DC二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252-2L

该碳化硅二极管为独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）为1.4V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具有快速反向恢复能力，可有效减少开关损耗，支持高频工作模式。器件热稳定性良好，适合在高功率密度电源系统中运行。主要应用于高效开关电源、DC-DC变换器、有源功率因数校正电路等对效率与可靠性要求较高的电子设备中。

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￥26.904 ￥28.32
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￥23.085 ￥24.3
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￥17.461 ￥18.38
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￥16.986 ￥17.88

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型号：LSIC2SD120A20A-HXY 编号：C52195021

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.45V。器件利用碳化硅材料特性，实现高频开关下的高效导通与快速恢复，反向漏电流小，耐高温性能优异。适用于高效率电源转换拓扑，如大功率开关电源、DC-DC变换器及光伏逆变电路，有助于减小系统体积并提升整体能效。其封装设计利于散热管理，满足严苛工作环境下的可靠性要求。

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￥47.9085 ￥50.43
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￥41.3345 ￥43.51
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￥37.3255 ￥39.29
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￥33.9625 ￥35.75

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型号：SIC20120B-BP-HXY 编号：C52195042

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备20A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）典型值为1.45V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复时间短，适用于高效率电源转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、光伏逆变系统、储能装置中的整流模块以及高密度DC-DC变换器，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。

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￥51.1005 ￥53.79
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￥36.233 ￥38.14

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型号：CSIC10-1200SL-HXY 编号：C51896399

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压工作场景。其正向压降（VF）典型值为1.39V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的优异特性，器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温稳定性。适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏逆变模块及高密度电源供应系统，可满足对功率密度与转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

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￥55.8885 ￥58.83
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￥48.222 ￥50.76
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￥39.6245 ￥41.71

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型号：DSK34 编号：C46550840

封装：SOD-123FL

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

这款SOD-123FL封装肖特基二极管以高效能著称，适用于高速开关及低损耗应用。具备40V反向耐压和高达3A的正向电流处理能力，其卓越的0.55V正向导通压降VF确保了优异的电源转换效率，是理想的高频逆变器、DC-DC转换器和电池保护方案的选择。

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￥0.2004
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￥0.159
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￥0.1359

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型号：SDM03U40Q-7 编号：C526763

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：SMPS DC-DC转换器。续流二极管

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￥0.43371 ￥0.711
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￥0.290139 ￥0.5689
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￥0.204139 ￥0.4979
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￥0.182286 ￥0.4446
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￥0.16482 ￥0.402
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￥0.156087 ￥0.3807

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型号：SS320 编号：C5199122

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SMA封装肖特基二极管，专为高功率与高效转换设计。具有200V的卓越反向耐压及3A的大电流承载力，正向导通电压VF低至0.95V，确保了优异的能效和高速切换性能。适用于DC-DC转换器、开关电源及需要快速恢复特性的高频整流场合。

数据手册

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￥0.4422
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￥0.3606
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￥0.3198
2000+
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￥0.212
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￥0.1998

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型号：MBR180S1-7 编号：C526660

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这款MBR180S1是采用SOD123封装的单整流器。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。典型应用包括AC - DC和DC - DC转换器、电池反接保护、多电源电压“O型环”，以及其他对性能和尺寸要求较高的应用

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￥0.6376
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￥0.5174
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￥0.4573

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型号：MDD7630-323 编号：C42432118

封装：SOT-323

品牌：MEGSINE(兆讯)

肖特基二极管,检波管,频率DC-6000,反向电压30,反向电流30,动态范围45,封装SOT-323

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￥0.79382 ￥0.8356
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￥0.627475 ￥0.6605
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￥0.54435 ￥0.573
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￥0.48203 ￥0.5074
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￥0.43206 ￥0.4548
6000+
￥0.40717 ￥0.4286

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型号：H1D02065AF-HXY 编号：C52145206

封装：SMAF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

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￥1.03094 ￥1.0852
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￥1.00795 ￥1.061
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￥0.992655 ￥1.0449
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￥0.977265 ￥1.0287

