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首页 > 热门关键词 > IR二极管
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MBRF10100CT-TO-220F
型号：MBRF10100CT-TO-220F 编号：C54305043
封装：TO-220F
品牌：DDF(鼎德丰)
二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 100V 整流电流 5*2A 反向电流(Ir) 1uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 100*2A

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    MBRF30100CT-TO-220F
    型号：MBRF30100CT-TO-220F 编号：C54305053
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 850mV 直流反向耐压(Vr) 100V 整流电流 15*2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 200*2A

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    MBRF10200CT-TO-220F
    型号：MBRF10200CT-TO-220F 编号：C54305045
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 200V 整流电流 5*2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 100*2A

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    MBRF2065CT-TO-220F
    型号：MBRF2065CT-TO-220F 编号：C54305047
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 750mV 直流反向耐压(Vr) 65V 整流电流 10*2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 150*2A

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    MBRF3065CT-TO-220F
    型号：MBRF3065CT-TO-220F 编号：C54305052
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 850mV 直流反向耐压(Vr) 65V 整流电流 15*2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 200*2A

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    MBRF3045CT-TO-220F
    型号：MBRF3045CT-TO-220F 编号：C54305051
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 550mV 直流反向耐压(Vr) 45V 整流电流 15*2A 反向电流(Ir) 40uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 200*2A

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    MBRF20150CT-TO-220F
    型号：MBRF20150CT-TO-220F 编号：C54305049
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 900mV 直流反向耐压(Vr) 150V 整流电流 10*2A 反向电流(Ir) 0.5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 150*2A

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    MBRF30200CT-TO-220F
    型号：MBRF30200CT-TO-220F 编号：C54305055
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 200V 整流电流 15*2A 反向电流(Ir) 5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 200*2A

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    MBRF40200CT-TO-220F
    型号：MBRF40200CT-TO-220F 编号：C54305059
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 200V 整流电流 20*2A 反向电流(Ir) 2.5uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 180*2A

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      ￥0.8517

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    MBRF4045CT-TO-220F
    型号：MBRF4045CT-TO-220F 编号：C54305056
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 550mV 直流反向耐压(Vr) 45V 整流电流 20*2A 反向电流(Ir) 30uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 300*2A

    • 5+

      ￥0.8517

    • 50+

      ￥0.8329

    • 150+

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    MBRF40100CT-TO-220F
    型号：MBRF40100CT-TO-220F 编号：C54305058
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 720mV 直流反向耐压(Vr) 100V 整流电流 20*2A 反向电流(Ir) 20uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 250*2A

    • 5+

      ￥0.9172

    • 50+

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    • 150+

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    MBRF4065CT-TO-220F
    型号：MBRF4065CT-TO-220F 编号：C54305057
    封装：TO-220F
    品牌：DDF(鼎德丰)
    二极管配置 1对共阴极 正向压降(Vf) 850mV 直流反向耐压(Vr) 65V 整流电流 20*2A 反向电流(Ir) 200uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 250*2A

    • 1+

      ￥1.58

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    通用型塑封整流器
    型号：BY255P-E3/54 编号：C167646
    封装：DO-201AD
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低正向压降。 低漏电流，IR 小于 0.1μA。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高 275℃，持续 10s。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2135

    • 50+

      ￥1.744

    • 150+

      ￥1.5429
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HIDH04G65C5XKSA2 编号：C42389255
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有4安培的正向电流（IF），可在高压环境下稳定工作，其最大反向电压（VR）为650伏特。正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，显示出良好的关闭特性。其峰值电流（IFSM）为23安培，意味着它可以处理瞬时高电流需求。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高效能和可靠性的电子设备中。

    • 1+

      ￥5.81 ￥7

    • 10+

      ￥4.8306 ￥5.82

    • 50+

      ￥4.2911 ￥5.17

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      ￥3.6852 ￥4.44

    • 500+

      ￥3.4113 ￥4.11

    • 1000+

      ￥3.2951 ￥3.97
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HSCS306AHGC9 编号：C42389316
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高功率密度应用中提供稳定的性能。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流工作条件下可显著减少功耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过50微安，体现了优异的阻断能力。此外，该二极管的最大瞬态正向电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要快速响应及高可靠性的电路设计中，确保了在动态负载条件下的稳健工作。

