DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

该碳化硅二极管为独立式器件，具备25A的正向电流（IF）和1700V的反向重复电压（VR），正向压降为1.5V，表现出优异的导通性能。基于碳化硅材料，该器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换应用。其高耐压能力与低损耗特性使其适合用于大功率电源系统、可再生能源发电逆变装置、高性能开关电源及高密度DC-DC转换模块，有助于提升系统整体能效并减少散热设计复杂度。

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￥76.646 ￥80.68
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￥66.1295 ￥69.61
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￥59.717 ￥62.86
90+
￥54.34 ￥57.2

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型号：NSR0170HT1G 编号：C889731

封装：SOD-323

该肖特基势垒二极管经过优化，可实现极低的正向压降和低漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0170H 采用 SOD-323 小占位封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务，即实现高能效的设计并满足缩小板空间的要求。

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84000+
￥0.11352
252000+
￥0.10879
756000+
￥0.105952
1008000+
￥0.10406

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型号：FES1DE 编号：C5175170

封装：DO-219AA

品牌：DIODES(美台)

是一款采用DO-219AA封装的整流器，适用于功率因数校正电路中的升压二极管。适用于高温条件下用于消费应用的超快开关速度AC-AC和DC-DC转换器的二次整流和续流。

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￥0.4952
100+
￥0.4045
300+
￥0.3591

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型号：MBR140ESFT1G 编号：C891417

封装：SOD-123

该器件采用大面积金属硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。该封装还为无引脚34封装样式提供了一种易于使用的替代方案。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA和PCMCIA卡。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“Oring”，以及对性能和尺寸要求严格的任何其他应用。

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21000+
￥0.4722
42000+
￥0.46433
84000+
￥0.452525
168000+
￥0.43285

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型号：NRVB1H100SFT3G 编号：C604266

封装：SOD-123

该器件采用大面积金属硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。由于其体积小，非常适合用于便携式和电池供电的产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理和PCMCIA卡。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、反接保护、多电源电压的“Oring”以及其他对性能和尺寸要求较高的应用。

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￥1.0598
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￥1.0214

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型号：ETA1483BE8A 编号：C7435193

封装：ESOP-8

品牌：ETA(钰泰)

ETA1483B 是一款宽输入范围、高效率的DC-DC同步降压转换器,能够提供高达2.5A的输出电流。该器件采用电流模式PWM控制,具有内部同步整流器,无需外部肖特基二极管,支持低输出纹波。此外,ETA1483B 在轻载时进入节能模式,延长了高效率运行范围。适用于LCD电视、笔记本电脑、FPGA电源和LED驱动等应用。

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￥1.4485
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￥1.1461
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￥1.0165
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￥0.8548
2500+
￥0.7828

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型号：MBR120ESFT3G 编号：C896754

封装：SOD-123FL

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

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￥1.9341
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￥1.5354
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￥1.3645
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2500+
￥1.0564
5000+
￥0.9995

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型号：PNU65020EPX-HXY 编号：C52145207

封装：SMAF

该碳化硅二极管额定正向电流为2A，反向重复耐压达650V，适用于中高电压功率电路。其正向导通压降为1.3V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提高能量转换效率。反向漏电流典型值为2μA，表现出良好的关断特性和高温稳定性。基于碳化硅材料的优异性能，该器件具备快速恢复能力与较小的结电容，适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中，可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

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￥1.949
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￥1.5408
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型号：V20M100M-E3/4W-HXY 编号：C52754647

封装：TO-220C

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为20A，最大反向重复峰值电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为20μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受高达200A的非重复性浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流与续流场景，如开关电源、DC-DC转换模块及各类高频电源电路中。

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￥1.976 ￥2.08
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￥1.938 ￥2.04
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￥1.9095 ￥2.01
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￥1.881 ￥1.98

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型号：S3D08065E-HXY 编号：C51896309

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

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￥3.477 ￥3.66
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￥3.3915 ￥3.57
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￥3.344 ￥3.52
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￥3.287 ￥3.46

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型号：S3D10065E-HXY 编号：C51896241

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

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￥4.2465 ￥4.47
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￥4.1515 ￥4.37
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￥4.085 ￥4.3
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￥4.0185 ￥4.23

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型号：V20PW22-M3/I 编号：C18212238

封装：TO-252

特性：极低的外形高度，典型值为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降小，功率损耗低。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260℃。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥4.8
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￥4.69
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￥4.63

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型号：C3D08065E-TR-HXY 编号：C51896341

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.4V。依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性，器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度，反向恢复电荷极低。适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用，能有效降低系统开关损耗，提升功率密度与整体能效水平，尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。

