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型号：SM8SF36CA-Q 编号：C1977734

封装：DFN-2(8.1x10.5)

SM8SF-Q系列瞬态电压抑制（TVS）二极管专为保护敏感电子设备免受过电压影响而设计，符合ISO7637 - 2和ISO16750 - 2标准（具体依测试条件而定）。SM8SF-Q系列提供24 V至36 V的工作峰值反向电压选择，击穿电压最高可达40 V。SM8SF-Q采用8.1 mm×10.5 mm的紧凑型DFN封装，高度仅1.3 mm，便于在当今紧凑的PCB设计中进行布局。

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型号：SMAJ26CA 编号：C20608638

封装：SMA

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场促使半导体行业开发更小的电子元件。提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AC (SMA)尺寸。瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择，击穿电压高达550V。单向器件典型快速响应时间从0V到最小击穿电压小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于用标准贴装设备处理，扁平结构可减少滚动。

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型号：SMBJ6.0A-Q 编号：C1518355

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：CDSOT236-T12C 编号：C1975208

封装：SOT-23-6

品牌：BOURNS

提供采用SOT23 - 6封装尺寸的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供双向配置的电压类型选择，电压范围从5V到24V

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型号：CDSOT236-T05 编号：C1981503

封装：SOT-23-6

品牌：BOURNS

提供采用SOT23 - 6封装尺寸的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供双向配置的电压类型选择，电压范围从5V到24V

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￥2.39
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型号：SMBJ100CA-Q 编号：C3703978

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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型号：CDNBS08-SRDA3.3-4 编号：C1974103

封装：SO-8

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场促使半导体行业开发更小的电子元件。提供用于浪涌和ESD保护应用的转向二极管/瞬态电压抑制器阵列组合二极管，采用八引脚窄体SOIC封装尺寸格式。符合JEDEC标准，易于在标准拾放设备上操作，扁平配置可减少滚动。该器件将满足IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT)和IEC 61000-4-5 (Surge)要求。

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型号：AV30K2220122NIR1HT 编号：C1869482

封装：2220

品牌：BOURNS

几乎所有汽车电子系统，如防抱死制动系统、直接点火系统、安全气囊控制系统、雨刮电机等，都容易受到破坏性电压瞬变的损坏。多层压敏电阻是具有与温度无关的抑制特性的瞬态抑制器，可在 -55℃ 至 150℃ 范围内提供保护。提供出色的瞬态能量分布。与硅 TVS 二极管相比，所需的空间和焊盘面积明显更小，为设计师提供了更大的电路板布局灵活性。

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型号：15KPA066C-SD-Q 编号：C1847739

封装：DO-218

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和静电放电保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-218尺寸格式。瞬态电压抑制器系列提供从16V到66V的工作峰值反向电压选择。

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型号：P6SMB15A 编号：C19192051

封装：DO-214AA

品牌：BOURNS

提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供6.8V至550V的多种击穿电压供选择

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型号：SMAJ26CA-Q 编号：C1974782

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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型号：SMA6J18A-Q 编号：C1847759

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至130 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：P4SMA350A 编号：C3719165

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，使用标准的拾放设备易于操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：AV20K1210401NIR1 编号：C3259897

封装：1210

品牌：BOURNS

几乎所有汽车中的电子系统，如防抱死制动系统、直接点火系统、安全气囊控制系统、雨刮电机等，都容易受到破坏性电压瞬变的损坏。多层压敏电阻是具有与温度无关的抑制特性的瞬态抑制器，可在 -55℃ 至 +125℃ 范围内提供保护。多层压敏电阻提供出色的瞬态能量分布。相较于硅 TVS 二极管，压敏电阻所需的空间和焊盘面积显著减少，为设计师提供了更大的电路板布局灵活性。

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￥2.17
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￥2.09

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型号：CDSOT236-T05C 编号：C1973568

封装：SOT-23-6

品牌：BOURNS

提供采用SOT23 - 6封装尺寸的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供双向配置的电压类型选择，电压范围从5V到24V

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型号：SMCJ24A-Q 编号：C1975554

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至120 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准的贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：SMBJ8.5A-QH 编号：C1518368

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：1.5SMC33CA-Q 编号：C1974252

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至130 V的击穿电压选择。对于单向器件，从0 V到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒；对于双向器件，该时间小于5.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：SMF4L12A 编号：C7437269

封装：SOD-123FL

品牌：BOURNS

瞬态电压抑制器系列提供16 V、20 V或30 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。贴片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：CDSOT23-T03LC 编号：C1980097

封装：SOT-23-6

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管阵列，采用紧凑型芯片封装SOT23尺寸规格。瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3V至36V的多种电压类型供选择

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型号：CDSOT23-T24C 编号：C3710737

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管阵列，采用紧凑型芯片封装SOT23尺寸规格。瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择。芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴片机上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。器件符合IEC 61000 4 2（ESD）、IEC 61000 4 4（EFT）和IEC 61000 4 5（浪涌）要求。

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型号：5.0SMDJ48CA 编号：C3720485

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供工作峰值反向电压从5V至170V的多种选择，击穿电压最高可达209V

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型号：CDSOT23-SLVU2.8 编号：C1973242

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

CDSOT23-SLVU2.8 器件可为高速数据端口提供静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和浪涌保护，满足 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和 IEC 61000-4-5（浪涌）标准要求。该瞬态电压抑制器阵列的工作峰值反向电压为 2.8 V，最小击穿电压为 3 V。采用 SOT23 封装的器件可直接安装在符合行业标准的 SOT23 焊盘上。芯片二极管符合 JEDEC 标准，便于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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型号：PTVS1-026C-H 编号：C6256570

封装：DFN-2(6x8)

品牌：BOURNS

PTVS1-xxxC-H系列大电流双向TVS二极管旨在保护直流或以太网供电（PoE）系统，如小型基站或监控摄像头，这些系统可能会遭受诸如感应雷击或电感式电源开关等浪涌事件。这些器件提供双向端口保护，其关断电压额定值为22至86 V。

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型号：SMA6J5.0A-Q 编号：C1847725

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至130 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：SMBJ33A-Q 编号：C3707210

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。

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型号：SMCJ26A-Q 编号：C1974295

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至120 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准的贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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型号：SMBJ24CA-Q 编号：C1974130

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：SMBJ33CA-Q 编号：C1974877

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。

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型号：CDSOT23-T05C 编号：C3698721

封装：SOT-23

品牌：BOURNS

提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管阵列，采用紧凑型芯片封装SOT23尺寸规格。瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择。芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴片机上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。器件符合IEC 61000 4 2（ESD）、IEC 61000 4 4（EFT）和IEC 61000 4 5（浪涌）要求。

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