DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SICPT20120Y-BP-HXY 编号：C52195036

封装：TO-247-2L

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为20A，反向耐压达1200V，具备较高的功率处理能力。其正向导通压降为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管支持高频、高温工作环境，反向恢复时间短，漏电流小，适用于高密度电源转换装置。典型应用场景包括高效DC-DC变换器、不间断电源、可再生能源逆变系统以及高性能整流模块等，满足对能效和可靠性要求较高的电路设计需求。

1+
￥25.118 ￥26.44
10+
￥24.5385 ￥25.83
30+
￥24.1585 ￥25.43
90+
￥23.7785 ￥25.03

有货

立即购买

型号：UJ3D1210K2-HXY 编号：C52195038

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压为1200V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.47V，具备较低的导通损耗，有助于提高能效并减少热耗散。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，同时具备良好的高温稳定性和长期可靠性。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源转换器、光伏逆变装置、储能系统中的功率整流与续流环节，适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电路设计。

1+
￥26.315 ￥27.7
10+
￥25.707 ￥27.06
30+
￥25.308 ￥26.64
90+
￥24.909 ￥26.22

有货

立即购买

型号：LT3571EUD#TRPBF 编号：C670926

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

高APD电压：高达70V 集成肖特基二极管 75V，370mA 内部开关高压侧固定电压降 APD 电流监视器可调频率：250kHz 至 2MHz 频率同步宽电压范围：2.7V 至 20V 恒压和恒流调节可编程电流限制保护表面贴装元件低关断电流 <1μA 内部软启动内部补偿 CTRL 引脚允许无极性反转的输出调整 3mm x 3mm 16引脚QFN封装LT3571是一款电流模式升压DC/DC转换器，专为在光接收器中偏置雪崩光电二极管（APD）而设计，输出电压可达75V。LT3571具有高压侧固定电压降APD电流监视器，在整个温度范围内具有优于10%的相对精度。集成的功率开关、肖特基二极管和APD电流监视器使得解决方案具有较小的尺寸和较低的成本。它结合了传统的电压环路和独特的电流环路，可以作为恒流源或恒压源工作。基于电感的拓扑结构确保输入免受开关噪声的影响。集成的高压侧电流监视器产生与APD电流成比例的电流，在250nA至2.5mA的输入范围内，动态范围跨越四个数量级时，相对精度优于10%。该电流可用作参考，通过CTRL引脚提供数字编程的输出电压。LT3571采用小巧的3mm x 3mm 16引脚QFN封装。

数据手册

1+
￥29.31
10+
￥28.56
30+
￥28.06
100+
￥27.2844 ￥27.56

有货

立即购买

型号：SIP-HV1A12D 编号：C41371795

封装：SIP,24.1x6.2mm

品牌：MiRelay(米高莱)

线圈电压12V,带二极管，一组常开：1A（单刀单掷-常开),最大切换电压：1000v@DC，最大切换电流：1A,最大额定功率:100W

1+
￥36.07
10+
￥30.99
21+
￥27.9

有货

立即购买

型号：LTC3412AEFE#TRPBF 编号：C684695

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一种高效的单片同步降压DC/DC转换器，采用恒定频率、电流模式架构。它的输入电压范围为2.25V至5.5V，可提供0.8V至5V的稳压输出电压，同时提供高达3A的输出电流。内部同步功率开关的导通电阻为77mΩ，可提高效率，无需外部肖特基二极管。开关频率由外部电阻设置，也可与外部时钟同步

数据手册

1+
￥49.03
10+
￥47.88
30+
￥47.11
100+
￥43.5596 ￥46.34

有货

立即购买

型号：LT3470HTS8#TRPBF 编号：C670621

封装：TSOT-23-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT3470是一款微功耗降压型DC/DC转换器，它将一个300mA的功率开关、续流二极管和升压二极管集成到了3mm×2mm的DD和ThinSOT超薄封装中。LT3470结合了突发模式和连续工作模式，允许使用小型电感和电容，同时为高达200mA的负载提供低纹波输出。凭借4V至40V的宽输入范围，LT3470可以对多种电源进行稳压，包括两节锂离子电池、非稳压墙式变压器和铅酸电池

数据手册

1+
￥68.3662 ￥72.73
10+
￥66.082 ￥70.3

有货

立即购买

型号：PC-1018-TP1 编号：C42368118

封装：LSOP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

由红外发射二极管和光电晶体管检测器通过光学耦合封装组成，晶体管光耦可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.

