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提供用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供工作峰值反向电压从5V至170V的多种选择,击穿电压最高可达209V
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    ¥7.54
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    ¥7.36
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    ¥7.24
  • 有货
  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。瞬态电压抑制二极管适用于浪涌和静电放电保护应用,采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。对于单向器件,从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒;对于双向器件,该时间小于5.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准的拾放设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 有货
  • 提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列提供双向配置,电压类型可选范围为12V至24V
    • 1+

      ¥10.22
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  • 有货
  • 提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择,击穿电压最高可达189 V。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 提供采用SOT23 - 6封装尺寸的瞬态电压抑制器阵列二极管,用于静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供双向配置的电压类型选择,电压范围从5V到24V
    数据手册
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      ¥2.22
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      ¥2.14
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  • CDSOT23-T24CAN-Q 型号器件旨在为 CAN 收发器提供 ESD 和浪涌保护,满足 IEC 61000-4-2(ESD)和 IEC 61000-4-5(浪涌)要求。该双 TVS 阵列可保护两条数据线,工作反向电压为 24 V,最小击穿电压为 26.2 V,可与具备 24 V 电源错接内部电路的收发器配合使用。CDSOT23-T24CAN-Q 型号器件的低电容和低漏电流可将对信号完整性的影响降至最低,并且与高速 CAN 兼容。采用 SOT-23 封装的器件可直接安装在行业标准的 SOT-23 焊盘上。其紧凑的尺寸便于在紧凑型 PCB 设计中进行布局,同时确保符合严格的 EMI 要求。CDSOT23-T24CAN-Q 型号双 TVS 二极管阵列旨在根据 IEC 61000-4-5(1 级)保护 CAN 总线收发器免受浪涌事件影响,并将 ESD 事件的抗扰度提高到超过 IEC 61000-4-2 的水平,最高可达 30 kV。它旨在与具备针对其他故障(如 24 V 电源错接)内部保护功能的收发器配合使用。CDSOT23-T24CAN-Q 型号器件的最小击穿电压设计为 26.2 V,因此在 24 VDC 电源交叉事件期间不会导通。
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      ¥1.1317
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      ¥1.0865
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  • 瞬态电压抑制二极管阵列采用紧凑的芯片封装SOFT23尺寸规格,适用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3 V至36 V的多种电压类型供选择
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      ¥4.644379
    提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从12 V至85 V的选择,击穿电压最高可达104 V。从0 V到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
    • 1+

      ¥2.48
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  • 用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至120 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准的贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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      ¥5.51
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      ¥2.86
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  • 提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从5 V至170 V的选择,击穿电压最高可达189 V。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0 ps。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从12 V至85 V的选择,击穿电压最高可达104 V。从0 V到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至130 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场促使半导体行业开发更小的电子元件。提供用于浪涌和 ESD 保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑芯片封装 DO-214AC(SMA)尺寸格式。瞬态电压抑制器系列提供 6.8V 至 550V 的击穿电压选择。单向器件典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于用标准拾放设备处理,扁平配置可减少滚动。
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  • 提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列提供双向配置,电压类型可选范围为12V至24V
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  • 提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AC(SMA)尺寸格式。工作峰值反向电压可选范围为5V至130V,典型快速响应时间从0V到击穿电压小于1.0皮秒。芯片二极管易于使用标准贴装设备处理,扁平结构可减少滚动。
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  • 有货
  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。
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  • 用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0电压到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。
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  • 几乎所有汽车中的电子系统,如防抱死制动系统、直接点火系统、安全气囊控制系统、雨刮电机等,都容易受到破坏性电压瞬变的损害。多层压敏电阻是具有与温度无关的抑制特性的瞬态抑制器,可在 -55℃ 至 150℃ 范围内提供保护。压敏电阻具有出色的瞬态能量分布能力。与硅 TVS 二极管相比,AV 压敏电阻所需的空间和焊盘面积显著减少,为设计师提供了更大的电路板布局灵活性。
    • 单价:

      ¥0.98762 / 个
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。瞬态电压抑制二极管适用于浪涌和静电放电保护应用,采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。对于单向器件,从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒;对于双向器件,该时间小于5.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准的拾放设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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    • 1+

      ¥2.5534
    • 200+

      ¥0.9882
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      ¥0.9534
    • 1000+

      ¥0.9363
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至120 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。
    • 单价:

      ¥2.28712 / 个
    提供用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AA(SMB)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供工作峰值反向电压从12 V至85 V的选择,击穿电压最高可达104 V。从0 V到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

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      ¥1.96
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  • 用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO-214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至120 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准的贴装设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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    • 1+

      ¥3.69
    • 200+

      ¥1.43
    • 500+

      ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.36
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。
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    • 1+

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    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥4.74
    • 100+

      ¥4.07
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。典型快速响应时间从0 V到击穿电压小于1.0皮秒。
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    • 1+

      ¥7.48
    • 10+

      ¥6.22
    • 30+

      ¥5.52
    • 100+

      ¥4.74
  • 订货
  • 提供用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制二极管系列提供工作峰值反向电压从5V至170V的多种选择,击穿电压最高可达209V
    • 1+

      ¥7.58
    • 10+

      ¥7.4
    • 30+

      ¥7.28
    • 100+

      ¥7.15
  • 订货
  • 提供用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管阵列,采用紧凑型芯片封装SOT23尺寸规格。瞬态电压抑制二极管阵列系列提供3V至36V的多种电压类型供选择
    数据手册
    • 741+

      ¥1.53341
    • 1900+

      ¥1.45544
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。瞬态电压抑制二极管适用于浪涌和静电放电保护应用,采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。对于单向器件,从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒;对于双向器件,该时间小于5.0皮秒。芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准的拾放设备进行操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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    • 1+

      ¥9.01
    • 10+

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      ¥5.72
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    • 1+

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