DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MBR20200FCT 编号：C50176903

封装：TO-220F

该肖特基二极管具有20A的正向整流电流（IF）和200V的反向耐压（VR），适用于较高电压与电流的工作环境。其正向导通压降（VF）为1.4V，在大电流下功耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）为5μA，表现出良好的阻断特性。由于其快速开关响应和低损耗特性，常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高频率整流场合，适用于对能效和热管理有要求的电子设备中，提供高效的电流单向导通功能。

5+
￥1.84262 ￥1.9396
50+
￥1.45958 ￥1.5364
150+
￥1.29542 ￥1.3636
500+
￥1.0906 ￥1.148
2500+
￥0.9994 ￥1.052
5000+
￥0.94468 ￥0.9944

有货

立即购买

型号：PNU65020EPX-HXY 编号：C52145207

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流为2A，反向重复耐压达650V，适用于中高电压功率电路。其正向导通压降为1.3V，在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提高能量转换效率。反向漏电流典型值为2μA，表现出良好的关断特性和高温稳定性。基于碳化硅材料的优异性能，该器件具备快速恢复能力与较小的结电容，适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中，可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

5+
￥1.85155 ￥1.949
50+
￥1.46376 ￥1.5408
150+
￥1.29751 ￥1.3658
500+
￥1.090125 ￥1.1475
2500+
￥0.997785 ￥1.0503
5000+
￥0.9424 ￥0.992

有货

立即购买

型号：US1NWF-7 编号：C5148544

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

是一款采用SOD123F封装的整流器，适用于功率因数校正电路中的升压二极管。可用于高温条件下的二次整流和续流，适用于消费应用中的AC-AC和DC-DC转换器。

数据手册

5+
￥2.3253
50+
￥1.8624
150+
￥1.664

有货

立即购买

型号：MUR1040FCT 编号：C50176896

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有10A的平均正向整流电流（IF）和400V的反向耐压（VR），正向导通压降低至1.3V，反向漏电流典型值为5μA。其低导通损耗和快速恢复特性，适用于开关电源、逆变电路及DC-DC转换器中的整流与续流环节。器件具备较高的效率和良好的热性能，适合用于高频率功率转换系统，广泛应用于通信设备、消费类电子产品及分布式电源模块中的整流与保护电路。

1+
￥3.268 ￥3.44
10+
￥2.6505 ￥2.79
50+
￥2.3465 ￥2.47
100+
￥2.033 ￥2.14
500+
￥1.8525 ￥1.95
1000+
￥1.7575 ￥1.85

有货

立即购买

型号：S4D02120A-HXY 编号：C51896243

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR），正向压降（VF）为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合，有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器及高压整流应用，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。

1+
￥4.104 ￥4.32
10+
￥3.325 ￥3.5
50+
￥2.9355 ￥3.09
100+
￥2.546 ￥2.68
500+
￥2.318 ￥2.44
1000+
￥2.1945 ￥2.31

有货

立即购买

型号：VS-8EWL06FNTR-M3 编号：C142567

封装：TO-252-2

品牌：VISHAY(威世)

先进的超快速恢复整流器，具有正向压降、超快速恢复时间和软恢复的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.56
30+
￥4.04
100+
￥3.53

有货

立即购买

型号：SICF0860P-BP-HXY 编号：C52194987

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性与抗辐射能力，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。其特性适用于高效率、高频率的电力转换场景，如高性能电源模块、可再生能源逆变系统、服务器电源单元以及高密度DC-DC变换器。器件能有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效，满足严苛的电力电子设计需求。

1+
￥9.557 ￥10.06
10+
￥8.1225 ￥8.55
50+
￥7.2295 ￥7.61
100+
￥6.308 ￥6.64
500+
￥5.8995 ￥6.21
1000+
￥5.719 ￥6.02

有货

立即购买

型号：V60DM100CHM3/I 编号：C413451

封装：TO-263AC

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。非常低的外形，典型高度为1.7mm。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效运行。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260℃。应用：用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或二极管和反向电池保护，适用于商业、工业和汽车应用。

数据手册

1+
￥15.29
10+
￥13.03
30+
￥11.62
100+
￥10.17

有货

立即购买

型号：F4C20120A 编号：C784612

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。正向电压 (VF) 具有正温度系数。应用：开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正 (PFC) 或 DC/DC 级中的升压二极管

数据手册

1+
￥15.97
10+
￥14.01
50+
￥12.79
100+
￥11.53

有货

立即购买

型号：LSIC2SD065C08A-HXY 编号：C51896242

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，支持8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于较高功率密度的电源系统。其正向压降（VF）为1.4V，在导通状态下具备较低的功率损耗。基于碳化硅材料，该器件具有优异的开关特性，反向恢复时间极短，反向恢复电荷小，有效降低高频开关过程中的能量损耗。该性能特点使其适用于高效率AC-DC电源、连续导通模式的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换模块以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电源设计。

