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便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择,击穿电压最高可达550 V。对于单向器件,从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒;对于双向器件,该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,且扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择,击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择,击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • Bourns TBU-RSxxx-300是一款高度集成的快速RS-485接口保护器,可与气体放电管(GDT)或晶闸管等外部过压器件配合使用,提供符合IEC 61000-4-5 4级标准的保护。该器件集成了两个热关断单元(TBU)高速保护(HSP)器件和一对瞬态电压抑制(TVS)二极管,能以小尺寸提供完整的RS-485接口保护解决方案。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO-214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供 6.8 V 至 550 V 的击穿电压选择。对于单向器件,典型快速响应时间小于 1.0 皮秒;对于双向器件,从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准贴装设备进行操作,且扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择,击穿电压最高可达550 V。对于单向器件,从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒;对于双向器件,该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,且扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V,击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准拾放设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择,击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V,击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准拾放设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管,用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置,电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,便于在标准贴装设备上操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2(ESD)、IEC 61000 - 4 - 4(EFT)和IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)要求。
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列的工作峰值反向电压可选范围为5 V至170 V,击穿电压最高可达200 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps,双向器件小于5.0 ps。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,便于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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    • 1+

      ¥4.58
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO-214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供 6.8 V 至 550 V 的击穿电压选择。对于单向器件,典型快速响应时间小于 1.0 皮秒;对于双向器件,从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准贴装设备进行操作,且扁平结构可最大程度减少滚动。
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    • 单价:

      ¥0.92 / 个
    便携式通信、计算和视频设备制造商正在挑战半导体行业,要求开发越来越小的电子元件。Bourns 提供瞬态电压抑制二极管,用于 SOD323 封装尺寸格式中的浪涌和 ESD 保护应用。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于在标准贴片设备上处理,其扁平配置可最大限度地减少滚落。Bourns 设备将有助于满足 IEC 1000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT) 和 IEC 61000-4-5 (浪涌) 要求。
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      ¥3.65
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    • 100+

      ¥2.07
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V,击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准拾放设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
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      ¥1.47
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择,击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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      ¥2.33
    • 10+

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    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥2.2
  • 订货
  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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      ¥3.11
    • 10+

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    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.83
  • 订货
  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列的工作峰值反向电压可选范围为5 V至170 V,击穿电压最高可达200 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps,双向器件小于5.0 ps。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,便于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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    • 1+

      ¥4.03
    • 10+

      ¥3.26
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.5
  • 订货
  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V,击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准拾放设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
    • 1+

      ¥5.89
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      ¥4.82
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      ¥3.76
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      ¥3.75
  • 订货
  • CDSOT23-SM712器件可为数据端口提供静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌保护,满足IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和IEC 61000-4-5(浪涌)标准要求。该瞬态电压抑制器阵列包含两个瞬态电压抑制(TVS)二极管,工作峰值反向电压分别为7 V或12 V,最小击穿电压分别为7.5 V或13.3 V。采用SOT23封装的器件可直接安装在符合行业标准的SOT23焊盘上。芯片二极管符合JEDEC标准,便于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可减少滚动。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.16
    • 500+

      ¥2.07
    • 1000+

      ¥1.96
  • 有货
  • CDDFN10 - 0524P器件可为高速数据端口提供静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌保护,满足IEC 61000 - 4 - 2(ESD)要求。该瞬态电压抑制器阵列可保护多达4条数据线,工作峰值反向电压为5 V,最小击穿电压为6 V。采用DFN10封装的器件可直接安装到行业标准的DFN10焊盘上。芯片二极管符合JEDEC标准,使用标准的贴装设备易于操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。CDDFN10 - 0524P型号旨在保护高速数据端口免受ESD瞬变影响。对于HDMI 1.4和USB 3.0等高速端口,保持信号线阻抗是一项关键要求。采用“直通式”布局的DFN10封装可使高速数据线上的阻抗变化最小化,同时该器件的超低电容性能可限制每个通道上的信号衰减。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.081
    • 50+

      ¥0.8658
    • 150+

      ¥0.7736
    • 500+

      ¥0.63216 ¥0.6585
    • 3000+

      ¥0.583008 ¥0.6073
    • 6000+

      ¥0.55344 ¥0.5765
  • 有货
  • 便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,适用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置,电压类型选择范围为3 V至36 V
    • 5+

      ¥2.0959
    • 50+

      ¥1.6717
    • 150+

      ¥1.4899
    • 500+

      ¥1.237838 ¥1.2631
    • 3000+

      ¥1.138858 ¥1.1621
    • 6000+

      ¥1.07947 ¥1.1015
  • 有货
  • 便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,适用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置,电压类型选择范围为3 V至36 V
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.93
    • 30+

      ¥2.59
    • 100+

      ¥2.1375 ¥2.25
    • 500+

      ¥1.938 ¥2.04
    • 1000+

      ¥1.843 ¥1.94
  • 有货
  • TISP61089B是一款双正向导通缓冲P极晶闸管(SCR)过压保护器。它旨在保护单片用户线接口电路(SLIC)免受由雷击、交流电源接触和感应引起的电话线路过电压影响。TISP61089B可限制超过SLIC电源轨电压的电压。TISP61089B的参数经指定,可使设备符合贝尔core GR - 1089 - CORE第2版以及国际电信联盟(ITU - T)K.20、K.21和K.45建议。SLIC线路驱动器部分通常由0 V(地)和-20 V至-150 V范围内的负电压供电。保护器的栅极连接到该负电源。这将保护(钳位)电压参考到负电源电压。保护电压随后会跟踪负电源电压,从而将SLIC上的过电压应力降至最低。正过电压通过二极管正向导通被钳位到地。负过电压最初被钳位到接近SLIC负电源轨的值。如果过电压能提供足够的电流,保护器SCR将切换到低电压导通状态。当过电压消退时,TISP61089B SCR的高维持电流有助于防止直流闭锁。TISP61089B旨在与一个40 Ω或更高阻值的电阻和一个合适的过流保护器串联使用。电源故障合规要求串联过流元件开路或变为高阻抗。对于仅符合ITU - T K.20、K.21或K.45建议的设备,串联电阻值由协调要求确定。为了与400 V限压型气体放电管(GDT)配合,建议串联电阻的最小值为10 Ω。这些单片保护器件采用离子注入平面垂直功率结构制造,具有高可靠性,在正常系统运行中几乎是透明的。TISP61089B的缓冲栅极设计可减少电源交叉和感应引起的过电压期间SLIC电源的负载。TISP61089B采用8引脚塑料小外形表面贴装封装。
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    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.75
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      ¥1.45
    • 500+

      ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • CDSOT23 - 0502B双向器件可为高速数据端口提供静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌保护,满足IEC 61000 - 4 - 2(ESD)、IEC 61000 - 4 - 4(EFT)和IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)要求。该瞬态电压抑制器阵列的工作峰值反向电压为5 V,最小击穿电压为6 V。采用SOT23 - 3封装的器件可直接安装到行业标准的SOT23 - 3焊盘上。芯片二极管易于使用标准的贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.97
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.3377 ¥2.41
    • 500+

      ¥1.94 ¥2
    • 1000+

      ¥1.9012 ¥1.96
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  • 便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,适用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供单向或双向配置,电压类型选择范围为3 V至36 V
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  • 为EFT和ESD保护应用提供瞬态电压抑制器阵列二极管,采用紧凑的SOT23-6芯片封装。符合JEDEC标准,便于在标准贴装设备上操作,扁平结构可减少滚动。能满足IEC 61000-4-2(ESD)和IEC 61000-4-4(EFT)要求。
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