10+
￥0.3173
100+
￥0.2501
300+
￥0.2165
3000+
￥0.1913
6000+
￥0.1711
9000+
￥0.161

有货

立即购买

型号：BCT1815EUT-TR 编号：C2887841

封装：SOT-23-6

品牌：BROADCHIP(广芯电子)

BCT1815是一款高效率、高频同步DC-DC降压转换器,具有2.7V至5.5V的输入电压范围,2A的输出电流,1MHz的开关频率,以及低至0.6V的输出电压。内部同步开关提高了效率,无需外部肖特基二极管。该器件还集成了电流限制、输出短路保护和热保护功能,采用6引脚SOT23-6封装。

数据手册

5+
￥0.54384 ￥0.6798
50+
￥0.42864 ￥0.5358
150+
￥0.37104 ￥0.4638
500+
￥0.32784 ￥0.4098
3000+
￥0.28616 ￥0.3577
6000+
￥0.2688 ￥0.336

有货

立即购买

型号：MD88R50 编号：C920537

封装：SOT-23-5L

品牌：明达微

MD88R50是一款高效率、低纹波的PFM控制型DC-DC升压稳压芯片。该芯片具有极低的启动电压和高输出电压精度,仅需电感、电容、肖特基二极管三个外部元器件即可完成电池电压升压。芯片内部包括输出电压反馈和补偿网络、启动电路、振荡电路、PFM控制电路、参考电压电路、过流保护电路以及输出功率管。

数据手册

5+
￥0.8185
50+
￥0.6505
150+
￥0.5665
500+
￥0.5035

有货

立即购买

型号：NRVB120VLSFT1G 编号：C604264

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

此产品使用肖特基势垒原理和大面积金属硅功率二极管，非常适合用于低压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。该封装还提供了一种易于使用的替代无铅34封装样式。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多电源电压“Oring”和其他对性能和尺寸要求严格的应用。

数据手册

1+
￥1.42
10+
￥1.39
30+
￥1.37
100+
￥1.35

有货

立即购买

型号：SDT10A45P5-7 编号：C2759901

封装：Power-DI-5-3

品牌：DIODES(美台)

SDT10A45P5采用紧凑且散热高效的PowerDi5封装，具备极低的正向压降（VF），并在高温下拥有出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作DC - DC转换器、AC - DC适配器中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管。

9000+
￥0.790482
18000+
￥0.770385
27000+
￥0.743589
54000+
￥0.723492

我要订货

型号：RT5797ALGQW 编号：C2962578

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT5797A 是一款高效的同步降压DC-DC转换器,其输入电压范围为2.7V至6V,可提供0.6V至3.4V的可调输出电压,最大输出电流为3A。内部同步低导通电阻功率开关提高了效率并消除了对外部肖特基二极管的需求。采用恒定导通时间控制环设计,优化了瞬态响应和环路稳定性。

数据手册

5+
￥1.9676
50+
￥1.5728
150+
￥1.4036
500+
￥1.1924

有货

立即购买

型号：RT8010GQW 编号：C130803

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8010/A 是一款高效率脉冲宽度调制 (PWM) 降压 DC/DC 转换器,能够提供 1A 的输出电流,适用于便携式电子设备。它支持 2.5V 至 5.5V 的宽输入电压范围,具有可调输出电压和固定输出电压版本。该器件具有 1.5MHz 固定频率 PWM 操作,内置低导通电阻的同步整流器,无需外部肖特基二极管。此外,它还具有软启动、过温保护和过流保护功能。

数据手册

5+
￥2.097
50+
￥1.7479
150+
￥1.5984
500+
￥1.4117
2500+
￥0.9502
5000+
￥0.9003

有货

立即购买

型号：ZLLS1000QTA 编号：C3758234

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低等效导通电阻。极低泄漏电流（典型值为 6μA @30V）。高电流能力（IF = 1.16A）。低正向电压，快速开关肖特基二极管。 SOT23 封装。与低温等效型号 ZHCS1000Q 互补。应用：DC-DC 转换器。闪光灯

1+
￥2.93
10+
￥2.33
30+
￥2.08
100+
￥1.76
500+
￥1.61

有货

立即购买

型号：S3D06065A-HXY 编号：C51896247

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷，可实现高速开关操作。适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块，尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统，有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

1+
￥3.4105 ￥3.59
10+
￥3.3345 ￥3.51
50+
￥3.287 ￥3.46
100+
￥3.23 ￥3.4

有货

立即购买

型号：E4D02120E-TR-HXY 编号：C51896348

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，正向压降（VF）典型值为1.36V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐压能力与较低的导通损耗，同时具有极短的反向恢复时间，适用于高电压、高频率的开关电源环境。典型应用包括高压电源模块、大功率DC-DC转换器、不间断电源系统及光伏逆变器中的功率整流单元，有助于提升系统能效并减少散热设计复杂度。

1+
￥4.8545 ￥5.11
10+
￥4.7405 ￥4.99
30+
￥4.6645 ￥4.91
100+
￥4.598 ￥4.84

有货

立即购买

型号：DSC08C065D1-13-HXY 编号：C51896318

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的反向恢复性能，可显著减少开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。适用于高效电源适配器、不间断电源系统、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器等应用，能够在较宽温度范围内稳定运行，提升整体系统可靠性。