1+
￥17.195 ￥18.1
10+
￥14.6205 ￥15.39
30+
￥13.0055 ￥13.69
100+
￥11.3525 ￥11.95
500+
￥10.6115 ￥11.17
1000+
￥10.2885 ￥10.83

有货

立即购买

型号：MSC010SDA120K-HXY 编号：C51896388

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中等电流的电力转换场合。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温工作能力与快速开关性能，反向恢复时间短，可有效减少开关损耗。常用于高效率开关电源、不间断电源系统、光伏逆变器及高功率密度DC-AC转换装置，适用于对能效和热管理有较高要求的电路设计。

1+
￥28.6995 ￥30.21
10+
￥24.624 ￥25.92
50+
￥22.2015 ￥23.37
100+
￥19.7505 ￥20.79
500+
￥18.6295 ￥19.61
1000+
￥18.1165 ￥19.07

有货

立即购买

型号：SCS320AHGC9-HXY 编号：C51896372

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于较高功率密度的电力转换电路。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，可显著减少开关过程中的能量损耗。器件具备优异的高温工作性能与热导率，适合在紧凑型电源设计中实现高效整流与续流功能。广泛应用于服务器电源、通信电源模块、储能系统及高效率AC-DC转换器中，满足对系统能效和可靠性要求较高的应用场景。

1+
￥28.6995 ￥30.21
10+
￥24.624 ￥25.92
50+
￥22.2015 ￥23.37
100+
￥19.7505 ￥20.79
500+
￥18.6295 ￥19.61
1000+
￥18.1165 ￥19.07

有货

立即购买

型号：FFSP3065B-F085-HXY 编号：C51896396

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.41V。其基于碳化硅材料的特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、高频率DC-DC转换器、功率因数校正电路及高密度电源模块，能够有效提升系统整体能效并减少散热设计负担，适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。

1+
￥30.495 ￥32.1
10+
￥26.163 ￥27.54
50+
￥23.5885 ￥24.83
100+
￥20.9855 ￥22.09
500+
￥19.7885 ￥20.83
1000+
￥19.247 ￥20.26

有货

立即购买

型号：LSIC2SD065D20A-HXY 编号：C51896328

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间极短，可有效减少开关损耗，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括开关模式电源、高密度DC-DC转换器及高频率整流电路，适合对热性能和空间布局有严格要求的高性能电子设备。

1+
￥31.939 ￥33.62
10+
￥27.5595 ￥29.01
50+
￥24.8805 ￥26.19
100+
￥22.648 ￥23.84

有货

立即购买

型号：WNSC101200Q-HXY 编号：C51896387

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具备出色的开关性能，反向恢复电荷极小，可显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如通信电源、可再生能源逆变系统及高密度DC-DC转换器，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

1+
￥32.281 ￥33.98
10+
￥27.702 ￥29.16
50+
￥24.9755 ￥26.29
100+
￥22.2205 ￥23.39
500+
￥20.957 ￥22.06
1000+
￥20.3775 ￥21.45

有货

立即购买

型号：SIP-HV1A12D 编号：C41371795

封装：SIP,24.1x6.2mm

品牌：MiRelay(米高莱)

线圈电压12V,带二极管，一组常开：1A（单刀单掷-常开),最大切换电压：1000v@DC，最大切换电流：1A,最大额定功率:100W

1+
￥36.07
10+
￥30.99
21+
￥27.9

有货

立即购买

型号：LSIC2SD170B25-HXY 编号：C51896393

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备25A的正向电流（IF）和1700V的反向重复电压（VR），正向压降为1.5V，表现出优异的导通性能。基于碳化硅材料，该器件具有极低的反向恢复电荷和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换应用。其高耐压能力与低损耗特性使其适合用于大功率电源系统、可再生能源发电逆变装置、高性能开关电源及高密度DC-DC转换模块，有助于提升系统整体能效并减少散热设计复杂度。

1+
￥76.646 ￥80.68
10+
￥66.1295 ￥69.61
30+
￥59.717 ￥62.86
90+
￥54.34 ￥57.2

有货

立即购买

型号：MIC28304-1YMP-TR 编号：C633027

封装：QFN-64

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款同步降压调节器模块，采用独特的自适应导通时间控制架构。该模块在单个封装中集成了一个DC-DC控制器、功率MOSFET、自举二极管、自举电容和一个电感器。其工作输入电源范围为4.5V至70V，可用于提供高达3A的输出电流。输出电压可调节至低至0.8V，精度确保为±1%。该器件的可编程开关频率为200kHz至600kHz。在中等到重负载下，所采用的架构可提供与高速控制架构相同的高效率和超快速瞬态响应。该架构还通过过渡到可变频率不连续模式操作，在轻负载条件下保持高效率。该模块提供全套保护功能，包括欠压锁定、内部软启动、折返式电流限制、“打嗝”模式短路保护和热关断。

数据手册

1+
￥102.81
10+
￥99.71

有货

立即购买

型号：LMSZ5242BT1G 编号：C124150

封装：SOD-123

品牌：LRC(乐山无线电)

