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碳化硅肖特基二极管

型号：HC3D10065H 编号：C45896877

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)能力，适用于对电流需求适中的高效能电路。它拥有650V的反向电压(VR)，确保在高压环境下仍能稳定工作。其正向电压(VF)为1.3V，有助于降低能耗，提升电能利用效率。漏电流(IR)控制在50微安(uA)，减少了不必要的能量损失。此外，该二极管可承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，提供额外的安全边际以应对突发的大电流情况。它是电力转换和保护应用中追求高效率与可靠性的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10065G 编号：C42389267

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计精良，具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR，满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安，确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培，增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSD1065A 编号：C42389193

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有10安培的最大正向电流（IF/A），以及650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适用于要求严苛的高压应用。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效减少导通时的功耗。二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR/uA）为50微安，表现出良好的隔离性能。该元件还支持高达80安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在突发高电流条件下的可靠性。鉴于其高性能指标，此类二极管是构建高效能开关模式电源供应器及电源转换模块的理想选择，有助于增强系统稳定性并优化能耗。

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HFFSB1065A

型号：HFFSB1065A 编号：C42389260

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在确保高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为50微安，在高电压环境下也能保持良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

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￥6.6045 ￥7.77

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HWNSC051200Q

型号：HWNSC051200Q 编号：C42389286

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），且能够承受最高1200V的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压特性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4V，有助于降低能耗。在室温条件下，反向漏电流（IR/uA）不超过150微安，显示出良好的阻断性能。此外，该二极管可以承受高达46A的瞬态浪涌电流（IFSM/A），使其成为需要处理短暂高电流脉冲应用场景的理想选择。基于这些特性，它非常适合用于要求高效率和高可靠性的开关电源以及其他对电压稳定性有严格要求的领域。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH08G120C5XKSA1 编号：C42389303

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有8A的最大正向电流（IF），并在高达1200V的反向电压（VR）下保持稳定。其正向电压（VF）为1.5V，有助于减少导通时的电力损耗。在反向测试中，漏电流（IR）为250μA，展示了优异的隔离性能。此外，瞬态正向电流（IFSM）可达64A，表明其具有强大的抗短时电流冲击能力。适用于高频PWM变换器、不间断电源系统等需要高性能和可靠性的场合。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065GTR 编号：C42389194

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压（VR/V）为650V，提供了可靠的耐压性能，适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外，它拥有50微安的反向漏电流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有较低的漏电，增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流（IFSM/A）可以达到80A，使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC5H12D 编号：C42389240

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有5A的最大整流电流IF/A，并能在高达1200V的反向电压VR/V环境下可靠运行。其正向电压降VF/V仅为1.4V，表明其在导通状态下具有较低的能量损耗。反向漏电流IR/uA控制在150微安以内，展现了良好的绝缘性能。瞬态峰值电流IFSM/A为46A，适用于需要快速开关特性的电路中，可以有效提升电力转换效率，减少热量产生，适用于多种需要高性能与低功耗的电子设备中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS208AGC17 编号：C42389211

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有8A的正向电流（IF/A）处理能力，以及650V的最大反向电压（VR/V），适用于需要高电压和强大电流的应用。其正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于降低工作时的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）被限制在50微安，确保了在反向偏置状态下的低功耗表现。瞬态正向峰值电流（IFSM/A）可以达到64A，这意味着它可以承受短时间内大幅度的电流波动。鉴于这些特性，此款二极管是高频开关电源和其他要求苛刻的电路设计中的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210ANHR 编号：C42389213

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计用于需要高性能和高效率的场合，具备10A的正向平均电流(IF)能力，能够承受高达650V的反向电压(VR)，确保了在高压条件下的可靠运行。其正向电压(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。该二极管还具有低至50μA的反向漏电流(IR)，减少了不必要的能量损失。最大浪涌电流(IFSM)可达80A，增强了对突发大电流情况的处理能力，适合应用于各种电源转换及高效能电子设备中。

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￥7.3206 ￥8.82

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碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D10065E 编号：C42389272

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于在导通期间保持低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，确保了高阻断性能。此外，该二极管支持高达80安培的瞬态浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对短时电流尖峰的能力。这些特点使其成为高频开关电源和逆变技术等要求严苛应用的理想选择，适用于追求高性能与可靠性的电子设计方案。

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￥13.2717 ￥15.99
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碳化硅肖特基二极管

