IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

稳压二极管；二极管配置 1对共阳极；稳压值(标称值) 5.6V；反向电流(Ir) 100nA@1V；稳压值(范围) 5.2V~6V；耗散功率(Pd) 300mW；阻抗(Zzt) 40Ω

20+
￥0.1049
200+
￥0.1026
600+
￥0.101
3000+
￥0.0995

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型号：STPS340U-HXY 编号：C53262816

封装：SMB

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为3A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

10+
￥0.1533
100+
￥0.15
300+
￥0.1477
1000+
￥0.1455

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型号：HBAS3218X 编号：C42389378

封装：SOD-323

这款开关二极管具备0.25安培的正向电流（IF/A），并能承受最高250伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.25伏特，反向漏电流（IR/uA）低至0.1微安。此外，它还能承受4.5安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其非常适合应用于需要高可靠性和快速开关速度的电子设计中，如在消费电子产品的信号处理及保护电路中发挥重要作用。

20+
￥0.2224
200+
￥0.1743
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￥0.1476
3000+
￥0.1267
9000+
￥0.1128
21000+
￥0.1053

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型号：1SMA4748A 编号：C2992827

封装：SMA

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.2521
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￥0.1993
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￥0.1729
1000+
￥0.1531
5000+
￥0.1372
10000+
￥0.1293

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型号：DYWH-IR908-7C-E6 编号：C47416527

封装：插件,L=4.5mm

品牌：TONYU(东裕)

红外发光二极管（DYWH-IR908-7C-E6）是一种高辐射强度的二极管，模制在一个透明的塑料封装中。这种微型侧面装置有一个芯片，可以从透明包装的侧面发出辐射。

10+
￥0.2666
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￥0.2124
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￥0.1853

有货

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型号：MM1W100 编号：C2993525

封装：SOD-123

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

10+
￥0.2802
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￥0.2216
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￥0.1923
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￥0.1704
6000+
￥0.1528
9000+
￥0.144

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型号：1SMAF4745A 编号：C2992857

封装：SMAF

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

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￥0.2851
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￥0.2256
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￥0.1958
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￥0.1735
500+
￥0.1557
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￥0.1467

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型号：XYC-IR204C-L4 编号：C2693584

封装：插件,D=3mm

品牌：NEWOPTO(鑫永诚光电)

XYC-IR204C-L4 是一款低功耗，插件式外型封装的二极管, 它具有发射功率强、受光角度均匀等优点。

数据手册

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￥0.3225
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￥0.2601
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￥0.2289
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￥0.1861
5000+
￥0.1674
10000+
￥0.158

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型号：ZHCS350QTA 编号：C6043934

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

封装在SOD523中，这款肖特基二极管提供了理想的低VF/IR性能，结合0.9mm的低封装高度，使该器件适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。

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￥4.3
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￥4.21
30+
￥4.15

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型号：GI750-E3/54 编号：C17448344

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低漏电流，IR 小于 0.1μA。高正向电流能力。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10s，符合 JESD22-B106。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。续流二极管应用

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￥14.01
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￥13.71
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￥13.5

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型号：B340A 编号：C49009617

封装：SMA

商品目录肖特基二极管；正向压降(Vf) 500mV@3A；直流反向耐压(Vr) 40V整流电流 3A；反向电流(Ir) 500uA@40V

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￥0.4247
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￥0.3383
300+
￥0.2951
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￥0.2627
5000+
￥0.2367
10000+
￥0.2238

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型号：SS315(SMC) 编号：C28011483

封装：SMC

商品目录肖特基二极管；二极管配置独立式；正向压降(Vf) 950mV@3A；直流反向耐压(Vr) 150V；平均整流电流(Io) 3A；反向电流(Ir) 300uA@150V

100+
￥0.297
1000+
￥0.286
3000+
￥0.275
6000+
￥0.253
10000+
￥0.2464

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型号：HC6D30065H 编号：C42389278

封装：TO-247-2L

这款碳化硅二极管拥有30A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适合高压应用。其正向电压(VF)低至1.3V，有助于降低系统功耗。反向漏电流(IR)为150μA，确保了良好的绝缘性能。此外，该二极管支持高达210A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，增强了应对突发情况的能力。凭借优异的热稳定性和快速开关特性，适用于高效能电源转换器及逆变装置中，以实现更加紧凑和可靠的设计。

