DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23-6

RT6255A/B 是一款高性能同步降压型 DC-DC 转换器，可在 4.5V 至 18V 输入电源下提供高达 5A 的输出电流。该器件集成了低导通电阻（RDS(ON)）功率 MOSFET、精确的 0.6V 参考电压以及自举电路的集成二极管，提供了极为紧凑的解决方案。RT6255A/B 采用先进恒定导通时间（ACOTTM）控制架构，可实现超快速瞬态响应，并进一步减少外部元件数量

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型号：SDT30100CT 编号：C3757774

封装：TO-220-3

品牌：DIODES(美台)

沟槽肖特基在高温下提供极低的VF和极其出色的反向泄漏稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流器、续流二极管或阻塞二极管：DC-DC转换器、AC-DC适配器。

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型号：SBR1045CTLQ-13 编号：C5381659

封装：TO-252-3

品牌：DIODES(美台)

这些超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它们非常适合用作：DC-DC 转换器、DC/AC 逆变器、AC/DC 电源

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型号：V20M100M-E3/4W-HXY 编号：C52754647

封装：TO-220C

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为20A，最大反向重复峰值电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为20μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受高达200A的非重复性浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流与续流场景，如开关电源、DC-DC转换模块及各类高频电源电路中。

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型号：VS-8EWX06FNTR-M3 编号：C2913654

封装：TO-252AA(DPAK)

品牌：VISHAY(威世)

超快速恢复整流器，在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压阶段或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

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型号：MSR860G-HXY 编号：C53468053

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，具有8A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至10μA，确保良好的关断特性。器件可承受峰值达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度与能效有较高要求的电力电子应用。

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型号：ACPL-W346-500E 编号：C691968

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：FOD3182SD 编号：C479708

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：E4D02120E-TR-HXY 编号：C51896348

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，正向压降（VF）典型值为1.36V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐压能力与较低的导通损耗，同时具有极短的反向恢复时间，适用于高电压、高频率的开关电源环境。典型应用包括高压电源模块、大功率DC-DC转换器、不间断电源系统及光伏逆变器中的功率整流单元，有助于提升系统能效并减少散热设计复杂度。

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型号：DSC06A065D1-13-HXY 编号：C51896316

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的高效率电源系统。其正向压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能，支持高频开关操作。该二极管可在较高结温下稳定工作，适用于紧凑型电源设计。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

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型号：DSC08C065D1-13-HXY 编号：C51896318

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复性能，可显著减少开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。适用于高效电源适配器、不间断电源系统、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器等应用，能够在较宽温度范围内稳定运行，提升整体系统可靠性。

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型号：C3D08065E-TR-HXY 编号：C51896341

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.4V。依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性，器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度，反向恢复电荷极低。适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用，能有效降低系统开关损耗，提升功率密度与整体能效水平，尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。

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型号：DSC10A065D1-13-HXY 编号：C51896346

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅材料，具有优异的高温工作能力与高导热性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如高性能电源适配器、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高频率DC-AC和DC-DC转换电路，有助于提升系统能效，减小散热设计复杂度，适应严苛的电气与热环境要求。

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型号：STPSC2H12B2Y-TR-HXY 编号：C51896248

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关速度与低开关损耗，反向恢复特性优异，可有效提升系统转换效率。适用于高频率、高效率的电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器及高密度电源模块等，能在高温与高电压环境下稳定工作，有助于简化散热设计并提升整体系统功率密度。

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型号：IDW40E65D1 编号：C535956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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型号：SCS210AMC-HXY 编号：C52195025

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，能够提升系统整体能效并减少散热需求。

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型号：SCS310APC9-HXY 编号：C52195014

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高频率DC-DC转换器，可满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

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型号：SCS206AGC17-HXY 编号：C51896308

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，具备6A的平均正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能与极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流低，可有效减少功率损耗。其高耐压与高效率特性适用于高频开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置、高密度电源模块及各类高效能DC-DC转换电路，有助于提升系统整体能效与可靠性。

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型号：FFSM1065A-HXY 编号：C51896376

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和高电场强度特性，显著减少反向恢复电荷与开关损耗。适用于高效率电源系统，如高功率密度AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、储能系统及高性能服务器电源模块，有助于提升系统能效、缩小被动元件体积，并增强高频工作下的可靠性。

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型号：NXPSC10650X6Q-HXY 编号：C52195018

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复电荷极低。主要应用于高效开关电源、高密度DC-DC转换器、太阳能逆变装置及高性能电源适配器中，支持高频运行，可减小磁性元件和电容的尺寸，提升整体能效与功率密度。

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￥23.3225 ￥24.55
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型号：TDA21590AUMA1 编号：C3191591

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21590是一款高频率、低剖面的DC-DC转换器,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节。它集成了驱动器、活性二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2,具有多种保护功能,包括温度报告、过温保护、逐周期过流保护等。

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型号：LT3461AES6#TRPBF 编号：C481768

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

LT3461/LT3461A 是通用型固定频率电流模式升压型 DC/DC 转换器。两款器件均集成了肖特基二极管和低 VCESAT 开关，可缩小转换器尺寸并降低元件成本。LT3461 的开关频率为 1.3MHz，而 LT3461A 的开关频率为 3MHz

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型号：SICPT20120Y-BP-HXY 编号：C52195036

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，具备较高的功率处理能力。其正向导通压降为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管支持高频、高温工作环境，反向恢复时间短，漏电流小，适用于高密度电源转换装置。典型应用场景包括高效DC-DC变换器、不间断电源、可再生能源逆变系统以及高性能整流模块等，满足对能效和可靠性要求较高的电路设计需求。

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型号：UJ3D1210K2-HXY 编号：C52195038

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压为1200V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.47V，具备较低的导通损耗，有助于提高能效并减少热耗散。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，同时具备良好的高温稳定性和长期可靠性。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源转换器、光伏逆变装置、储能系统中的功率整流与续流环节，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电路设计。