DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SCS210AGC17-HXY 编号：C52194993

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.38V，在高电流工作条件下仍可保持较低的导通损耗。基于碳化硅材料，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，有助于减少系统开关损耗并提升转换效率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高密度电源适配器以及对热管理要求较高的封闭式电子设备中的整流单元。

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型号：S3D10065L-HXY 编号：C51896320

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性，适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。

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型号：FFSM0665B-HXY 编号：C51896312

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.32V，显著减少导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性，支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。

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型号：SIC0860PL8-HXY 编号：C51896314

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降（VF）低至1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备快速恢复速度和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。

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型号：V35PWM10-M3/I 编号：C3757982

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效运行。应用：用于低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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型号：VS3C08ET07T-M3-HXY 编号：C52195023

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.38V，在高频开关条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置，适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

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型号：ST1S03PUR 编号：C2650330

封装：DFN-6-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

ST1S03是一款降压型DC-DC转换器,优化用于HDD应用中的低电压数字核心供电,以及一般情况下替代高电流线性解决方案。它提供高达1.5 A的输出电流,输入电压范围为3 V至16 V。1.5MHz的高开关频率允许使用小型表面贴装元件,仅需一个电感、一个肖特基二极管和两个电容器。此外,内部软启动功能可限制启动电流,确保低输出纹波。

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￥6.53
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￥4.97

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型号：SCS308AHGC9-HXY 编号：C52194979

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流8A（IF），反向重复耐压650V（VR），正向导通压降为1.38V（VF），在同类器件中具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具有极小的反向恢复电荷和快速恢复能力，可在高频开关环境中稳定运行。其优异的热导性能支持高功率密度设计，适用于高效率开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度AC-DC转换装置。器件在高温工作条件下仍能保持稳定的电气性能，有助于提升系统整体能效并优化散热布局。

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型号：UJ3D06506TS-HXY 编号：C51896352

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为6A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件具备优良的高温稳定性和快速开关特性，可有效减少反向恢复损耗，适用于高频工作环境。典型应用场景包括高效AC-DC转换器、服务器电源模块、通信设备电源单元及可再生能源发电系统中的整流与续流功能。

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型号：SCS208AGHRC-HXY 编号：C52195013

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少散热需求。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有快速反向恢复能力和良好的热稳定性，支持高频工作模式。典型应用涵盖高效开关电源、通信设备电源单元、太阳能微型逆变器以及高密度DC-DC转换模块，适用于对系统效率和功率密度有较高要求的电路设计。

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型号：WNSC08650T6J-HXY 编号：C51896380

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。

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型号：FFSM0465A-HXY 编号：C51896345

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作能力和快速开关特性，反向恢复时间极短，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于高效开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，满足对功率密度和热管理有严苛要求的应用需求。

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型号：STPS6M100DEE-TR 编号：C3002936

封装：PowerFLAT(3.3x3.3)

品牌：ST(意法半导体)

此肖特基整流器专为开关模式电源和高频 DC 到 DC 转换器而设计。采用 PowerFLAT 封装，该器件适用于低电压、高频、逆变器、续流、旁路二极管和极性保护应用。其低矮外形专为节省空间的应用而设计。

数据手册

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￥6.33

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型号：V30K45-M3/H 编号：C6590244

封装：FlatPAK5x6-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。可提供AEC-Q101认证。汽车订购代码：基础型号为HM3。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

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￥8.97
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￥8.77
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￥8.64

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型号：SCS208AMC-HXY 编号：C52195024

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为8A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备极短的反向恢复时间与较低的开关损耗，支持高频工作模式。典型应用包括高效率开关电源、DC-DC转换模块、光伏逆变单元及高密度电源适配器，适合对散热性能和电路效率有较高要求的紧凑型电子设备设计。

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￥9.652 ￥10.16
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￥9.4335 ￥9.93
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型号：DSC06065-HXY 编号：C51896382

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向压降为1.36V，在同类器件中表现优异，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该器件具备出色的反向恢复性能，支持高频开关运行，减少开关损耗与电磁干扰。可广泛用于高效AC-DC与DC-DC转换器、高密度电源模块、光伏逆变装置及不间断电源系统，满足对热稳定性与长期可靠性要求较高的设计需求。

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型号：SD3065CTDL-HXY 编号：C51896340

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于较高功率等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。

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￥10.26 ￥10.8
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￥10.0225 ￥10.55
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￥9.8705 ￥10.39
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￥9.7185 ￥10.23

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型号：SCS210AMC-HXY 编号：C52195025

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如开关模式电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高性能DC-DC转换器中，能够提升系统整体能效并减少散热需求。

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￥10.8585 ￥11.43
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￥10.45 ￥11
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型号：IDK08G120C5XTMA1-HXY 编号：C51896371

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.45V。基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和低导通损耗，反向恢复时间极短，适用于高频开关环境。可用于高效率的AC-DC与DC-DC转换电路，如服务器电源、储能系统及大功率适配器中，有效提升能效并降低散热负担。封装结构优化热传导路径，支持紧凑型设计，满足高可靠性应用对长期稳定运行的需求。

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型号：FFSB0865B-F085-HXY 编号：C52194999

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，在高电流工作条件下仍保持较低功耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性和极短的反向恢复时间，显著减少开关损耗。适用于高效率AC-DC与DC-DC转换电路，常见于服务器电源、通信设备电源模块、可再生能源逆变装置及高密度适配器等对热管理和转换效率有较高要求的应用场景。