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型号：GC7660 编号：C42421878

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

GC7660是采用CMOS工艺制造的单片DC/DC电压转换集成电路。具有反转、倍压、分压及多倍电压输出。可在1.5~10V范围内稳定工作，且在整个温度范围内无需外加任何二极管。

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￥1.152
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￥0.9435
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￥0.8654
2500+
￥0.8307
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￥0.8098

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型号：SB10200L-MS 编号：C47021051

封装：TO-277

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款消费级肖特基二极管，采用TO-277封装具有良好的散热性能，薄它具有反向耐压较高、平均整流电流较大、正向压降低增强了二极管在电路中的可靠性，被广泛用于开关电源、DC-DC 变换器、适配器等电路中，作为整流二极管使用，可有效提高电路的效率，降低发热。

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￥1.2123
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￥0.6215

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型号：MC7660-TD 编号：C42422041

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

MC7660是采用CMOS工艺制造的单片DC/DC电压转换集成电路。具有反转、倍压、分压及多倍电压输出。可在1.5V~10V范围内稳定工作，且在整个温度范围内无需外加任何二极管。

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￥1.2147
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￥0.7025
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￥0.6404
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￥0.6031

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型号：NSR0520V2T1G 编号：C99683

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经过优化，可实现极低的正向压降和低漏电流，并广泛用于便携式设备中的 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0520V2 采用 SOD-523 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。

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单价：
￥0.26328 / 个

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型号：SDT5H100P5-7 编号：C151345

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

SDT5H100P5采用紧凑且散热高效的PowerDI 5封装，具有极低的γF值，并且在高温下具备出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作DC - DC转换器和AC - DC适配器中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管。

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5+
￥1.9934
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￥1.5902
150+
￥1.4174

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型号：NRVB1H100SFT3G 编号：C604266

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中用作续流和极性保护二极管。由于其体积小，非常适合用于便携式和电池供电的产品，如手机、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理和PCMCIA卡。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、反接保护、多电源电压的“Oring”以及其他对性能和尺寸要求较高的应用。

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￥2.61
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￥2.08
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￥1.85
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￥1.57
500+
￥1.44
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￥1.37

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型号：H1D04065BF-HXY 编号：C52145208

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）为1.3V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。在反向关断状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置，有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。

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￥2.698 ￥2.84
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￥2.1375 ￥2.25
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.3775 ￥1.45

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型号：F4C05120A 编号：C784610

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关。极快的开关速度。反向电压（Vr）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管

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￥8.505 ￥9.45
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￥7.209 ￥8.01
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￥5.481 ￥6.09
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￥4.68 ￥5.2
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

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型号：VS-20CTH03-M3 编号：C499554

封装：TO-220AB-3

品牌：VISHAY(威世)

300 V 系列是具有先进技术的超快速恢复整流器，在正向压降和超快速恢复时间方面进行了优化设计。平面结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源、不间断电源、DC/DC 转换器的输出整流阶段，以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的续流二极管。它们经过极度优化的存储电荷和低恢复电流，可将开关损耗降至最低，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。

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￥8.64
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￥7.32
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￥6.6
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￥5.78

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型号：F4C10120A 编号：C784611

封装：TO-220-2

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：1.2kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管

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￥8.648 ￥10.81
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￥7.232 ￥9.04
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￥6.464 ￥8.08
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￥5.584 ￥6.98
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￥5.192 ￥6.49
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￥5.016 ￥6.27

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型号：SIP-HV1A05D 编号：C41371794

封装：SIP,24.1x6.2mm

品牌：MiRelay(米高莱)

线圈电压5V,带二极管，一组常开：1A（单刀单掷-常开),最大切换电压：1000v@DC，最大切换电流：1A,最大额定功率:100W

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￥36.07
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￥30.99
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￥27.9

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型号：SIC15120B-BP-HXY 编号：C51896397

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件，具备15A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V。基于碳化硅材料，其具有出色的耐压性能、高温稳定性和极低的反向恢复电荷，适用于高电压、高频率的功率转换环境。典型应用包括高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变器以及高压DC-DC转换器。器件在提升系统能效、降低热损耗和减小被动元件体积方面表现突出，适合对功率密度与长期可靠性有严格要求的电力电子设计。

