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封装：SOD-323

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

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型号：CDSOD323-T05SC 编号：C840636

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

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型号：CDSOT23-T12C 编号：C1977502

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

瞬态电压抑制二极管阵列采用紧凑的芯片封装SOFT23尺寸规格，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择

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型号：PTVS1-086C-H 编号：C6738658

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS1-xxxC-H系列大电流双向TVS二极管旨在保护直流或以太网供电（PoE）系统，如小型基站或监控摄像头，这些系统可能会遭受诸如感应雷击或电感式电源开关等浪涌事件。这些器件提供双向端口保护，其关断电压额定值为22至86 V。

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型号：CDSOD323-T36S 编号：C3711552

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出了开发更小电子元件的挑战。提供用于SOD323封装尺寸格式的浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管。瞬态电压抑制器系列提供3V至36V的单向或双向电压类型选择。符合JEDEC标准，易于在标准贴装设备上操作，扁平结构可减少滚动。符合IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和IEC 61000-4-5（浪涌）要求。

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型号：5.0SMDJ33CA-Q 编号：C1975745

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择，击穿电压最高可达189 V。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：CDSOD323-T36SC 编号：C911382

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

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型号：CDNBS08-SRDA05-4 编号：C1976624

封装：SOIC-8

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场促使半导体行业开发更小的电子元件。提供用于浪涌和ESD保护应用的转向二极管/瞬态电压抑制器阵列组合二极管，采用八引脚窄体SOIC封装尺寸格式。符合JEDEC标准，易于在标准拾放设备上操作，扁平配置可减少滚动。该器件将满足IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT)和IEC 61000-4-5 (Surge)要求。

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型号：SMCJ60A-Q 编号：C1517933

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至120 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准的贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：PTVS2-086C-H 编号：C6630094

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS2-xxxC-H 高电流双向 TVS 二极管专为高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供双向端口保护，额定耐受电压为 22 至 86 V。器件符合 RoHS 标准且无卤，旨在满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

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型号：CDSOD323-T12C-DSLQ 编号：C1976374

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信和电信设备制造商对半导体行业提出挑战，要求开发尺寸更小、适用于高速通信速率的电子元件。采用SOD323封装尺寸的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用，符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。该器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

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型号：5.0SMDJ26CA-Q 编号：C1975811

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择，击穿电压最高可达189 V。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：TBU-DT065-200-WH 编号：C2649815

封装：DFN-4(5x5)

品牌：BOURNS

TBU（瞬态阻断单元）产品的TBU-DT系列是超低电容双单向高速浪涌保护组件，旨在防止由短路、交流电源串扰、感应和雷击浪涌引起的故障。TBU-DT系列是单向TBU⊥器件；仅当电流在一个方向达到最大值时，即引脚1相对于引脚2电压为正，引脚4相对于引脚3电压为正时，TBU⊥保护器将在小于1 μs的时间内触发。在相反极性下不存在限流，TBU⊥器件本质上呈电阻性。反向电流不应超过TBU器件的最大触发电流水平。在直流偏置应用中，可使用外部二极管来防止反向电流。TBU⊥保护器可阻断浪涌，并提供有效的隔离，在浪涌事件期间，敏感电子设备不会暴露在高电压或大电流下。浪涌过后，当TBU器件两端的电压降至Vreset水平时，TBU器件会复位。TBU器件将在无直流偏置或直流偏置低于Vreset的线路（如未通电的信号线）上自动复位。TBU⊥器件采用表面贴装DFN封装，符合RoHS和无铅焊料回流曲线等行业标准要求。

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型号：SMAJ36CA-Q 编号：C1880491

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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型号：SMA6J60A-Q 编号：C3708115

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AC（SMA）尺寸格式。工作峰值反向电压可选范围为5V至130V，典型快速响应时间从0V到击穿电压小于1.0皮秒。芯片二极管易于使用标准贴装设备处理，扁平结构可减少滚动。

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型号：SM8S33CA-Q 编号：C1976723

封装：DO-218

品牌：BOURNS

采用紧凑型芯片封装DO - 218尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供16 V至43 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间为从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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型号：PTVS2-066C-H 编号：C6630092

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS2-xxxC-H 高电流双向 TVS 二极管专为高功率直流母线钳位应用而设计。这些器件提供双向端口保护，额定耐受电压为 22 至 86 V。器件符合 RoHS 标准且无卤，旨在满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 电流浪涌要求。

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￥41.52
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型号：SMBJ43CA-Q 编号：C1517901

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：SMAJ33CA-Q 编号：C1973988

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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型号：SMBJ26CA-Q 编号：C1974174

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：CDSOT23-T03C 编号：C1973960

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

瞬态电压抑制二极管阵列采用紧凑的芯片封装SOFT23尺寸规格，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择

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￥2.22
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￥1.97

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型号：CDSOT23-T15C 编号：C1848774

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

瞬态电压抑制二极管阵列采用紧凑的芯片封装SOFT23尺寸规格，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择

数据手册

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￥2.88
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￥1.9

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型号：CDSOD323-T08SC 编号：C911384

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至36 V

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￥3.78
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￥3.09
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￥2.75

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型号：TBU-RS055-300-WH 编号：C3662825

封装：DFN-7(8x5.5)

品牌：BOURNS

RS-485接口在工业和通信应用中很受欢迎，因其对噪声具有高抗扰度。然而，RS-485接口PHY容易受到工业和通信设施中常见的感应瞬变、环境和雷电浪涌等威胁的损坏。这些威胁必须在RS-485链路的设计阶段加以考虑。是高度集成且快速的RS-485接口保护器，可与外部过压设备（如GDT或晶闸管）配合使用，提供IEC 61000-4-5 4级保护。该设备集成了两个TBU® HSP和一对TVS二极管，以小尺寸提供完整的RS-485接口保护解决方案。

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￥28.38
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￥23.97
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￥21.34

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型号：SMAJ30CA-Q 编号：C1517900

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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5+
￥0.7985
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￥0.7812
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￥0.7697

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型号：1.5SMBJ30A 编号：C3701608

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从12 V至85 V的选择，击穿电压最高可达104 V。从0 V到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

1+
￥2.24
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￥2.19
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￥2.15

有货

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型号：1.5SMBJ36A 编号：C3711824

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从12 V至85 V的选择，击穿电压最高可达104 V。从0 V到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥2.65
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￥2.59
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￥2.55

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型号：CDSOT23-T08C 编号：C1973466

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

瞬态电压抑制二极管阵列采用紧凑的芯片封装SOFT23尺寸规格，适用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择

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￥3.48
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￥2.5

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型号：CDSOD323-T18 编号：C1973116

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出了开发更小电子元件的挑战。提供用于浪涌和 ESD 保护应用的瞬态电压抑制器阵列二极管，采用 SOD323 封装尺寸。瞬态电压抑制器阵列系列提供 3V 至 24V 的单向或双向电压类型选择。符合 JEDEC 标准，易于在标准贴装设备上操作，扁平结构可减少滚动。该器件有助于符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和 IEC 61000-4-5（浪涌）要求。

数据手册

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￥2.92
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￥2.52

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型号：SMCJ40CA 编号：C3720115

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了开发更小电子元件的挑战。提供用于浪涌和 ESD 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装 DO-214AB（SMC）尺寸格式。瞬态电压抑制器系列提供 5V 至 495V 的工作峰值反向电压选择，击穿电压高达 550V。单向器件典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件从 0V 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于用标准拾放设备处理，其扁平配置可减少滚动。

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