    • 1+

      ￥5.9075 ￥6.95

    • 10+

      ￥4.8875 ￥5.75

    • 50+

      ￥4.3265 ￥5.09

    • 100+

      ￥3.689 ￥4.34

    • 500+

      ￥3.4085 ￥4.01

    • 1000+

      ￥3.281 ￥3.86
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HC6D06065E 编号：C42389270
    封装：TO-252-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在确保高效导电的同时，有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安以下，表明其在关闭状态下的漏电极低。此外，它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力（IFSM/A），能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

    • 1+

      ￥6.219 ￥6.91

    • 10+

      ￥5.202 ￥5.78

    • 30+

      ￥4.644 ￥5.16

    • 100+

      ￥4.023 ￥4.47

    • 500+

      ￥3.735 ￥4.15

    • 1000+

      ￥3.609 ￥4.01
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：LGE3D10065AF 编号：C51018420
    封装：ITO-220AC
    品牌：LGE(鲁光)
    商品目录 碳化硅二极管；二极管配置 独立式；整流电流 10A；正向压降(Vf) 1.7V；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 18uA

    • 1+

      ￥6.36

    • 10+

      ￥5.15

    • 50+

      ￥4.55
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HTRS6E65FS1Q 编号：C42389232
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具备6安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特（VR/V）的反向电压。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保导通性能的同时降低了能耗。反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，展现了优异的绝缘特性。此外，该二极管能够处理高达48安培（IFSM/A）的瞬时峰值电流，适用于高频开关电路及精密设备中的高效能电力传输与控制，满足对可靠性和效率有较高要求的应用需求。

    • 1+

      ￥6.5912 ￥7.49

    • 10+

      ￥5.456 ￥6.2

    • 50+

      ￥4.8224 ￥5.48

    • 100+

      ￥4.1184 ￥4.68

    • 500+

      ￥3.8016 ￥4.32

    • 1000+

      ￥3.6608 ￥4.16
  • 有货
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HFFSP0665B 编号：C42389190
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A），耐压值为650伏特（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）控制在50微安，显示出优良的隔离性能。瞬态正向电流峰值（IFSM/A）为48安培，表明它可以在极端条件下保持稳定。适用于要求高效能与快速响应的电路设计，如高性能开关模式电源转换器等场合。

    • 1+

      ￥6.8595 ￥8.07

    • 10+

      ￥5.678 ￥6.68

    • 50+

      ￥5.0235 ￥5.91

    • 100+

      ￥4.284 ￥5.04

    • 500+

      ￥3.961 ￥4.66

    • 1000+

      ￥3.808 ￥4.48
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HSTPSC8H065D 编号：C42389233
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管拥有8安培的正向电流能力（IF/A），并能承受650伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）保持在50微安以下，表明了出色的隔离性能。此外，该二极管支持最高64安培（IFSM/A）的瞬间正向浪涌电流，适合应用于要求快速开关动作和高能效转换的场合，如高性能电源模块或消费电子产品的功率管理单元。

    • 1+

      ￥7.0576 ￥8.02

    • 10+

      ￥5.8344 ￥6.63

    • 50+

      ￥5.1656 ￥5.87

    • 100+

      ￥4.4088 ￥5.01

    • 500+

      ￥4.0656 ￥4.62

    • 1000+

      ￥3.916 ￥4.45
  • 有货
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HFFSP1065B 编号：C42389218
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有效降低了导通时的功耗。反向漏电流（IR/uA）控制在60微安，体现了良好的阻断特性。同时，该二极管能够承受高达90安培的瞬态峰值电流（IFSM/A），增强了在复杂环境中的可靠性。适用于高频开关及电源管理等精密电路设计中，提供稳定的表现。

