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降压型 2A 2.7V~5.5V

型号：BCT1815EUT-TR 编号：C2887841

封装：SOT-23-6

品牌：BROADCHIP(广芯电子)

BCT1815是一款高效率、高频同步DC-DC降压转换器,具有2.7V至5.5V的输入电压范围,2A的输出电流,1MHz的开关频率,以及低至0.6V的输出电压。内部同步开关提高了效率,无需外部肖特基二极管。该器件还集成了电流限制、输出短路保护和热保护功能,采用6引脚SOT23-6封装。

数据手册

5+
￥0.56024 ￥0.7003
50+
￥0.44504 ￥0.5563
150+
￥0.38744 ￥0.4843
500+
￥0.34424 ￥0.4303
3000+
￥0.30968 ￥0.3871
6000+
￥0.2924 ￥0.3655

有货

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升压型 750mA 800mV

型号：TP8350-SOT89-R 编号：C21998

封装：SOT-89-3

品牌：TOPPOWER(南京拓微)

TP83系列是超低供电电流的升压型DC-DC转换器,采用CMOS工艺。该IC包括振荡器、VFM控制电路、驱动晶体管（Lx开关）、参考电压单元、电压检测电阻、误差放大器和Lx开关保护电路。TP83系列升压DC-DC转换器采用VFM模式,与其他同类产品相比,具有更低的纹波电压、更好的驱动能力和更高的效率。仅需三个外部组件即可应用,即电感、二极管和电容。

数据手册

5+
￥0.58235 ￥0.613
50+
￥0.47747 ￥0.5026
150+
￥0.42503 ￥0.4474
500+
￥0.3857 ￥0.406
2500+
￥0.303145 ￥0.3191
4000+
￥0.287375 ￥0.3025

有货

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降压型 1A 2.5V~5.5V

型号：ZTP7106T 编号：C481266

封装：TSOT-23-5L

品牌：ZILLTEK(钰太)

ZTP7106是一款高效率的降压DC/DC转换器,采用电流模式和恒定频率操作。内部开关和同步整流器集成在一起,无需外部肖特基二极管。支持2.5V至5.5V的输入电压范围,可提供1A的负载电流。开关频率为1.5MHz,允许使用小型表面贴装电感和电容。具有过温保护功能。

数据手册

5+
￥0.5966
50+
￥0.4814
150+
￥0.4238
500+
￥0.3806
3000+
￥0.346

有货

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电压:45V 电流:10A

型号：SDT10A45P5-7 编号：C2759901

封装：Power-DI-5-3

品牌：DIODES(美台)

SDT10A45P5采用紧凑且散热高效的PowerDi5封装，具备极低的正向压降（VF），并在高温下拥有出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作DC - DC转换器、AC - DC适配器中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管。

5+
￥1.509
50+
￥1.2169
150+
￥1.0918

有货

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DC双向马达驱动电路

型号：D6289 编号：C20883053

封装：SOP-8

品牌：Silicore(芯谷)

D6289 是一款 DC 双向马达驱动电路，它适用于玩具类等的电机驱动、自动阀门电机驱动、电磁门锁驱动等。它有两个逻辑输入端子用来控制电机前进、后退及制动。该电路具有良好的抗干扰性，微小的待机电流、低的输出内阻，同时，它还具有内置二极管能释放感性负载的反向冲击电流。

1+
￥2.5
10+
￥1.99
30+
￥1.77
100+
￥1.5
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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降压型 3A 2.7V~5.5V

型号：RT8065ZQW(Z10) 编号：C130807

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8065是一款高效率同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为2.7V至5.5V,提供可调输出电压0.8V至5V,最大输出电流可达3A。内部同步低阻抗功率开关提高效率并消除对外部肖特基二极管的需求,默认开关频率为2MHz。

数据手册

1+
￥2.8939 ￥6.73
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￥2.013 ￥6.1
30+
￥1.3225 ￥5.75
100+
￥1.2328 ￥5.36
500+
￥1.1937 ￥5.19
1500+
￥1.1753 ￥5.11

有货

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S3D06065A-HXY

型号：S3D06065A-HXY 编号：C51896247

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷，可实现高速开关操作。适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块，尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统，有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

1+
￥6.042 ￥6.36
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￥4.8925 ￥5.15
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￥4.3225 ￥4.55
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￥3.7525 ￥3.95
500+
￥3.4105 ￥3.59
1000+
￥3.23 ￥3.4

有货

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S3D08065E-HXY

型号：S3D08065E-HXY 编号：C51896309

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

1+
￥6.1465 ￥6.47
10+
￥4.978 ￥5.24
30+
￥4.3985 ￥4.63
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￥3.819 ￥4.02
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￥3.4675 ￥3.65
1000+
￥3.287 ￥3.46