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￥38.01
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￥32.79
30+
￥29.61
90+
￥26.95

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型号：HIDW30G120C5B 编号：C42389231

封装：TO-247-3L

这款碳化硅二极管设计有30安培的额定正向电流（IF/A），并且能够承受最高1200伏特的反向电压（VR/V），适用于高电压和大电流需求的电路设计中。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，表明在导通状态下能保持较低的能量损耗。反向漏电流（IR/uA）为200微安，显示了其在非导通模式下的良好隔离性。此外，该二极管支持高达100安培的瞬态正向电流（IFSM/A），使其能够在面对突然增加的电流负荷时维持稳定的工作状态。这些特性使其非常适合应用于需要高效能电力转换及控制的场合。

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￥40.43
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￥34.74
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￥31.27
90+
￥28.36

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型号：HNDSH30120CDN 编号：C42389248

封装：TO-247-3L

这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，支持高达30A的正向平均电流IF和1200V的反向耐压VR，适用于需要承受高电压的工作环境。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少热损耗并提高效率。该二极管的反向漏电流IR低至200μA，保证了良好的电能管理；同时，非重复峰值浪涌电流IFSM达到100A，增强了对瞬时大电流冲击的抵抗力。它适合于各种追求高效、稳定性能的应用场合。

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￥40.82
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￥35.08
30+
￥31.57
90+
￥28.64

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型号：HIDW40G120C5B 编号：C42389222

封装：TO-247-3L

这款碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF）承载能力，以及1200伏特的反向击穿电压（VR），表明其可以在高压和大电流条件下可靠运作。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。反向漏电流（IR）控制在200微安，这保证了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态正向电流（IFSM）可达130安培，意味着它可以在短时间内处理电流尖峰。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高性能整流和高效率转换的电路设计中。

1+
￥54.43
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￥46.77
30+
￥42.1
90+
￥38.18

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型号：MUR460 编号：C22397658

封装：DO-201AD

二极管配置独立式正向压降(Vf) 1.3V 直流反向耐压(Vr) 600V 平均整流电流(Io) 4A 反向电流(Ir) 5uA 反向恢复时间(trr) 50ns 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.2452
50+
￥0.2394
150+
￥0.2355
500+
￥0.2316

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型号：BZX384-C15,135 编号：C22465380

封装：SOD-323(SC-76)

品牌：Nexperia(安世)

二极管配置: 独立式稳压值(标称值): 15V 反向电流(Ir)：50nA@10.5V 稳压值(范围)：13.8V~15.6V 功率(Pd)：300mW 阻抗(Zzt)：30Ω

100+
￥1.392
200+
￥1.368
300+
￥1.344

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型号：MBR1060DS 编号：C42924198

封装：TO-252

二极管配置独立式正向压降(Vf) 700mV@10A 直流反向耐压(Vr) 60V 整流电流 10A 反向电流(Ir) 500uA@60V 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥0.3663
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￥0.3575
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￥0.3516
500+
￥0.3458

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型号：MBR30100DS 编号：C42924197

封装：TO-252

二极管配置独立式正向压降(Vf) 780mV@30A 直流反向耐压(Vr) 100V 整流电流 30A 反向电流(Ir) 50uA@100V 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

5+
￥1.0133
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￥0.7943
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￥0.7004
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￥0.5833
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￥0.5311
6000+
￥0.4998

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型号：MUR3020PTS 编号：C22440644

封装：TO-247S

二极管配置 1对共阴极正向压降(Vf) 1V 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 30A 反向电流(Ir) 10uA 反向恢复时间(trr) 35ns 工作温度 -40℃~+150℃@(Tj)

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￥3.36
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￥2.71
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￥2.38
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￥2.05
510+
￥1.86
990+
￥1.76

