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AOZ8904CIL是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)和雷击影响。
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    ¥0.3297
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  • 最新的AlphalGBT (α IGBT) 技术。650V击穿电压。非常快速且软恢复的续流二极管。高效的导通di/dt可控性。低VCE/SAT实现高效率。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能。高短路耐受能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
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      ¥5.8
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    • 30+

      ¥2.7
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      ¥2.38
  • 有货
  • 最新的AlphaIGBT(α IGBT)技术。击穿电压650V。续流二极管恢复速度极快且特性柔和
    数据手册
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      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.6
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      ¥1.85
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  • AOZ8808是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护HDMI 1.4/2.0、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网等高速数据线免受静电放电(ESD)事件的损害。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1818
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  • AOZ8231A是一款单线路双向瞬态电压抑制二极管,旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电(ESD)的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个瞬态电压抑制(TVS)二极管。它可用于满足EC 61000 - 4 - 2标准4级(±15kV空气放电、±8kV接触放电)的静电放电抗扰度要求
    数据手册
    • 10+

      ¥0.219
    • 100+

      ¥0.2135
    • 300+

      ¥0.2098
    • 1000+

      ¥0.2061
  • 有货
  • 采用最新的Alpha/GBT (alGBT)技术。击穿电压为650V。具有非常快速和软恢复的续流二极管。高效的开通di/dt可控性。非常高的开关速度。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能
    • 1+

      ¥19.12
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  • AOZ8231A是一款单线路双向瞬态电压抑制二极管,旨在保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和静电放电(ESD)的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个瞬态电压抑制(TVS)二极管。它可用于满足EC 61000 - 4 - 2标准4级(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)的ESD抗扰度要求。AOZ8231A采用符合RoHS标准、无卤的DFN 1.0 mm×0.6 mm封装,额定环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。超小型1.0 mm×0.6 mm×0.5 mm DFN封装使其非常适合印刷电路板(PCB)空间有限的应用。其尺寸小且具备高ESD防护能力,使其成为保护电压敏感型电子设备免受高瞬态条件和ESD影响的理想选择。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4483
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      ¥0.4397
    • 150+

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      ¥8.04
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      ¥7.7
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  • AOZ8802ADI是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护HDMI、MDDI、USB、SATA和千兆以太网等高速数据线免受破坏性静电放电(ESD)事件的影响。
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    • 1+

      ¥1.1584
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    • 30+

      ¥1.1173
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  • AOZ8131是一款超低电容的单线路双向瞬态电压抑制二极管,旨在保护高速数据线和电压敏感型电子设备免受高瞬态状况和静电放电(ESD)的影响。该器件在超小型DFN 1006封装中集成了一个TVS二极管。它可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级(±15KV空气放电、±8KV接触放电)的ESD抗扰度要求。AOZ8131采用符合RoHS标准的DFN 1006封装,额定环境温度范围为 - 40℃至 + 85℃。1.0×0.6×0.5mm的超小型DFN封装使其非常适合印刷电路板(PCB)空间有限的应用。其小巧的尺寸和高ESD保护能力使其成为保护电压敏感型电子设备免受高瞬态状况和ESD影响的理想选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48
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      ¥4.31
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  • 是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护高速数据线(如HDMI、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网)免受破坏性ESD事件的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态引导至电源线的正端或接地。提供典型的线间电容为0.3pF,在高达6GHz的频率下具有低插入损耗,可提供更高的信号完整性,非常适合HDMI 1.3或USB 3.0应用,如数字电视、DVD播放器、计算机、机顶盒以及移动计算设备中的MDDI应用
    数据手册
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      ¥1.485
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