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S3D10065E-HXY

型号：S3D10065E-HXY 编号：C51896241

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，导通时正向压降（VF）低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器，能够有效降低开关损耗，提升整体能效，并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

1+
￥7.0965 ￥7.47
10+
￥5.8995 ￥6.21
30+
￥5.244 ￥5.52
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￥4.503 ￥4.74
500+
￥4.1705 ￥4.39
1000+
￥4.0185 ￥4.23

有货

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VSC04ET07T-M3-HXY

型号：VSC04ET07T-M3-HXY 编号：C51896299

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。基于碳化硅材料，具备优异的高频开关性能与较低的反向恢复电荷，可显著减少开关损耗。其耐高温特性支持在高热应力环境下稳定运行，有助于提升系统能效与功率密度。适用于高效率电源转换应用，如服务器电源、可再生能源逆变装置、储能系统中的功率变换模块以及高密度AC-DC/DC-DC转换器，适合对热管理与空间布局有较高要求的场景。

1+
￥8.113 ￥8.54
10+
￥6.745 ￥7.1
50+
￥5.9945 ￥6.31
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￥5.1395 ￥5.41
500+
￥4.769 ￥5.02
1000+
￥4.598 ￥4.84

有货

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DSC06A065-HXY

型号：DSC06A065-HXY 编号：C51896322

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低开关损耗。器件适用于高效率电源转换场合，如大功率开关电源、光伏逆变系统、高密度DC-DC转换器及高性能电源适配器等，能够提升系统整体能效并简化散热设计。

1+
￥8.113 ￥8.54
10+
￥6.745 ￥7.1
50+
￥5.9945 ￥6.31
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￥5.1395 ￥5.41
500+
￥4.769 ￥5.02
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￥4.598 ￥4.84

有货

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IDH06G65C6-HXY

型号：IDH06G65C6-HXY 编号：C51896323

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。其高温稳定性良好，可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路，如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统，有助于提升整体能效并减小系统体积。

1+
￥8.3125 ￥8.75
10+
￥6.916 ￥7.28
50+
￥6.1465 ￥6.47
100+
￥5.2725 ￥5.55
500+
￥4.883 ￥5.14
1000+
￥4.712 ￥4.96

有货

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WNSC04650T6J-HXY

型号：WNSC04650T6J-HXY 编号：C51896321

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器，适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。

1+
￥8.721 ￥9.18
10+
￥7.2485 ￥7.63
30+
￥6.441 ￥6.78
100+
￥5.529 ￥5.82
500+
￥5.1205 ￥5.39
1000+
￥4.94 ￥5.2

有货

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SIC0860P-BP-HXY

型号：SIC0860P-BP-HXY 编号：C52194984

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复峰值电压（VR）为650V，适用于中高功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关速度和高温工作能力，可有效降低热应力，支持高频运行。典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、服务器电源模块以及对散热设计和空间布局有较高要求的高密度电源系统，适合追求高效率与小型化的设计需求。

1+
￥9.557 ￥10.06
10+
￥8.1225 ￥8.55
50+
￥7.2295 ￥7.61
100+
￥6.308 ￥6.64
500+
￥5.8995 ￥6.21
1000+
￥5.719 ￥6.02

有货

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DSC10C065-HXY

型号：DSC10C065-HXY 编号：C52194997

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降为1.38V，在高频开关过程中可显著降低导通损耗，提升转换效率。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿场强，该器件可在较高温度环境下稳定运行，并支持更高的开关频率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、不间断电源、储能系统中的功率因数校正电路及高压直流变换模块。

1+
￥9.557 ￥10.06
10+
￥8.1225 ￥8.55
50+
￥7.2295 ￥7.61
100+
￥6.308 ￥6.64
500+
￥5.8995 ￥6.21
1000+
￥5.719 ￥6.02

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NXPSC066506Q-HXY

型号：NXPSC066506Q-HXY 编号：C51896349

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的平均正向整流电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中，有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

1+
￥9.557 ￥10.06
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￥8.1225 ￥8.55
50+
￥7.2295 ￥7.61
100+
￥6.308 ￥6.64
500+
￥5.8995 ￥6.21
1000+
￥5.719 ￥6.02

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SICB0860P-HXY

型号：SICB0860P-HXY 编号：C52194986

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.42V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持更高的开关频率和工作温度，适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合，如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器，能够满足复杂工况下的可靠性需求。

1+
￥9.557 ￥10.06
10+
￥8.1225 ￥8.55
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￥7.2295 ￥7.61
100+
￥6.308 ￥6.64
500+
￥5.8995 ￥6.21
800+
￥5.719 ￥6.02

