BOURNS二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMBJ15CA 编号：C3719755

封装：SMB(DO-214AA)

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.6385
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￥1.294
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￥1.1463
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￥0.9621

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型号：CDSC706-0504C 编号：C913215

封装：SC-70-6

品牌：BOURNS

CDSC706-0504C器件提供符合IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT)和IEC 61000-4-5 (浪涌)要求的，用于高速数据端口的ESD、EFT和浪涌保护。该瞬态电压抑制器阵列最多可保护4条数据线，工作峰值反向电压为5V，最小击穿电压为6V。采用SC70-6L封装的器件可以直接安装在行业标准的SC70-6焊盘上。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴片设备处理，并且扁平配置可最大限度地减少滚落。

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￥6.05
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￥4.93
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￥4.37
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￥3.81
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￥3.32

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型号：CDSOD323-T08C 编号：C913190

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管阵列，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供单向或双向配置，电压类型可选范围为3 V至24 V

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￥1.7921
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￥1.4192
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￥1.2593

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型号：SMBJ24A 编号：C3719986

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.0072
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￥0.7802
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￥0.6829
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￥0.5615

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型号：SMAJ100CA 编号：C1973420

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择，击穿电压最高可达550 V。对于单向器件，从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒；对于双向器件，该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

5+
￥1.5542
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￥1.2491
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￥0.90744 ￥0.9552
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￥0.838375 ￥0.8825
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￥0.796955 ￥0.8389

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型号：SMBJ495CA 编号：C2844337

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥3.58
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￥2.85
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￥2.49
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￥2.12

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型号：CDSOD323-T24C 编号：C913279

封装：SOD-323

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管，用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置，电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于在标准贴装设备上操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 4（EFT）和IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）要求。

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￥7.61
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￥6.29
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￥5.57

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型号：SMLJ58CA 编号：C1973565

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列的工作峰值反向电压可选范围为5 V至170 V，击穿电压最高可达200 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps，双向器件小于5.0 ps。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥8.145 ￥10.86
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￥6.96 ￥9.28
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￥5.115 ￥6.82
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￥4.9725 ￥6.63

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型号：SMBJ5.0CA 编号：C3720674

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥0.5216
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型号：SMBJ60A 编号：C3720727

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.0255
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型号：SMAJ24A-Q 编号：C3702612

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.3216
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型号：SMBJ5.0A 编号：C7437253

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥2.36
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型号：SMBJ250A 编号：C3719754

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥2.86
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型号：SMBJ22A 编号：C3720133

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.0205
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￥0.9971
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型号：SMCJ15CA 编号：C3720681

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择，击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥2.44
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￥2.35

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型号：SMAJ70CA 编号：C1975062

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择，击穿电压最高可达550 V。对于单向器件，从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒；对于双向器件，该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥5.32
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￥4.33
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型号：SMLJ33CA 编号：C1973811

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列的工作峰值反向电压可选范围为5 V至170 V，击穿电压最高可达200 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps，双向器件小于5.0 ps。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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1+
￥5.79
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￥5.67
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￥5.59

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型号：SMLJ13A 编号：C1976576

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列的工作峰值反向电压可选范围为5 V至170 V，击穿电压最高可达200 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps，双向器件小于5.0 ps。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥6.33
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型号：SMBJ30A 编号：C3720247

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥10.24
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￥8.59
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￥7.69

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型号：SMAJ70A 编号：C1973474

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择，击穿电压最高可达550 V。对于单向器件，从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒；对于双向器件，该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

1+
￥0.5101
10+
￥0.41
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￥0.36

有货

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型号：P6SMB39A 编号：C3719749

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。对于单向器件，从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒；对于双向器件，该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准的贴装设备进行操作，且扁平结构可最大程度减少滚动。

5+
￥0.8145
50+
￥0.7951
150+
￥0.7822

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型号：SMAJ200A 编号：C1980241

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择，击穿电压最高可达550 V。对于单向器件，从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒；对于双向器件，该时间小于5.0皮秒。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可最大程度减少滚动。

数据手册

1+
￥0.8297
10+
￥0.6733
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￥0.5951

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型号：SMBJ20CA 编号：C3720193

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

5+
￥0.9405
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￥0.9184
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￥0.9037

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型号：SMCJ28CA 编号：C3719981

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择，击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥1.0746
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￥0.6397
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￥0.5554

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型号：SMBJ54CA 编号：C3719557

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

1+
￥1.52
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￥1.48
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￥1.46

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型号：SMBJ36A 编号：C5836370

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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￥1.8078
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￥1.4376
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￥1.0811
2500+
￥0.993
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￥0.9401

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型号：P4SMA30CA-Q 编号：C1973970

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸日益缩小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO-214AC（SMA）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供 6.8 V 至 250 V 的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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5+
￥2.0072
50+
￥1.5525
150+
￥1.3577

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型号：SMCJ12A 编号：C3720510

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和ESD保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供5V至495V的工作峰值反向电压选择，击穿电压最高可达550V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，其扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥3.31
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￥2.57
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￥2.26

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型号：SMLJ30CA 编号：C3711002

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择，击穿电压最高可达200 V。对于单向器件，从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps；对于双向器件，该时间小于5.0 ps。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，使用标准贴装设备易于操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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￥4.31
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型号：SMLJ36CA 编号：C1973285

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯（Bourns）提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB（SMC）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列的工作峰值反向电压可选范围为5 V至170 V，击穿电压最高可达200 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps，双向器件小于5.0 ps。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准，便于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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