IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220H-2L

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，正向电流IF为20A，反向电压VR达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。其正向压降VF仅为1.5V，有助于减少功率损耗；反向漏电流IR控制在200μA以内，保证了设备的低功耗性能。此外，单周期浪涌电流IFSM高达130A，增强了产品应对瞬时大电流冲击的能力。该器件适用于要求高效率、高温及高频工作的电子电路中，如电源转换器等场合。

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￥20.791 ￥24.46
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￥12.954 ￥15.24

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型号：HNDSH20120C 编号：C42389247

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有20安培的正向电流容量（IF/A），并能承受1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向测试中，漏电流（IR/uA）不超过200微安。此外，该二极管能够承受高达130安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），适用于高频开关和电源管理电路中，保障了在复杂环境下的高效与稳定性。

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￥13.2385 ￥15.95

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型号：HFFSH10120AF085 编号：C42389182

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流能力（IF/A），以及1200伏特的最高反向电压承受能力（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低在导通状态下的功耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测量为250微安，表现出良好的绝缘性能。该元件可承受高达67安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要应对短暂高电流冲击的应用场景，如高性能开关电源转换器和其他要求快速切换且高效运作的电子设备。

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￥23.9272 ￥27.19
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￥14.9072 ￥16.94

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型号：HFFSB10120AF085 编号：C42389197

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A）处理能力，以及高达1200V的反向电压（VR/V），适用于高耐压和中等电流的应用场合。其正向电压降（VF/V）为1.4V，在高效能操作时可减少电力损耗。反向电流（IR/uA）为100微安，表明在非导通期间有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达90A，使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值，适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

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￥15.853 ￥19.1

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型号：DSC05120-HXY 编号：C45896879

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换系统。其正向电压(VF)为1.4V，保证了较低的能量损耗，同时反向漏电流(IR)仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬态正向电流(IFSM)可达45A，增强了对短时峰值电流的耐受能力。这些特性使其成为高效能电力电子设备中的关键组件，特别适合于需要稳定高压操作和高效能表现的应用场景。

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￥25.488 ￥28.32
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￥21.87 ￥24.3
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￥19.719 ￥21.91
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￥16.092 ￥17.88

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型号：GP3D010A065B-HXY 编号：C45896872

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高要求的电源转换场景。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗，而低至50uA的反向漏电流（IR）确保了更高的能效。该二极管瞬间能够承受高达80A的浪涌电流（IFSM），增强了设备在异常情况下的稳定性与可靠性。它特别适合应用于高效能源管理系统及需要紧凑设计与高性能表现的电力电子设备中。

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￥26.904 ￥28.32
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￥18.525 ￥19.5
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￥17.461 ￥18.38
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￥16.986 ￥17.88

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型号：HFFSH3065A 编号：C42389264

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有30安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受高达650伏特的最大反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，这有助于减少能量损失并提高效率。其反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过150微安，表明其具有良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达210安培，适合需要处理瞬时大电流的应用场合。此二极管适用于需要高效能及稳定性的电路设计中。

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￥27.4032 ￥31.14
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￥23.4256 ￥26.62
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￥18.6736 ￥21.22
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￥17.5736 ￥19.97
990+
￥17.072 ￥19.4

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型号：HWNSC201200CWQ 编号：C42389313

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，并能承受高达1200V的反向电压(VR/V)，适用于需要高压和稳健电流管理的应用场景。其正向电压(VF/V)为1.5V，有效降低了导通损耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安，在非导通状态下提供可靠的隔离性能。同时，它还能承受71A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，增强了在复杂环境下的耐用性，适合用于追求高效与稳定性的各类电路设计中。

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￥34.59
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￥29.72
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￥26.76

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型号：HNDSH10170A 编号：C42389237

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1700伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于需要高电压隔离的应用。其工作时的正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少功耗。二极管在反向偏置状态下的漏电流（IR/uA）仅为60微安，保证了良好的阻断效果。瞬态条件下，它能够承受55安培的正向浪涌电流（IFSM/A），增强了应对短时电流冲击的能力。这些特性使得该二极管适用于高频率开关电路以及其他注重效率和可靠性的场合。

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￥41.272 ￥46.9
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￥35.7896 ￥40.67
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￥32.4544 ￥36.88
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￥29.6472 ￥33.69

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型号：STTH6006TV1-HXY 编号：C53133709

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性和阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源系统，尤其在对开关速度、热稳定性和动态响应有较高要求的电力电子应用中具有优势。

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￥98.4295 ￥103.61
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￥93.9075 ￥98.85
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￥86.0795 ￥90.61
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￥79.249 ￥83.42

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型号：GHXS030A060S-D3-HXY 编号：C53133712