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耐压:300V 电流:15A 反向恢复时间：33ns

型号：VS-30CTH03-M3 编号：C468079

封装：ITO-220AB-3

品牌：VISHAY(威世)

300 V 系列是先进的超快恢复整流器，在正向压降和超快恢复时间方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源、不间断电源、DC/DC 转换器的输出整流阶段，以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。

数据手册

1+
￥9.65
10+
￥8.08
30+
￥7.11

有货

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600V 15A

型号：VS-15EWH06FNTR-M3 编号：C17428100

封装：D-PAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

具有超快恢复时间、低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，正向压降、恢复时间和软恢复性能经过优化的超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。可用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管，其优化的存储电荷和低恢复电流可降低开关损耗和开关元件及缓冲器的过耗散。

1+
￥10.46
10+
￥8.68
30+
￥7.71

有货

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SICR10650-HXY

型号：SICR10650-HXY 编号：C52194985

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性，适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中，满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。

1+
￥11.4665 ￥12.07
10+
￥9.747 ￥10.26
50+
￥8.6735 ￥9.13
100+
￥7.5715 ￥7.97
500+
￥7.0775 ￥7.45
1000+
￥6.859 ￥7.22

有货

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FFSP0465A-HXY

型号：FFSP0465A-HXY 编号：C51896357

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.53V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温稳定性与快速开关特性，反向恢复损耗极低。适用于高频率、高效率的电源转换电路，可用于开关电源、DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源适配器等应用。其性能有助于降低系统热耗散需求，提升功率密度，适合对能效和空间布局有较高要求的电力电子设计。

1+
￥11.4665 ￥12.07
10+
￥9.747 ￥10.26
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￥8.6735 ￥9.13
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￥7.5715 ￥7.97
500+
￥7.0775 ￥7.45
1000+
￥6.859 ￥7.22

有货

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SCS210AGC17-HXY

型号：SCS210AGC17-HXY 编号：C52194993

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.38V，在高电流工作条件下仍可保持较低的导通损耗。基于碳化硅材料，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，有助于减少系统开关损耗并提升转换效率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高密度电源适配器以及对热管理要求较高的封闭式电子设备中的整流单元。

1+
￥11.4665 ￥12.07
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￥6.859 ￥7.22

有货

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S3D10065L-HXY

型号：S3D10065L-HXY 编号：C51896320

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.37V，有效降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、较小的反向恢复电荷及良好的热稳定性，适合在高频、高效率电源设计中应用。典型使用场景包括高效AC-DC/DC-DC转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器等对性能与可靠性要求较高的场合。

1+
￥11.4665 ￥12.07
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有货

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FFSM0665B-HXY

型号：FFSM0665B-HXY 编号：C51896312

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.32V，显著减少导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，器件具备优良的高温工作能力与快速恢复特性，支持高频开关运行。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC转换器、可再生能源发电系统的功率调节模块、高密度电源适配器以及不间断电源设备中的整流与反向阻断电路，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子设计。

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有货

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SIC0860PL8-HXY

型号：SIC0860PL8-HXY 编号：C51896314

封装：DFN-5B(8x8)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降（VF）低至1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备快速恢复速度和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。

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650V 30A

型号：IDW30C65D1 编号：C535948

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。采用650V发射极控制技术。关键参数具有温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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VS3C08ET07T-M3-HXY

型号：VS3C08ET07T-M3-HXY 编号：C52195023

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.38V，在高频开关条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置，适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。

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SCS308AHGC9-HXY

型号：SCS308AHGC9-HXY 编号：C52194979

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流8A（IF），反向重复耐压650V（VR），正向导通压降为1.38V（VF），在同类器件中具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具有极小的反向恢复电荷和快速恢复能力，可在高频开关环境中稳定运行。其优异的热导性能支持高功率密度设计，适用于高效率开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度AC-DC转换装置。器件在高温工作条件下仍能保持稳定的电气性能，有助于提升系统整体能效并优化散热布局。

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SCS208AGHRC-HXY

型号：SCS208AGHRC-HXY 编号：C52195013

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升能效并减少散热需求。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有快速反向恢复能力和良好的热稳定性，支持高频工作模式。典型应用涵盖高效开关电源、通信设备电源单元、太阳能微型逆变器以及高密度DC-DC转换模块，适用于对系统效率和功率密度有较高要求的电路设计。

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UJ3D06506TS-HXY

型号：UJ3D06506TS-HXY 编号：C51896352

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为6A，反向重复耐压（VR）达650V，适用于中等功率电源转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.36V，显著降低导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件具备优良的高温稳定性和快速开关特性，可有效减少反向恢复损耗，适用于高频工作环境。典型应用场景包括高效AC-DC转换器、服务器电源模块、通信设备电源单元及可再生能源发电系统中的整流与续流功能。

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