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型号：SCS105KGC-HXY 编号：C45896869

封装：TO-220-2L

此款碳化硅二极管拥有5A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)耐压能力，非常适合高要求的应用场景。其正向电压(VF)为1.4V，在保证性能的同时降低了能量损耗。该元件的反向漏电流(IR)低至100uA，有助于减少不必要的能耗。它还具备承受45A非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)的能力，确保在突发情况下的可靠性。这些特性使其成为电力转换设备、不间断电源系统等需要高效能与稳定性的理想选择。

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￥14.68
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￥12.48
50+
￥11.11
100+
￥9.7
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￥9.06
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￥8.78

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型号：HFFSD10120A 编号：C42389265

封装：TO-252-2L(DPAK)

这款碳化硅二极管具备10安培的最大正向电流（IF/A），同时支持最高1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下保持稳定工作。正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了导通时的能量损耗。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，展示了出色的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）为90安培，意味着它可以在短时间内承受电流峰值而不损坏。适用于要求高效率与可靠性的电源转换及高频开关电路。

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￥17.82
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￥15.1
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￥13.4
100+
￥11.52
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￥10.74
1000+
￥10.39

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型号：HFFSD1065BF085 编号：C42389212

封装：TO-252-2L(DPAK)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。在其正向导通状态下的电压降（VF/V）仅为1.3伏特，有助于减少能量损耗。此外，该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流（IR/uA：50），表明其拥有良好的阻断性能。峰值瞬态电流（IFSM/A）可达80安培，适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中，确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。

1+
￥8.71
10+
￥8.5
30+
￥8.37
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￥8.13

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型号：HSTPSC12065GTR 编号：C42389261

封装：TO-263

这款碳化硅二极管提供12A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适用于高效能电源设计。其正向电压降(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。在标准工作条件下，该二极管的反向漏电流(IR)保持在50μA以下，确保了优异的电气隔离性能。此外，它能够承受90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，提高了对瞬态过载的防护能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及需要高效率与可靠性的电子电路的理想选择。

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￥14.95
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￥11.21
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￥9.74
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￥9.07
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￥8.78

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型号：MBRF30150CT-TO-220F 编号：C54305054

封装：TO-220F

品牌：DDF(鼎德丰)

二极管配置 1对共阴极正向压降(Vf) 950mV 直流反向耐压(Vr) 150V 整流电流 15*2A 反向电流(Ir) 100uA 工作结温范围 -55℃~+150℃ 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) 200*2A

5+
￥0.6551
50+
￥0.6407
150+
￥0.6311
500+
￥0.6215

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型号：HC3D10065F 编号：C45896881

封装：TO-220F-2L

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)耐压能力，适用于多种电力转换设备。其正向电压(VF)为1.3V，有助于减少能量损耗，同时在断开状态下仅有50uA的反向漏电流(IR)，提高了能效。瞬态正向电流(IFSM)可达80A，确保了在突发高电流情况下的可靠性。这些特点使得该二极管非常适合用于需要高效、稳定电源管理的应用场景，满足对高性能电子组件的需求。

1+
￥12.07
10+
￥11.79
50+
￥11.61
100+
￥11.43

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型号：HFFSP2065BF085 编号：C42389179

封装：TO-220C-2L

此款碳化硅二极管具有20安培的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求苛刻的电流处理应用。其额定反向电压（VR/V）为650伏特，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向电流（IR/uA）为100微安，体现了良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）高达123安培，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其非常适合用于需要高效能和稳定性的电路中。

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￥12.55
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￥12.27
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￥11.93
100+
￥11.74

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型号：LGE3D15065H 编号：C51018421

封装：TO-247-2

商品目录碳化硅二极管；整流电流 15A；正向压降(Vf) 1.43V@15A；直流反向耐压(Vr) 650V；反向电流(Ir) 10uA@650V

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￥13.07
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￥11.11
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￥9.89
90+
￥8.63
510+
￥8.07
990+
￥7.82

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型号：LSIC2SD120A10A-HXY 编号：C45896875

封装：TO-220-2L