+

      ¥1.3606
  • 有货
  • 直插件,t220还是t20
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥1.94
    • 50+

      ¥1.7
    • 100+

      ¥1.41
    • 500+

      ¥1.27
  • 有货
  • N沟道,200V,3.8A,0.7Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66 ¥4.75
    • 10+

      ¥2.1672 ¥3.87
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      ¥1.9208 ¥3.43
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      ¥1.5344 ¥2.74
    • 1000+

      ¥1.456 ¥2.6
  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.78
    • 10+

      ¥2.22
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.67
    • 500+

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