DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSSOP-16-EP

LTC3412是一款高效的单片式同步降压型DC/DC转换器，采用恒定频率、电流模式架构。它的输入电压范围为2.625V至5.5V，可提供0.8V至5V的可调稳压输出电压，同时输出电流最高可达2.5A。内部同步功率开关的导通电阻为85mΩ，可提高效率，且无需外部肖特基二极管

数据手册

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￥23.3436 ￥23.82
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￥19.7764 ￥20.18
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￥17.6596 ￥18.02
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￥15.5232 ￥15.84
500+
￥14.5334 ￥14.83
1000+
￥14.0924 ￥14.38

有货

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型号：LSIC2SD120A20A-HXY 编号：C52195021

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频开关下的高效导通与快速恢复，反向漏电流小，耐高温性能优异。适用于高效率电源转换拓扑，如大功率开关电源、DC-DC变换器及光伏逆变电路，有助于减小系统体积并提升整体能效。其封装设计利于散热管理，满足严苛工作环境下的可靠性要求。

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￥35.8815 ￥37.77
10+
￥35.055 ￥36.9
50+
￥34.5135 ￥36.33
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￥33.9625 ￥35.75

有货

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型号：SIC20120B-BP-HXY 编号：C52195042

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间短，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流模块以及高密度DC-DC变换器，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。

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￥38.2755 ￥40.29
10+
￥37.392 ￥39.36
50+
￥36.8125 ￥38.75
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￥36.233 ￥38.14

有货

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型号：LT3465ES6#TRPBF 编号：C670584

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是升压 DC/DC 转换器，用于从锂离子电池驱动多达六个串联的 LED。LED 串联连接可提供相同的 LED 电流，无需镇流电阻。该设备集成了竞品设备外部所需的肖特基二极管。其他功能包括 LED 断开时的输出电压限制、单引脚关断和调光控制。以 1.2MHz 开关频率工作，允许使用小型外部组件。采用 6 引脚 SOT-23（ThinSOT）封装。

数据手册

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￥39.55
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￥38.62
30+
￥37.99
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￥35.8752 ￥37.37

有货

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型号：CSIC10-1200SL-HXY 编号：C51896399

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压工作场景。其正向压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的优异特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温稳定性。适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源供应系统，可满足对功率密度与转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

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￥41.857 ￥44.06
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￥40.8975 ￥43.05
50+
￥40.261 ￥42.38
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￥39.6245 ￥41.71

有货

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型号：LTC7801EUFD#PBF 编号：C690200

封装：WQFN-24-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7801是一款高性能同步降压开关调节器DC/DC控制器,驱动全N沟道同步功率MOSFET阶段,可从高达140V的输入电压运行。它具有宽输入电压范围（4V至140V）、宽输出电压范围（0.8V至60V）、可调门驱动电平（5V至10V）、低运行静态电流（40μA）、100%占空比操作、集成自举二极管、可选门驱动欠压锁定阈值、板载LDO或外部NMOS LDO为DRVcc供电、可编程固定频率（50kHz至900kHz）、可选连续、脉冲跳跃或低纹波突发模式操作等功能。

数据手册

1+
￥101.07
10+
￥96.33
30+
￥88.11

有货

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型号：CDM4620IV 编号：C41419039

封装：LGA-144(15x15)

品牌：CYT(长运通)

独立双通道13A或单通道26A输出降压式DC/DC微模块稳压器，内置温度检测二极管以提供温度监测功能，有过压和过流故障保护功能

1+
￥274.977 ￥305.53
30+
￥265.257 ￥294.73

有货

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型号：CDM4650IV 编号：C41419040

封装：LGA-144(15x15)

品牌：CYT(长运通)

独立双通道25A或单通道50A输出降压式DC/DC微模块稳压器，内置温度检测二极管以提供温度监测功能，有过压和过流保护故障保护功能

1+
￥395.154 ￥439.06
30+
￥381.186 ￥423.54

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型号：SS320 编号：C5199122

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装肖特基二极管，专为高功率与高效转换设计。具有200V的卓越反向耐压及3A的大电流承载力，正向导通电压VF低至0.95V，确保了优异的能效和高速切换性能。适用于DC-DC转换器、开关电源及需要快速恢复特性的高频整流场合。

数据手册

10+
￥0.2639
100+
￥0.259
300+
￥0.2558
1000+
￥0.2525

有货

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型号：MDD7630-323 编号：C42432118

封装：SOT-323

品牌：MEGSINE(兆讯)