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通效率与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器等对动态响应和热管理要求较高的电力电子系统。

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￥101.2415 ￥106.57
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￥96.596 ￥101.68
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￥88.54 ￥93.2
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￥81.51 ￥85.8

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型号：GHXS050A060S-D3-HXY 编号：C53133713

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，展现出低导通损耗和高阻断能力。其浪涌正向电流（IFSM）达600A，适用于高频、高效率的电力转换场合，尤其在对热性能和动态响应有较高要求的电源系统中表现突出。

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￥106.875 ￥112.5
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￥101.9635 ￥107.33
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￥93.4515 ￥98.37
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￥86.032 ￥90.56

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型号：1SMA4747A 编号：C2992826

封装：SMA

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.2892
100+
￥0.234
300+
￥0.2064
1000+
￥0.1857
5000+
￥0.1691
10000+
￥0.1608

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型号：MMBP187SE 编号：C41413559

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

MMBP187SE是2对共阳级结构，硅外延平面开关二极管可以当普通平面二级管用,相对于普通的平面二极管它又有很多优点：反向电流低Ir:1uA，快速开关,Trr:4nS，低正向导通电压.

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

有货

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型号：BZT52C36S 编号：C173440

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.0898
100+
￥0.0704
300+
￥0.0596
3000+
￥0.0513
6000+
￥0.0457
9000+
￥0.0426

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型号：NSVBAS21AHT1G 编号：C889783

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

BAS21AHT1G 是一款低漏开关二极管，采用 SOD-323 封装。该器件与 BAS21HT1G 相同，但性能更佳，符合逆向漏电流 (IR) 规范。

数据手册

10+
￥0.2191
100+
￥0.214
300+
￥0.2105

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型号：DYWH-IR968-8C 编号：C47416529

封装：插件,L=2.9mm

品牌：TONYU(东裕)

红外发光二极管（DYWH-IR968-8C）是一种高辐射强度的二极管，模制在一个透明的塑料封装中。这种微型侧面装置有一个芯片，可以从透明包装的侧面发出辐射。

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623

有货

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型号：1SS383(TE85L,F) 编号：C6396223

封装：SC-82

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。由2个独立二极管组成。低正向电压：V(3)=0.54V（典型值）。低反向电流：IR = 5μA（最大值）

5+
￥1.1
50+
￥0.857
150+
￥0.7529

有货

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型号：1N4004GP-E3/54 编号：C5357978

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：超整流器结构，适用于高可靠性应用。无腔玻璃钝化结。低正向压降。低泄漏电流，典型 IR 小于 0.1 μA。高正向浪涌能力。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。消费类应用的续流二极管

数据手册

1+
￥4.7
10+
￥3.83
30+
￥3.4

有货

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型号：MMSZ5230B 编号：C2858523

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

贴片稳压二极管精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.111
100+
￥0.0856
300+
￥0.0715
3000+
￥0.063
6000+
￥0.0557
9000+
￥0.0517

订货

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型号：BZX84C4V3 编号：C2858526

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.1131
100+
￥0.0883
300+
￥0.0745
3000+
￥0.0617
6000+
￥0.0545
9000+
￥0.0506

订货

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型号：1SMA4743A 编号：C364307

封装：SMA

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.2502
100+
￥0.1974
300+
￥0.171
1000+
￥0.1512
5000+
￥0.1285
10000+
￥0.1206

订货

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型号：1N4007GP-E3/54 编号：C570623

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：超级认证结构，适用于高可靠性应用。无空腔玻璃钝化结。低正向压降。低泄漏电流，典型值 IR 小于 0.1μA。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，时间 10s，符合 JESD 22-B106。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流。用于消费类应用的续流二极管

数据手册

单价：
￥0.9161 / 个

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型号：GI750-E3/73 编号：C17191817

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低漏电流，IR 小于 0.1μA。高正向电流能力。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10s，符合 JESD22-B106。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。续流二极管应用

1+
￥13.07
10+
￥12.78
30+
￥12.6

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型号：DYWH-IR928-6C(6-1) 编号：C47416528

封装：插件,L=4.6mm

品牌：TONYU(东裕)

红外发光二极管（DYWH-IR928-6C(6-1)）是一种高辐射强度的二极管，模制在一个透明的塑料封装中。这种微型侧面装置有一个芯片，可以从透明包装的侧面发出辐射。

10+
￥0.2666
100+
￥0.2124
300+
￥0.1853

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型号：PMEG3002AEB-HXY 编号：C52754540

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.5V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流（IR）为30μA，在低功耗条件下保持良好稳定性。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、信号解调、电源箝位以及便携式电子设备中的高效能电路设计。