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  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准
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  • 采用沟槽功率AlphaSGTTM技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行优化。符合RoHS和无卤标准
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      ¥0.7994
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      ¥0.7012
  • 有货
  • AO6400采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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      ¥0.9288
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      ¥0.8208
    • 500+

      ¥0.6861
  • 有货
  • AOH3106 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光等领域的升压转换器和同步整流器。
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      ¥1.1858
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      ¥1.0264
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      ¥0.8729
  • 有货
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    • 50+

      ¥1.1917
    • 150+

      ¥1.1742
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC/DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力,该器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

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  • N沟道,20V,0.9A,300mΩ@4.5V
    数据手册
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      ¥1.4622
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      ¥1.1364
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      ¥0.9967
  • 有货
  • 最新的沟槽功率Alpha/MOS-II技术。低导通电阻RDS(ON)。低输入电容Ciss和反向传输电容Cros。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
    • 1+

      ¥1.77
    • 10+

      ¥1.53
    • 50+

      ¥1.43
    • 100+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • 使用沟槽 MOSFET 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.92
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      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.88
  • 有货
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      ¥2.21
    • 10+

      ¥2.16
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      ¥2.13
    • 100+

      ¥2.1
  • 有货
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      ¥2.2119
    • 50+

      ¥1.756
    • 150+

      ¥1.5606
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力,这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 1+

      ¥2.63
    • 10+

      ¥2.32
    • 50+

      ¥2.16
    • 100+

      ¥2.01
    • 500+

      ¥1.91
  • 有货
  • N沟道,100V,14A,68mΩ@10V
    数据手册
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  • N沟道
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    • 50+

      ¥16.04
    • 100+

      ¥14.24
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 0.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3945
    • 50+

      ¥0.3869
    • 150+

      ¥0.3819
  • 有货
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    • 50+

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    • 500+

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  • 有货
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    • 50+

      ¥0.6673
    • 150+

      ¥0.5881
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥0.8757
    • 50+

      ¥0.7005
    • 150+

      ¥0.6129
    • 500+

      ¥0.5472
  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤要求
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      ¥0.9513
    • 50+

      ¥0.7384
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      ¥0.6471
    • 500+

      ¥0.5333
  • 有货
  • P沟 30V 5A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0449
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      ¥0.8131
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      ¥0.7137
    • 500+

      ¥0.5898
  • 有货
  • N沟道,30V,12A,9.8mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2439
    • 50+

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    • 150+

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    • 50+

      ¥1.2621
    • 150+

      ¥1.1061
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      ¥0.9114
  • 有货
  • AO6404采用先进的沟槽技术,可提供出色的R_DS(ON)、低栅极电荷,并且在低至1.8V的栅极电压下仍能工作,同时保持12V的V_GS(MAX)额定值。该器件具备静电放电保护功能。
    数据手册
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    • 50+

      ¥1.3867
    • 150+

      ¥1.2153
    • 500+

      ¥1.0015
    • 3000+

      ¥0.9063
    • 6000+

      ¥0.8491
  • 订货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻(RDS(ON))。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准。具备ESD保护功能
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥1.78
    • 30+

      ¥1.68
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      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.46
  • 有货
  • MOSFET2N-CH30V6ADFN3X3EP
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    • 150+

      ¥1.6223
    • 500+

      ¥1.3932
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和保证的雪崩能力,该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

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      ¥1.76
    • 150+

      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.28
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