IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247-2L

该碳化硅二极管具有卓越的电气特性，其正向平均电流(IF)为30A，反向耐压(VR)达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。正向电压降(VF)仅为1.5V，有助于减少系统能量损耗。此外，该器件的反向漏电流(IR)控制在250μA以内，非重复峰值浪涌电流(IFSM)可达121A，提供了良好的过载保护能力。这款二极管适合用于需要高效能、高可靠性的电子电路设计中。

1+
￥47.62
10+
￥41.08
30+
￥37.1
90+
￥33.76

订货

我要订货

型号：1SMA4749A 编号：C23066829

封装：SMA

品牌：PAKER(派克微)

DO-214AA(SMA)稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流应用消费电子、工控通信、汽车电子

20+
￥0.2026
200+
￥0.1578
600+
￥0.1329
2000+
￥0.1179
10000+
￥0.105
20000+
￥0.098

订货

我要订货

型号：BZX384-C15,135 编号：C22465380

封装：SOD-323(SC-76)

品牌：Nexperia(安世)

二极管配置: 独立式稳压值(标称值): 15V 反向电流(Ir)：50nA@10.5V 稳压值(范围)：13.8V~15.6V 功率(Pd)：300mW 阻抗(Zzt)：30Ω

100+
￥1.392
200+
￥1.368
300+
￥1.32

我要订货

型号：MUR1060DS 编号：C42924194

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.5V@10A 直流反向耐压(Vr) 600V 整流电流 10A 反向电流(Ir) 1uA@600V 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.308
50+
￥0.3007
150+
￥0.2959
500+
￥0.291

订货

我要订货

型号：Z2E16B 编号：C7466349

封装：SMB

品牌：AM(安美)

二极管配置：独立式稳压值(标称值)：16V 精度：±5% 功率：2W 反向电流(Ir)：500nA@12.2V 阻抗(Zzt)：8Ω 2W

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

订货

我要订货

型号：STPSC4G065UFY-HXY 编号：C52145209

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向导通压降（VF）为1.3V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。反向漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断特性与高温稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高结温下稳定工作，适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中，实现快速开关与低损耗运行。

1+
￥4.47
10+
￥4.37
30+
￥4.3
100+
￥4.23

订货

我要订货

型号：HC3D10065F 编号：C45896881

封装：TO-220F-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)耐压能力，适用于多种电力转换设备。其正向电压(VF)为1.3V，有助于减少能量损耗，同时在断开状态下仅有50uA的反向漏电流(IR)，提高了能效。瞬态正向电流(IFSM)可达80A，确保了在突发高电流情况下的可靠性。这些特点使得该二极管非常适合用于需要高效、稳定电源管理的应用场景，满足对高性能电子组件的需求。

1+
￥12.07
10+
￥11.79
50+
￥11.61
100+
￥11.43

订货

我要订货

型号：LSIC2SD120A10A-HXY 编号：C45896875

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换场景。其正向电压(VF)为1.35V，有助于降低能耗，提升效率。漏电流(IR)控制在150微安(uA)，确保了使用的安全性与稳定性。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达130A，使其能够承受较高的瞬态电流冲击，非常适合用于高效能电源供应及可再生能源系统中，增强设备的耐用性和运行效率，满足严苛的应用需求。

1+
￥29.37
10+
￥28.7
50+
￥28.25
100+
￥27.8

订货

我要订货

型号：MUR1040DS 编号：C42924195

封装：TO-252

品牌：JUXING(钜兴)

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.15V@10A 直流反向耐压(Vr) 400V 整流电流 10A 反向电流(Ir) 1uA@400V 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.3896
50+
￥0.3803
150+
￥0.3742
500+
￥0.368

订货

我要订货

型号：DSEI2X30-06C-HXY 编号：C53133708

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，展现出低导通损耗与高阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统，在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。

1+
￥116.85
10+
￥113.2

订货

我要订货

型号：GI752-E3/54 编号：C144984

封装：P600

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低泄漏电流，IR 小于 0.1μA。高正向电流能力。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10s，符合 JESD22-B106。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流和续流二极管应用

数据手册

1+
￥4.34
10+
￥4.23
30+
￥4.16
100+
￥4.09

订货

我要订货

型号：GI754-E3/54 编号：C144983

封装：P600

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低泄漏电流，IR 小于 0.1μA。高正向电流能力。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10s，符合 JESD22-B106。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流和续流二极管应用

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥4.83
30+
￥4.28
100+
￥3.74
500+
￥3.41
800+
￥3.24

订货

我要订货

型号：HFFSP2065BF085 编号：C42389179

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有20安培的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求苛刻的电流处理应用。其额定反向电压（VR/V）为650伏特，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向电流（IR/uA）为100微安，体现了良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）高达123安培，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其非常适合用于需要高效能和稳定性的电路中。

1+
￥12.55
10+
￥12.27
50+
￥11.93
100+
￥11.74

订货

我要订货

型号：HSTPSC20H065CWY 编号：C42389294

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大允许工作电流（IF/A），以及高达650V的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流通过时能量损耗较小。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测得为40微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，二极管能够承受最高达150A的浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

1+
￥25.29
10+
￥21.7
30+
￥19.57
90+
￥17.41
510+
￥16.41
990+
￥15.97

订货

我要订货

型号：HC6D20065H 编号：C45896866

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向连续电流(IF)和650V的反向电压(VR)耐压能力，适用于高要求的应用场景。其正向电压(VF)为1.35V，确保了低能耗和高效能。该二极管在反向漏电流(IR)方面表现出色，仅为10微安，减少了不必要的能量损耗。瞬态正向电流(IFSM)可达150A，提供了额外的安全余量以应对突发电流冲击。其快速恢复时间和优异的温度稳定性，使其成为电力电子系统中不可或缺的组件，如电源转换器、不间断电源系统等设备的理想选择，有助于提升整体系统的稳定性和效率。

1+
￥27.7
10+
￥27.06
30+
￥26.64
90+
￥26.22

订货

我要订货

型号：1SS383(TE85L,F) 编号：C6396223

封装：SC-82

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。由2个独立二极管组成。低正向电压：V(3)=0.54V（典型值）。低反向电流：IR = 5μA（最大值）

5+
￥0.6587
50+
￥0.6446
150+
￥0.6353
500+
￥0.626

订货

我要订货

型号：VTP9812FH 编号：C3210994

封装：插件

品牌：Excelitas(埃赛力达)

IR-Bloc系列是市场上唯一采用低成本封装的环境光传感器系列，其塑料环氧树脂封装中集成了红外阻挡功能。光谱响应与人眼和光电池相似，非常适合仅受可见光影响的应用。作为IR-Bloc环境光传感器系列的一部分，它采用标准扁平T-1 3/4端视封装，提供经过时间验证的硅光电二极管芯片，并在塑料环氧树脂封装中集成了额外的红外阻挡功能，在可见光谱范围内具有出色的响应。