稳压二极管 DC12V 20mA,500MW

数据手册

50+
￥0.1316
500+
￥0.1079
3000+
￥0.0947

有货

立即购买

型号：QX2303L50T 编号：C219027

封装：SOT-23

品牌：泉芯

QX2303是一款BOOST结构、升压型PFM控制模式的DC-DC变换器。芯片内部包括输出电压反馈和修正网络、启动电路、震荡电路、参考电压电路、PFM控制电路、过流保护电路以及功率管等。QX2303所需的外部元件非常少，只需要一个电感、一个肖特基二极管和输入输出电容就可以提供2.5V~5.0V的稳定的低噪声输出电压。

数据手册

10+
￥0.3702
100+
￥0.2885
300+
￥0.2477
3000+
￥0.2171
6000+
￥0.1926
9000+
￥0.1804

有货

立即购买

型号：NSF03B60-HXY 编号：C53467935

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至10μA，体现出良好的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A，适用于高频开关电源、AC-DC或DC-DC转换器以及对恢复速度和能效有较高要求的整流应用。

5+
￥0.470535 ￥0.4953
50+
￥0.46018 ￥0.4844
150+
￥0.45334 ￥0.4772
500+
￥0.446405 ￥0.4699

有货

立即购买

型号：NRVHP260SFT3G-HXY 编号：C53467916

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向重复电压（VR）为600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至5μA，展现出良好的导通效率与阻断能力。其非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）达30A，适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复速度和能效有较高要求的电子系统中，可在紧凑设计下维持稳定运行。

5+
￥0.722 ￥0.76
50+
￥0.706135 ￥0.7433
150+
￥0.695495 ￥0.7321
500+
￥0.68495 ￥0.721

有货

立即购买

型号：USB260-E3/5BT-HXY 编号：C53467924

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V。其正向压降（VF）为1.7V，反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的导通效率与阻断能力。器件的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）为60A，适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效要求较高的电力电子电路中，可有效支持系统稳定运行。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
150+
￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

立即购买

型号：USB260HE3/52T-HXY 编号：C53467927

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至5μA，表明在阻断状态下具有良好的绝缘性能。器件可承受60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流模块及对恢复速度和能效要求较高的电力电子电路，在频繁开关操作中保持可靠性能。

5+
￥0.784225 ￥0.8255
50+
￥0.766935 ￥0.8073
150+
￥0.75544 ￥0.7952
500+
￥0.743945 ￥0.7831

有货

立即购买

型号：USB260-E3/52T-HXY 编号：C53467926

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管为独立式结构，具有2A的正向电流（IF）和600V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对恢复时间和效率有较高要求的开关电源、AC-DC整流及高频逆变等电路中，确保在动态负载条件下稳定运行。

5+
￥0.933565 ￥0.9827
50+
￥0.913045 ￥0.9611
150+
￥0.899365 ￥0.9467
500+
￥0.885685 ￥0.9323

有货

立即购买

型号：VS3EGH06-M3/5BT-HXY 编号：C53467933

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向重复电压（VR）。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明在阻断状态下具备优异的绝缘性能。器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及对恢复特性要求较高的电力电子应用场合。

5+
￥1.058015 ￥1.1137
50+
￥1.03474 ￥1.0892
150+
￥1.019255 ￥1.0729
500+
￥1.00377 ￥1.0566

有货

立即购买

型号：BL8034CS8TR 编号：C511003

封装：ESOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL8034是一款宽输入范围、高效率的DC-DC降压开关调节器,能够提供高达4A的输出电流。它采用PWM电流模式控制,内置同步整流器,无需外部肖特基二极管,具有低输出纹波和多种保护功能。

数据手册

5+
￥1.4056
50+
￥1.1307
150+
￥1.0129
500+
￥0.8659
3000+
￥0.7677
6000+
￥0.7284

有货

立即购买

型号：CMR2S-06TR13PBFREE-HXY 编号：C53467923

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该快恢复/高效率二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）为600V。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至5μA，确保良好的关断特性。器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效有较高要求的电子系统中。

1+
￥1.501 ￥1.58
10+
￥1.463 ￥1.54
30+
￥1.444 ￥1.52
100+
￥1.425 ￥1.5

有货

立即购买

型号：JRC7660-TD 编号：C42421917

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

JRC7660是采用CMOS工艺制造的单片DC/DC电压转换集成电路。具有反转、倍压、分压及多倍电压输出。可在1.5V~10V范围内稳定工作，且在整个温度范围内无需外加任何二极管。

5+
￥1.6311
50+
￥1.2808
150+
￥1.1306
500+
￥0.9433
2500+
￥0.8599
5000+
￥0.8098

有货

立即购买

型号：HT7660-TD 编号：C42421895

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

HT7660是采用CMOS工艺制造的单片DC/DC电压转换集成电路。具有反转、倍压、分压及多倍电压输出。可在1.5V~10V范围内稳定工作，且在整个温度范围内无需外加任何二极管。

5+
￥2.3064
50+
￥1.8111
150+
￥1.5987
500+
￥1.3339
2500+
￥1.2159
5000+
￥1.1451

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示