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￥5.453 ￥5.74
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￥5.3295 ￥5.61
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￥5.2535 ￥5.53
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￥5.168 ￥5.44

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型号：V10K100DUHM3/H 编号：C6582731

封装：-

特性：Trench MOS Schottky技术可用。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，RoHS LF最高峰值260°C，符合无卤要求。可提供AEC-Q101认证-汽车订购代码：基础型号NHM3。应用：用于低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥5.49
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￥5.37
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￥5.3
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￥5.22

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型号：SICF0860P-BP-HXY 编号：C52194987

封装：TO-220F

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景，如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。器件能有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效，满足严苛的电力电子设计需求。

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￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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型号：V35PW60HM3/I 编号：C6736968

封装：TO-252-3

特性：非常低的外形。典型高度为 1.3mm。沟槽 MOS 肖特基技术。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效运行。应用：低压高频 DC/DC 转换器。续流二极管

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￥7.04
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￥6.89
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￥6.78

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型号：DSC10A065D1-13-HXY 编号：C51896346

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅材料，具有优异的高温工作能力与高导热性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如高性能电源适配器、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高频率DC-AC和DC-DC转换电路，有助于提升系统能效，减小散热设计复杂度，适应严苛的电气与热环境要求。

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￥7.239 ￥7.62
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￥7.0775 ￥7.45
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￥6.973 ￥7.34
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￥6.859 ￥7.22

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型号：STPSC2H12B2Y-TR-HXY 编号：C51896248

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关速度与低开关损耗，反向恢复特性优异，可有效提升系统转换效率。适用于高频率、高效率的电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器及高密度电源模块等，能在高温与高电压环境下稳定工作，有助于简化散热设计并提升整体系统功率密度。

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型号：BYV32-200-E3/45 编号：C3007568

封装：TO-220-3

特性：功率封装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间。低开关损耗，高效率。低正向压降。高正向浪涌能力。应用：用于开关模式电源、逆变器、续流二极管、DC/DC转换器和其他功率开关应用的高频整流器

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￥7.95
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￥7.79
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￥7.68

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型号：V20PW10HM3/I 编号：C7095849

封装：TO-252-3

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效运行。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥8.45
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￥7.06
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￥6.3

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥9.4282 ￥20.06
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￥7.0707 ￥19.11
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￥5.0058 ￥18.54
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￥4.8519 ￥17.97
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￥4.779 ￥17.7
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￥4.7493 ￥17.59

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型号：SCS310APC9-HXY 编号：C52195014

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高频率DC-DC转换器，可满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

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￥11.9605 ￥12.59
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￥11.685 ￥12.3
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￥11.5045 ￥12.11
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￥11.324 ￥11.92

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型号：SCS206AGC17-HXY 编号：C51896308

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式结构，具备6A的平均正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能与极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流低，可有效减少功率损耗。其高耐压与高效率特性适用于高频开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置、高密度电源模块及各类高效能DC-DC转换电路，有助于提升系统整体能效与可靠性。

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型号：IDW40E65D1 编号：C535956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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￥12.9788 ￥18.28
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￥9.5343 ￥15.63
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￥7.1247 ￥13.97
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￥6.2577 ￥12.27
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￥5.8701 ￥11.51
990+
￥5.6967 ￥11.17

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型号：NXPSC10650X6Q-HXY 编号：C52195018

封装：TO-220F-2L

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.37V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复电荷极低。主要应用于高效开关电源、高密度DC-DC转换器、太阳能逆变装置及高性能电源适配器中，支持高频运行，可减小磁性元件和电容的尺寸，提升整体能效与功率密度。

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￥15.5515 ￥16.37
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￥15.1905 ￥15.99
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￥14.9625 ￥15.75
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￥14.725 ￥15.5

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型号：MSC010SDA120K-HXY 编号：C51896388

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中等电流的电力转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。常用于高效率开关电源、不间断电源系统、光伏逆变器及高功率密度DC-AC转换装置，适用于对能效和热管理有较高要求的电路设计。

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￥19.1425 ￥20.15
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￥18.411 ￥19.38
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￥18.1165 ￥19.07

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型号：SCS320AHGC9-HXY 编号：C51896372

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于较高功率密度的电力转换电路。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。器件具备优异的高温工作性能与热导率，适合在紧凑型电源设计中实现高效整流与续流功能。广泛应用于服务器电源、通信电源模块、储能系统及高效率AC-DC转换器中，满足对系统能效和可靠性要求较高的应用场景。

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￥18.1165 ￥19.07

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型号：FFSP3065B-F085-HXY 编号：C51896396

封装：TO-220C-2L