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  • 沟槽功率MOSFET技术 低漏源导通电阻RDS(ON)
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  • 采用沟槽功率AlphaSGTTM技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行优化。符合RoHS和无卤标准
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  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
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  • Trench Power MV MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化。ESD保护。符合RoHS和无卤标准
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      ¥2.39
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  • 使用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss组合,可将传导和开关功率损耗降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
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  • 采用先进的沟槽MOSFET技术,封装尺寸为DFN 1.0 x 0.6,适用于负载开关应用。
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  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。两个MOSFET组成紧凑高效的开关和同步整流器组合,用于降压转换器。
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  • 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻。符合RoHS和无卤标准
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  • P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V
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  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电阻。非常适合用作CPU核心电源转换中的低端开关。
    数据手册
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  • 有货
  • 沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准
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