型号：HMSC015SDA120K 编号：C42389305

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有15安培的正向电流（IF），并在反向电压（VR）达到1200伏特时仍能保持稳定。其正向电压降（VF）仅为1.27伏特，在保证高效导电的同时，降低了能量损耗。反向漏电流（IR）在测试条件下不超过200微安，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达100安培，适用于需要短时承受较大电流冲击的应用场合。此二极管适用于需要高速开关特性和高可靠性的电路设计中。

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￥7.8408 ￥8.91

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HIDK10G120C5

型号：HIDK10G120C5 编号：C42389236

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有10安培的正向电流（IF/A），并能承受高达1200伏特的反向电压（VR/V），适用于需要坚固电气性能的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）限制在100微安，体现了出色的绝缘特性。此外，此元件支持最高90安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），能够在复杂的工作环境中提供可靠的过流保护。这些技术规格使其成为构建高性能电力转换系统及其他对效率与稳定性有要求的解决方案的理想选择。

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￥13.9304 ￥15.83
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￥8.1224 ￥9.23

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP1665A 编号：C42389199

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备卓越的电气性能，额定正向电流IF为16安培，反向重复峰值电压VR可达650伏特。其正向压降VF仅为1.3伏特，在保证高效能量转换的同时降低了热损耗。反向漏电流IR控制在100微安，确保了在高温环境下的稳定运行。该二极管的最大非重复正向浪涌电流IFSM达到128安培，展现出强大的过载能力。适用于高频开关电源、太阳能逆变器等高要求电路中，是实现系统高性能与可靠性的理想选择。

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￥14.3968 ￥16.36
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￥8.7384 ￥9.93
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￥8.4568 ￥9.61

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220KGC17 编号：C42389207

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有20A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压和稳定电流的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5V，有效降低了工作时的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）维持在200微安水平，确保了在非导通状态下的良好绝缘性能。此外，瞬态浪涌电流（IFSM/A）可达130A，表明它能够应对瞬间的电流峰值，从而保护电路免受损坏。这些特点使得该二极管非常适合应用于要求高性能和高可靠性的电子装置中。

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￥14.4075 ￥16.95
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￥12.2145 ￥14.37
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￥10.727 ￥12.62
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￥9.316 ￥10.96
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￥8.6785 ￥10.21
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￥8.4065 ￥9.89

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC20H12D 编号：C42389188

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在确保高效能的同时，减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，表明它能在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

1+
￥15.47 ￥18.2
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￥13.107 ￥15.42
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￥11.5175 ￥13.55
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￥10.0045 ￥11.77
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￥9.316 ￥10.96
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￥9.0185 ￥10.61

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碳化硅肖特基二极管

型号：FFSPF0865A-HXY 编号：C45896873

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)，最大反向电压(VR)可达650V，确保了在高电压环境下的稳定性能。其正向电压(VF)为1.3V，在保证效率的同时减少了能量损耗。漏电流(IR)低至50微安(uA)，表明其卓越的阻断能力。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达80A，使其能够承受瞬时的电流冲击，适用于各种高效能电力转换系统，如电源供应和再生能源设备中，极大地提升系统的可靠性和效率。

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￥15.576 ￥17.7
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￥13.244 ￥15.05
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￥9.6096 ￥10.92
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￥9.3192 ￥10.59

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP08120A 编号：C42389241

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有8A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5V，在250微安的条件下测得的反向电流（IR/uA）为250uA。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达64A。这些特性使得该二极管适用于需要高效能与高可靠性的电路设计中，特别是在要求快速开关特性和低能耗的应用场合下表现优异。

1+
￥15.7168 ￥17.86
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￥9.1696 ￥10.42

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH20G120C5 编号：C42389223

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF）承载能力，同时支持高达1200V的反向电压（VR），确保了在高压条件下的可靠操作。其正向电压（VF）为1.5V，有助于降低导通时的能耗。二极管的反向漏电流（IR）维持在200微安以下，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可承受130A，使得该组件能够在面临瞬间电流冲击的情况下保持稳定。适用于要求快速开关动作和低功耗损耗的电路解决方案中。

1+
￥15.7505 ￥18.53
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￥10.098 ￥11.88
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￥9.8175 ￥11.55

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH16G65C5 编号：C42389235

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备16A的最大正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，确保了高效的能量转换。在反向条件下，漏电流（IR/uA）控制在100微安之内，保证了电路的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达128A，适用于需要快速开关特性和高可靠性的电路设计中，如高性能的开关模式电源及类似应用领域。