    • 1+

      ￥7.3392 ￥8.34

    • 10+

      ￥6.072 ￥6.9

    • 50+

      ￥5.3768 ￥6.11

    • 100+

      ￥4.5848 ￥5.21

    • 500+

      ￥4.2328 ￥4.81

    • 1000+

      ￥4.0744 ￥4.63
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HSCS310AHGC9 编号：C42389302
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款碳化硅二极管具有10A的最大连续正向电流（IF），并在650V的反向电压（VR）下提供可靠的性能。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级（60μA），表明其拥有良好的阻断能力。瞬态正向电流峰值（IFSM）可达到90A，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其成为高频开关电源、DC-DC转换器等需要高效率和稳定性的应用的理想选择。

    • 1+

      ￥7.6858 ￥9.26

    • 10+

      ￥6.3744 ￥7.68

    • 50+

      ￥5.5776 ￥6.72

    • 100+

      ￥4.7559 ￥5.73

    • 500+

      ￥4.3907 ￥5.29

    • 1000+

      ￥4.233 ￥5.1
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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HSTPSC10H065D 编号：C42389178
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）可达10安培，在反向电压（VR/V）为650伏特的情况下表现出色。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.5伏特，有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在60微安级别，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可承受90安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

    • 1+

      ￥7.7273 ￥9.31

    • 10+

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HFFSP1065A 编号：C42389198
    封装：TO-220C-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF），能够承受高达650V的反向电压（VR），确保了在高压环境下的可靠性。其正向压降（VF）仅为1.5V，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。反向漏电流（IR）控制在60微安级别，在非导通状态下几乎不消耗能量。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，表明该二极管可以应对短时电流峰值冲击，适用于需要高效率和稳定性的电子电路中。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HTRS8E65FS1Q 编号：C42389225
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管设计有8安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在反向应用时，其漏电流（IR/uA）限制在50微安。瞬态峰值电流（IFSM/A）可以达到64安培。这些特性使其非常适合应用于要求高效率与低能耗的高频开关电路及类似电子装置中，有助于提升系统的整体性能并保证稳定性。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HSTPSC6C065Y 编号：C42389209
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，其正向平均电流IF为6A，反向电压VR达到650V，确保了在高压环境下的稳定工作。正向电压VF仅为1.3V，有助于减少系统功耗。此外，该器件具备50μA的低反向漏电流IR，提高了系统的整体效率。最大浪涌电流IFSM可达48A，增强了对瞬间大电流冲击的耐受能力。适用于需要高效能、高可靠性的电源转换及逆变器等场景。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HFFSD0665BF085 编号：C42389210
    封装：TO-252-2L(DPAK)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具备6A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持高达650V的反向电压（VR/V），使其适用于高电压要求的电路设计。它拥有低至1.3V的正向压降（VF/V），有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）不超过50微安，表现出优秀的隔离性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可达48A，表明它能够处理瞬间的大电流事件。这些特性使得该元件非常适合用于需要高性能与可靠性的开关电源以及其他对效率要求较高的电子设备中。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HIDH08G65C5XKSA2 编号：C42389192
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具备8A的最大正向电流（IF/A），能够承受高达650V的反向电压（VR/V），适合用于高压环境中的电路设计。其正向电压（VF/V）为1.3V，在确保导通的同时降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）为50μA，显示了其优秀的阻断性能。此外，该二极管能承受最高64A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使得它在应对短时电流峰值方面表现优异。这些特性使其成为高频开关电源和精密电源管理系统中的理想选择，有助于提升整体系统的效率与可靠性。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HFFSP0865B 编号：C42389229
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款碳化硅二极管具有出色的电气特性，额定正向电流IF为8安培，反向峰值电压VR高达650伏特。其正向压降VF为1.3伏特，有助于减少能耗并提高效率。反向漏电流IR低至50微安，确保在极端条件下的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为64安培，表明该二极管拥有良好的瞬态保护能力。适用于高频开关电源、可再生能源转换系统等复杂电路中，能够有效提升系统的整体表现和可靠性。

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    碳化硅肖特基二极管
    型号：HFFSP0665A 编号：C42389256
    封装：TO-220H-2L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培。适用于高频开关电源、逆变器及其它需要高效能转换的应用中，提供卓越的导电性能与可靠性。

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