1+
￥4.8545 ￥5.11
10+
￥4.7405 ￥4.99
30+
￥4.6645 ￥4.91
100+
￥4.598 ￥4.84

有货

立即购买

型号：DSC06A065D1-13-HXY 编号：C51896316

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率的高效率电源系统。其正向压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性，器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能，支持高频开关操作。该二极管可在较高结温下稳定工作，适用于紧凑型电源设计。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

1+
￥4.8545 ￥5.11
10+
￥4.7405 ￥4.99
30+
￥4.6645 ￥4.91
100+
￥4.598 ￥4.84

有货

立即购买

型号：VSC04ET07T-M3-HXY 编号：C51896299

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。基于碳化硅材料，具备优异的高频开关性能与较低的反向恢复电荷，可显著减少开关损耗。其耐高温特性支持在高热应力环境下稳定运行，有助于提升系统能效与功率密度。适用于高效率电源转换应用，如服务器电源、可再生能源逆变装置、储能系统中的功率变换模块以及高密度AC-DC/DC-DC转换器，适合对热管理与空间布局有较高要求的场景。

1+
￥4.8545 ￥5.11
10+
￥4.7405 ￥4.99
50+
￥4.6645 ￥4.91
100+
￥4.598 ￥4.84

有货

立即购买

型号：DSC06A065-HXY 编号：C51896322

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、光伏逆变系统、高密度DC-DC转换器及高性能电源适配器等，能够提升系统整体能效并简化散热设计。

1+
￥4.8545 ￥5.11
10+
￥4.7405 ￥4.99
50+
￥4.6645 ￥4.91
100+
￥4.598 ￥4.84

有货

立即购买

型号：IDH06G65C6-HXY 编号：C51896323

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。其高温稳定性良好，可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路，如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统，有助于提升整体能效并减小系统体积。

1+
￥4.9685 ￥5.23
10+
￥4.864 ￥5.12
50+
￥4.788 ￥5.04
100+
￥4.712 ￥4.96

有货

立即购买

型号：WNSC04650T6J-HXY 编号：C51896321

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器，适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。

1+
￥5.2155 ￥5.49
10+
￥5.092 ￥5.36
30+
￥5.016 ￥5.28
100+
￥4.94 ￥5.2

有货

立即购买

型号：SIC0860P-BP-HXY 编号：C52194984

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关速度和高温工作能力，可有效降低热应力，支持高频运行。典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、服务器电源模块以及对散热设计和空间布局有较高要求的高密度电源系统，适合追求高效率与小型化的设计需求。

1+
￥6.0325 ￥6.35
10+
￥5.8995 ￥6.21
50+
￥5.8045 ￥6.11
100+
￥5.719 ￥6.02

有货

立即购买

型号：DSC10C065-HXY 编号：C52194997

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.38V，在高频开关过程中可显著降低导通损耗，提升转换效率。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿场强，该器件可在较高温度环境下稳定运行，并支持更高的开关频率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源、储能系统中的功率因数校正电路及高压直流变换模块。

1+
￥6.0325 ￥6.35
10+
￥5.8995 ￥6.21
50+
￥5.8045 ￥6.11
100+
￥5.719 ￥6.02

有货

立即购买

型号：SICB0860P-HXY 编号：C52194986

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.42V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

1+
￥6.0325 ￥6.35
10+
￥5.8995 ￥6.21
30+
￥5.8045 ￥6.11
100+
￥5.719 ￥6.02

有货

立即购买

型号：NXPSC066506Q-HXY 编号：C51896349

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的平均正向整流电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中，有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

1+
￥6.0325 ￥6.35
10+
￥5.8995 ￥6.21
50+
￥5.8045 ￥6.11
100+
￥5.719 ￥6.02

有货

立即购买

型号：V40PWM10C-M3/I 编号：C3759231

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形-典型高度为1.3 mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴片。低正向压降，低功率损耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，无铅，最高峰值温度260℃。应用：用于低压高频DC/DC转换器。续流二极管

1+
￥6.36
10+
￥6.2
30+
￥6.1

有货

立即购买

型号：V35PW45-M3/I 编号：C6908451

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的外形高度，典型值为 1.3mm。采用沟槽 MOS 肖特基技术。适合自动贴装。正向压降低，功率损耗低。高效运行。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃。应用：用于低压高频 DC/DC 转换器。续流二极管

1+
￥6.96
10+
￥6.82
30+
￥6.72

有货

立即购买

型号：SICR10650-HXY 编号：C52194985

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性，适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中，满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
50+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

型号：FFSP0465A-HXY 编号：C51896357

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.53V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与快速开关特性，反向恢复损耗极低。适用于高频率、高效率的电源转换电路，可用于开关电源、DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源适配器等应用。其性能有助于降低系统热耗散需求，提升功率密度，适合对能效和空间布局有较高要求的电力电子设计。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥7.0775 ￥7.45
50+
￥6.973 ￥7.34
100+
￥6.859 ￥7.22

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示