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￥38.323 ￥40.34
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￥33.0695 ￥34.81
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￥29.8585 ￥31.43
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￥27.17 ￥28.6

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型号：LT3482EUD#TRPBF 编号：C515895

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3482是一款带有倍压器的固定频率电流模式升压型DC/DC转换器，专为偏置光接收器中的雪崩光电二极管（APD）而设计。它可提供高达90V的输出。LT3482具备高端APD电流监测功能，在整个温度范围内相对精度优于10%

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￥40.6
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￥35.45
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￥30.08

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型号：PC-817S1-CTP1-F 编号：C42368115

封装：SMD-4P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

由红外发射二极管和光电晶体管检测器通过光学耦合封装组成，晶体管光耦可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.

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￥0.1074

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型号：B330A-13-F-HXY 编号：C52988643

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为30V。其正向压降低至0.55V，有助于减少导通损耗；反向漏电流为500μA，在低耐压条件下仍保持合理的阻断性能。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于低压电源整流、便携设备充电电路、DC-DC转换器及高频开关应用等场合，能够有效支持高效率能量转换。

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￥0.47063 ￥0.4954
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￥0.32699 ￥0.3442
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型号：SK310HE3-HXY 编号：C52988710

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流低至20μA，体现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、电源适配器、DC-DC转换器及高频整流等场合，能够有效支持对效率与热性能有要求的电路设计。

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￥0.829255 ￥0.8729
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￥0.46227 ￥0.4866
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￥0.437 ￥0.46

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型号：XL6107 编号：C41409393

封装：SOT-23-6

品牌：XLSEMI(芯龙)

一款内置高频功率晶体管和肖特基二极管的高效率升压型DC-DC转换器，支持输入电压2.5V~20V。芯片开关频率1.2MHz，内置频率补偿电路，允许使用价格适宜的小型外部元器件，降低整个电源系统的成本并减小印制电路板的空间。采用外部分压电阻器设定输出电压值，410mV的低反馈电压大幅度地减少了外部采样电阻的功耗。EN引脚可支持TTL开关机功能，内置输出过压保护及热关断保护功能。适用于极低静态电流和超小尺寸的应用。

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￥0.8629
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￥0.6949
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￥0.4976

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型号：SBR8M100P5Q-13 编号：C5144610

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

这款超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它适用于极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管、阻塞二极管、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器。该器件适用于保护敏感的汽车电路免受 ISO7637-2 中定义的浪涌影响。极性（24V 系统的 ISO7637-2）：脉冲 1：US =-600V；脉冲 2a：US = +112V；脉冲 3a：US =-300V；脉冲 3b：US = +300V。

5+
￥0.877
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￥0.8546
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￥0.8397
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￥0.8247

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型号：XL6108 编号：C42420065

封装：SOP-8-EP

品牌：XLSEMI(芯龙)

XL6108是一款内置高频功率晶体管和肖特基二极管的高效率升压型DC-DC转换器，支持输入电压2.5V~25V。芯片开关频率1.2MHz，内置频率补偿电路，允许使用价格适宜的小型外部元器件，降低整个电源系统的成本并减小印制电路板的空间。

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￥0.8805
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￥0.8608
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￥0.8477
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￥0.8345

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型号：DS110W 编号：C50176897

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管额定正向电流为1A，反向重复耐压达100V，适用于中等电压、低电流的整流与续流场景。其正向导通压降为0.85V，在同类器件中具备较好的导通特性，有助于降低功耗。反向漏电流典型值为200μA，可在常温环境下保持稳定的阻断性能。该器件常用于电源适配器、小型开关电源模块、电池管理系统、消费类电子产品中的极性保护电路，以及DC-DC变换电路中作为续流或隔离元件，适合对空间布局和能效有一定要求的应用场合。

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￥1.059535 ￥1.1153
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￥0.839325 ￥0.8835
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￥0.744895 ￥0.7841
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￥0.627095 ￥0.6601
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￥0.574655 ￥0.6049
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￥0.54321 ￥0.5718

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