肖特基二极管,检波管,频率DC-6000,反向电压30,反向电流30,动态范围45,封装SOT-323

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￥0.430445 ￥0.4531
50+
￥0.42047 ￥0.4426
150+
￥0.41382 ￥0.4356
500+
￥0.40717 ￥0.4286

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型号：DS110W 编号：C50176897

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管额定正向电流为1A，反向重复耐压达100V，适用于中等电压、低电流的整流与续流场景。其正向导通压降为0.85V，在同类器件中具备较好的导通特性，有助于降低功耗。反向漏电流典型值为200μA，可在常温环境下保持稳定的阻断性能。该器件常用于电源适配器、小型开关电源模块、电池管理系统、消费类电子产品中的极性保护电路，以及DC-DC变换电路中作为续流或隔离元件，适合对空间布局和能效有一定要求的应用场合。

5+
￥0.572565 ￥0.6027
50+
￥0.560025 ￥0.5895
150+
￥0.551665 ￥0.5807
500+
￥0.54321 ￥0.5718

有货

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型号：XL6108 编号：C42420065

封装：SOP-8-EP

品牌：XLSEMI(芯龙)

XL6108是一款内置高频功率晶体管和肖特基二极管的高效率升压型DC-DC转换器，支持输入电压2.5V~25V。芯片开关频率1.2MHz，内置频率补偿电路，允许使用价格适宜的小型外部元器件，降低整个电源系统的成本并减小印制电路板的空间。

5+
￥0.8805
50+
￥0.8608
150+
￥0.8477
500+
￥0.8345

有货

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型号：MBR20200FCT 编号：C50176903

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有20A的正向整流电流（IF）和200V的反向耐压（VR），适用于较高电压与电流的工作环境。其正向导通压降（VF）为1.4V，在大电流下功耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）为5μA，表现出良好的阻断特性。由于其快速开关响应和低损耗特性，常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高频率整流场合，适用于对能效和热管理有要求的电子设备中，提供高效的电流单向导通功能。

5+
￥0.99579 ￥1.0482
50+
￥0.97394 ￥1.0252
150+
￥0.95931 ￥1.0098
500+
￥0.94468 ￥0.9944

有货

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型号：MBR120ESFT1G 编号：C236132

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.1506
50+
￥0.9082
150+
￥0.8042
500+
￥0.6746

有货

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型号：SBR8M100P5Q-13 编号：C5144610

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

这款超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它适用于极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管、阻塞二极管、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器。该器件适用于保护敏感的汽车电路免受 ISO7637-2 中定义的浪涌影响。极性（24V 系统的 ISO7637-2）：脉冲 1：US =-600V；脉冲 2a：US = +112V；脉冲 3a：US =-300V；脉冲 3b：US = +300V。

5+
￥1.2314
50+
￥1.2095
150+
￥1.1949
500+
￥1.1803

有货

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型号：MUR1040FCT 编号：C50176896

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有10A的平均正向整流电流（IF）和400V的反向耐压（VR），正向导通压降低至1.3V，反向漏电流典型值为5μA。其低导通损耗和快速恢复特性，适用于开关电源、逆变电路及DC-DC转换器中的整流与续流环节。器件具备较高的效率和良好的热性能，适合用于高频率功率转换系统，广泛应用于通信设备、消费类电子产品及分布式电源模块中的整流与保护电路。

1+
￥1.8525 ￥1.95
10+
￥1.8145 ￥1.91
50+
￥1.786 ￥1.88
100+
￥1.7575 ￥1.85

有货

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型号：H1D02065AF-HXY 编号：C52145206

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

5+
￥1.92014 ￥2.0212
50+
￥1.51791 ￥1.5978
150+
￥1.34558 ￥1.4164
500+
￥1.1305 ￥1.19
2500+
￥1.03474 ￥1.0892
5000+
￥0.977265 ￥1.0287

有货

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型号：D6289 编号：C20883053

封装：SOP-8

品牌：Silicore(芯谷)

D6289 是一款 DC 双向马达驱动电路，它适用于玩具类等的电机驱动、自动阀门电机驱动、电磁门锁驱动等。它有两个逻辑输入端子用来控制电机前进、后退及制动。该电路具有良好的抗干扰性，微小的待机电流、低的输出内阻，同时，它还具有内置二极管能释放感性负载的反向冲击电流。

5+
￥2.2527
50+
￥1.7689
200+
￥1.5615
500+
￥1.3028
2500+
￥1.1876
5000+
￥1.1184

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型号：VS-4EVH02-M3/I 编号：C17560334

