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  • 有货
  • Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS 2.0和无卤要求
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      ¥0.7341
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    • 500+

      ¥0.529
  • 有货
  • AO4496采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换器应用。
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      ¥1.0833
    • 50+

      ¥0.8515
    • 150+

      ¥0.7521
    • 500+

      ¥0.6282
  • 有货
  • P沟 30V 5A
    数据手册
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      ¥1.1248
    • 50+

      ¥0.8929
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      ¥0.7936
    • 500+

      ¥0.6696
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC/DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和CRSS以及有保证的雪崩能力,该器件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥1.2105
    • 50+

      ¥0.9383
    • 150+

      ¥0.8217
    • 500+

      ¥0.6761
  • 有货
  • 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。符合RoHS和无卤标准。
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      ¥1.3448
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      ¥1.0676
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      ¥0.9488
  • 有货
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      ¥1.4999
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      ¥1.3641
    • 500+

      ¥1.1947
  • 有货
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    • 50+

      ¥1.5117
    • 150+

      ¥1.3238
    • 500+

      ¥1.0893
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于开关电源(SMPS)中的高端开关和通用应用。
    数据手册
    • 3000+

      ¥1.46718
    • 6000+

      ¥1.44144
    • 9000+

      ¥1.4157
    使用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低,传导和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.23
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥2.1
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和保证的雪崩能力,该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥2.25
    • 50+

      ¥1.74
    • 150+

      ¥1.53
    • 500+

      ¥1.26
  • 有货
  • N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.25
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.26
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的导通电阻。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥1.188
    • 500+

      ¥1.1
    • 1000+

      ¥1.056
    • 5000+

      ¥1.012
    • 10000+

      ¥0.9856
    AO4406A采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$。该器件适用于开关电源(SMPS)中的高端开关及通用应用。
    • 5+

      ¥2.5069
    • 50+

      ¥2.0117
    • 150+

      ¥1.7995
  • 有货
  • 采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力,这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 1+

      ¥2.62
    • 10+

      ¥2.3
    • 50+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.9
  • 有货
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.92
    • 100+

      ¥1.61
  • 有货
  • N沟 250V 20A
    • 1+

      ¥2.9512 ¥9.52
    • 10+

      ¥1.6758 ¥7.98
    • 30+

      ¥0.7722 ¥7.02
    • 100+

      ¥0.6644 ¥6.04
    • 500+

      ¥0.6149 ¥5.59
    • 1000+

      ¥0.594 ¥5.4
  • 有货
  • AOZ1282CI-2是一款高效率、易于使用的600mA降压调节器,适用于多种应用场景。其输入电压范围为4.5V至36V,输出电压可调至0.8V,固定1MHz的PWM开关频率,具有内部补偿、短路保护和热关断等功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.96
    • 50+

      ¥2.46
    • 150+

      ¥1.69
    • 500+

      ¥1.42
  • 有货
  • N沟道,100V,14A,68mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.72
    • 30+

      ¥2.42
  • 有货
    • 1+

      ¥10.45
    • 10+

      ¥8.69
    • 30+

      ¥7.72
    • 100+

      ¥6.62
  • 有货
    • 1+

      ¥13.83
    • 10+

      ¥13.08
    • 50+

      ¥12.63
    • 100+

      ¥12.18
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6879
    • 50+

      ¥0.673
    • 150+

      ¥0.6631
  • 有货
  • 采用沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS和无卤标准
    • 5+

      ¥0.7617
    • 50+

      ¥0.5937
    • 150+

      ¥0.5097
    • 500+

      ¥0.4467
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6812
    • 50+

      ¥1.3032
    • 150+

      ¥1.1412
    • 500+

      ¥0.9391
  • 有货
  • AO6404采用先进的沟槽技术,可提供出色的R_DS(ON)、低栅极电荷,并且在低至1.8V的栅极电压下仍能工作,同时保持12V的V_GS(MAX)额定值。该器件具备静电放电保护功能。
    数据手册
    • 3000+

      ¥1.01244
    • 6000+

      ¥0.9867
    • 9000+

      ¥0.95238
    • 18000+

      ¥0.93522
    采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反馈电容(Ciss)以及有保证的雪崩能力,该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
    • 5+

      ¥1.9502
    • 50+

      ¥1.5117
    • 150+

      ¥1.3238
  • 有货
    • 5+

      ¥2.0278
    • 50+

      ¥1.5719
    • 150+

      ¥1.3765
  • 有货
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      ¥2.07
    • 10+

      ¥2.02
    • 30+

      ¥1.99
  • 有货
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      ¥2.21
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥2.13
  • 有货
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