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型号：MIC2289C-34YD6-TR 编号：C625694

封装：TSOT-23-6L

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款PWM（脉冲宽度调制）升压开关稳压器，针对恒流白光LED驱动应用进行了优化。具有内部肖特基二极管和三级输出过压保护，提供了一种小尺寸且高效的DC/DC解决方案，仅需四个外部组件。为优化效率，反馈电压仅设置为95mV。这降低了电流设定电阻中的功耗，并允许最低的总输出电压，从而使电池的电流消耗最小

数据手册

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￥10.9026 ￥20.19
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￥9.3042 ￥17.23
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￥8.3106 ￥15.39
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￥7.29 ￥13.5

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型号：LSIC2SD065D10A-HXY 编号：C52194978

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.51V。基于碳化硅材料，该器件具有快速开关特性、低反向恢复电荷和良好的热稳定性，适用于高频、高效率的电力电子电路。其性能优势可支持紧凑型电源设计，广泛用于服务器电源、可再生能源逆变装置、不间断电源系统及高功率密度DC-DC转换器中，有助于提升系统能效并减少散热需求。

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￥11.9605 ￥12.59
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￥11.685 ￥12.3
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￥11.5045 ￥12.11
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￥11.324 ￥11.92

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型号：FFSM1065A-HXY 编号：C51896376

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的最高反向重复峰值电压（VR），在额定工作条件下正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具备优异的热稳定性和高电场强度特性，显著减少反向恢复电荷与开关损耗。适用于高效率电源系统，如高功率密度AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、储能系统及高性能服务器电源模块，有助于提升系统能效、缩小被动元件体积，并增强高频工作下的可靠性。

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￥14.3545 ￥15.11
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￥14.022 ￥14.76
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￥13.8035 ￥14.53
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￥13.585 ￥14.3

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型号：LT3483ES6#TRMPBF 编号：C670698

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

LT3483/LT3483A 是微功率反相 DC/DC 转换器，集成肖特基二极管和单电阻反馈。小巧的封装尺寸、高集成度以及纤巧的表面贴装元件的使用，使解决方案尺寸小至 40mm²。这些器件的静态电流在空载时仅为 40µA，关断时则进一步降至 0.1µA。电流限制、固定关断时间控制方案可节省工作电流，从而在宽负载电流范围内实现高效率。精确调整的 10µA 反馈电流可实现单电阻反馈，几乎消除了输出的反馈负载。40V 开关无需使用昂贵的变压器即可产生高达 -38V 的电压输出。

数据手册

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￥47.33
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￥46.17
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￥45.4
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￥42.3985 ￥44.63

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型号：LT3473EDD#PBF 编号：C107840

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3473/LT3473A是采用扁平DFN封装、具有集成肖特基二极管和输出断接电路的微功率升压型DC/DC转换器。内部1A开关允许器件在高达80mA的电流条件下从单节锂离子电池输送25V输出,而自动突发模式操作则可在轻负载条件下保持效率。

数据手册

1+
￥54.43
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￥46.81
30+
￥42.17

有货

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型号：MAX635ACSA+ 编号：C3192885

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

用于5mW至500mW范围内的最小元件DC-DC转换。低功率应用仅需一个二极管、输出滤波电容和一个低成本电感。对于更高功率的应用，需要一个额外的MOSFET和驱动器。芯片上包含低电池检测电路。可分别预设为-5V、-12V和-15V输出，也可以通过添加2个电阻将稳压器设置为其他电平。

1+
￥76.75
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￥73.16
30+
￥66.96
100+
￥57.2415 ￥61.55

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型号：C4D40120D 编号：C5200733

封装：TO-247-3

品牌：CREE LED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关开关。极快的开关速度。用单极整流器替代双极整流器。应用：开关电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

1+
￥120.62
10+
￥115.01
30+
￥105.29

有货

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型号：PC-1019-TP1 编号：C42368119

封装：LSOP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

由红外发射二极管和光电晶体管检测器通过光学耦合封装组成，晶体管光耦可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.

10+
￥0.3179
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￥0.2507
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￥0.2171
3000+
￥0.1919
6000+
￥0.1717
9000+
￥0.1617

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型号：XC6371A350PR 编号：C216657

封装：SOT-89-3

品牌：TOREX(特瑞仕)

XC6371/XC6372系列是一组采用PWM控制和PWM/PFM控制的升压型DC/DC转换器。内置1.4Ω开关晶体管类型，仅需使用线圈、二极管和电容三个元件即可配置升压电路。输出电压可在2.0V至7.0V范围内以0.01V为增量进行选择（精度：±2.5%）

数据手册

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￥0.358 ￥3.58
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￥0.32 ￥3.2
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￥0.301 ￥3.01
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￥0.282 ￥2.82
500+
￥0.271 ￥2.71
1000+
￥0.265 ￥2.65

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型号：XL6107 编号：C41409393

封装：SOT-23-6

品牌：XLSEMI(芯龙)

一款内置高频功率晶体管和肖特基二极管的高效率升压型DC-DC转换器，支持输入电压2.5V~20V。芯片开关频率1.2MHz，内置频率补偿电路，允许使用价格适宜的小型外部元器件，降低整个电源系统的成本并减小印制电路板的空间。采用外部分压电阻器设定输出电压值，410mV的低反馈电压大幅度地减少了外部采样电阻的功耗。EN引脚可支持TTL开关机功能，内置输出过压保护及热关断保护功能。适用于极低静态电流和超小尺寸的应用。

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￥0.4383
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