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

先进的超快恢复整流器,在正向压降和超快恢复时间方面具有优化的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级,或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗。

1+
￥2.39
10+
￥1.86
30+
￥1.64
100+
￥1.35
500+
￥1.23

有货

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型号：RT8065ZQW(Z10) 编号：C130807

封装：WDFN-8L-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8065是一款高效率同步降压DC/DC转换器,输入电压范围为2.7V至5.5V,提供可调输出电压0.8V至5V,最大输出电流可达3A。内部同步低阻抗功率开关提高效率并消除对外部肖特基二极管的需求,默认开关频率为2MHz。

数据手册

1+
￥3.0958 ￥6.73
10+
￥2.806 ￥6.1
30+
￥2.645 ￥5.75
100+
￥2.4656 ￥5.36
500+
￥2.3874 ￥5.19
1500+
￥2.3506 ￥5.11

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型号：S3D08065E-HXY 编号：C51896309

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

1+
￥3.477 ￥3.66
10+
￥3.3915 ￥3.57
30+
￥3.344 ￥3.52
100+
￥3.287 ￥3.46

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型号：V35PWL63-M3/I 编号：C6310276

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降小，功率损耗低。高效运行。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

1+
￥7.82
10+
￥7.65
30+
￥7.53
100+
￥7.42

有货

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型号：LSIC2SD065C08A-HXY 编号：C51896242

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，支持8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于较高功率密度的电源系统。其正向压降（VF）为1.4V，在导通状态下具备较低的功率损耗。基于碳化硅材料，该器件具有优异的开关特性，反向恢复时间极短，反向恢复电荷小，有效降低高频开关过程中的能量损耗。该性能特点使其适用于高效率AC-DC电源、连续导通模式的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换模块以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电源设计。

1+
￥10.8585 ￥11.43
10+
￥10.6115 ￥11.17
30+
￥10.45 ￥11
100+
￥10.2885 ￥10.83

有货

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型号：VS-15EWH06FNTR-M3 编号：C17428100

封装：D-PAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

具有超快恢复时间、低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，正向压降、恢复时间和软恢复性能经过优化的超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。可用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管，其优化的存储电荷和低恢复电流可降低开关损耗和开关元件及缓冲器的过耗散。

1+
￥12.49
10+
￥10.51
30+
￥9.27

有货

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型号：IDW30C65D1 编号：C535948

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。采用650V发射极控制技术。关键参数具有温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥13.6604 ￥19.24
10+
￥10.0284 ￥16.44
30+
￥7.4919 ￥14.69
90+
￥6.579 ￥12.9
510+
￥6.1659 ￥12.09
990+
￥5.9874 ￥11.74

有货

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型号：F4C20120A 编号：C784612

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。正向电压 (VF) 具有正温度系数。应用：开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正 (PFC) 或 DC/DC 级中的升压二极管

数据手册

1+
￥19.46
10+
￥15.98
50+
￥13.8
100+
￥11.57

有货

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型号：V40PWM63CHM3/I 编号：C7409103

封装：TO-252-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降低，功率损耗低。高效运行。应用：低压高频DC/DC转换器。续流二极管

1+
￥20.11
10+
￥17.35
30+
￥15.7

有货

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型号：WNSC101200Q-HXY 编号：C51896387

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具备出色的开关性能，反向恢复电荷极小，可显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如通信电源、可再生能源逆变系统及高密度DC-DC转换器，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

1+
￥21.527 ￥22.66
10+
￥21.033 ￥22.14
50+
￥20.71 ￥21.8
100+
￥20.3775 ￥21.45

有货

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型号：LSIC2SD065D20A-HXY 编号：C51896328

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关损耗，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括开关模式电源、高密度DC-DC转换器及高频率整流电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的高性能电子设备。

1+
￥23.921 ￥25.18
10+
￥23.37 ￥24.6
50+
￥23.009 ￥24.22
100+
￥22.648 ￥23.84

有货

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型号：SIC15120B-BP-HXY 编号：C51896397

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备15A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，其具有出色的耐压性能、高温稳定性和极低的反向恢复电荷，适用于高电压、高频率的功率转换环境。典型应用包括高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变器以及高压DC-DC转换器。器件在提升系统能效、降低热损耗和减小被动元件体积方面表现突出，适合对功率密度与长期可靠性有严格要求的电力电子设计。

1+
￥28.709 ￥30.22
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￥28.044 ￥29.52
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￥27.607 ￥29.06
100+
￥27.17 ￥28.6

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