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  • 便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管,用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置,电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,便于在标准贴装设备上操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2(ESD)、IEC 61000 - 4 - 4(EFT)和IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)要求。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用紧凑型芯片封装SOT23 - 6尺寸的瞬态电压抑制二极管阵列,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,便于在标准贴片机上操作,其扁平结构可最大程度减少滚动
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  • 用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
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      ¥0.70119 ¥0.7155
  • 有货
  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用的瞬态电压抑制二极管,采用紧凑型芯片封装DO - 214AC(SMA)尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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      ¥0.71148 ¥0.726
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供采用紧凑型芯片封装DO - 214AB(SMC)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制二极管系列提供工作峰值反向电压从5 V至495 V的选择,击穿电压最高可达550 V。单向器件从0到最小击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒,双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准,使用标准的拾放设备易于操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备制造商对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。伯恩斯(Bourns)提供采用SOD323封装尺寸规格的瞬态电压抑制器阵列二极管,用于浪涌和ESD保护应用。瞬态电压抑制器阵列系列提供单向或双向配置,电压类型选择范围为3 V至24 V。伯恩斯芯片二极管符合JEDEC标准,便于在标准贴装设备上操作,其扁平结构可最大程度减少滚动。伯恩斯器件有助于满足IEC 61000 - 4 - 2(ESD)、IEC 61000 - 4 - 4(EFT)和IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)要求。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA(SMB)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V,击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准拾放设备进行操作,且扁平结构可减少滚动。
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  • 便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战,要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO-214AC(SMA)尺寸规格的瞬态电压抑制二极管,用于浪涌和静电放电(ESD)保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供 6.8 V 至 550 V 的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒,双向器件小于 5.0 皮秒。芯片二极管符合 JEDEC 标准,易于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可最大程度减少滚动。
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