1+
￥15.844 ￥18.64
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￥13.413 ￥15.78
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￥9.6135 ￥11.31
1000+
￥9.316 ￥10.96

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12GTR 编号：C42389217

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下正常工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保高效能的同时，也减少了能量损耗。该二极管还拥有100微安的反向漏电流（IR/uA），表明其在阻断状态下的性能优异。此外，瞬态峰值电流（IFSM/A）可达90安培，意味着它能够承受瞬间的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的电路设计中。

1+
￥16.269 ￥19.14
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￥13.906 ￥16.36
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￥12.5035 ￥14.71
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￥11.084 ￥13.04
500+
￥10.4295 ￥12.27
800+
￥10.1405 ￥11.93

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碳化硅肖特基二极管

型号：HMSC020SDA120K 编号：C42389318

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF/A），可承受最高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高压环境。其正向电压（VF/V）为1.5V，在保证性能的同时降低了能量损耗。二极管的反向漏电流为200微安（IR/uA），显示了其出色的绝缘性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）达到130A，意味着它能够应对突然增大的电流需求。这些特点使其成为追求高效与稳定性的电路设计方案中的理想选择。

1+
￥16.405 ￥19.3
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￥11.288 ￥13.28
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￥10.642 ￥12.52
1000+
￥10.353 ￥12.18

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碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH15S120A 编号：C42389288

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的正向电流（IF/A），可承受高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.27伏特，有助于减少电力损耗，提升系统效率。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为200微安，表明其在阻断状态下的优异表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为100安培，能够在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其非常适合应用于需要高频切换与可靠性能的电路配置中。

1+
￥16.808 ￥19.1
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HFFSB10120A

型号：HFFSB10120A 编号：C42389266

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1200伏特的反向耐压值（VR/V），适用于需要高电压稳定性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有助于提升系统效率。在反向状态下，该二极管的漏电流（IR/uA）不大于100微安，显示了良好的阻断性能。此外，其瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可以达到90安培，适合应用于需要承受短时电流冲击的场合，如高性能电源管理解决方案或精密控制电路中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HWNSC101200WQ 编号：C42389298

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在高电流应用中能有效降低能耗。在反向偏压下，其漏电流（IR）控制在微安级别，具体为250微安，表明其优秀的阻断性能。此外，瞬态条件下，该二极管的最大正向浪涌电流（IFSM）可达67安培，适合用于需要瞬间处理大电流的应用场合。这些特性使得此款二极管适用于多种电子设计中，作为高效能的开关元件使用。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220AGHRC 编号：C42389317

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备20安培的正向电流（IF/A），能够处理较大的电力负荷，同时拥有650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适合用于高压环境。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在高电流通过时能有效降低能量损耗。反向漏电流（IR/uA）控制在100微安，表明在关闭状态下具有良好的绝缘特性。最大瞬态正向电流（IFSM/A）达到123安培，增强了应对突发电流的能力，适用于要求高性能与可靠性的电路设计方案中。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP10120A 编号：C42389242

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的最大正向电流（IF/A），可承受高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35V，在250微安反向电流（IR/uA）下的漏电流表现良好。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71A，表明它能够在短时间内处理较大的电流波动。该二极管适用于高频开关及需要降低能量损耗的应用中，其出色的性能使其成为追求高效转换设计的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC15H12WL 编号：C42389245

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备15安培的最大正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，在反向状态下，漏电流（IR/uA）维持在200微安水平。该元件还拥有87安培的瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A），适合应用于要求高效能及高频率切换的电路设计中，确保在复杂条件下的稳定性和可靠性。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP15120A 编号：C42389252

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管拥有15安培的正向电流（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.27伏特，有助于减少能量损失，提高效率。反向漏电流（IR/uA）不超过200微安，展示了优异的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达100安培，表明其具有较强的抗电流冲击能力。这些特性使该二极管成为需要高电压耐受性和低能量损耗的应用中的理想选择。

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碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12CWL 编号：C42389243

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流容量（IF/A），并能承受最高1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，在反向电流（IR/uA）为150微安时表现出较低的漏电特性。此外，该二极管能够承受高达46A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适合用于需要快速开关且注重效率的应用场景，尤其在减少能量损失和提高系统可靠性方面有显著优势。

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