IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247-2L

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流(IF)，并能承受高达1200伏特的反向电压(VR)，确保了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压(VF)仅为1.5伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。其反向漏电流(IR)控制在200微安，显示了出色的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达130安培，表明其能够应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其适用于多种需要高效能量转换与管理的应用场景中。

1+
￥29.832 ￥37.29
10+
￥25.808 ￥32.26
30+
￥22.144 ￥27.68
90+
￥20.088 ￥25.11

有货

立即购买

型号：HSCS240AE2GC11Z 编号：C42389276

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具备优异的电学性能和良好的热稳定性，适用于多种高效率电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，支持在较高电压条件下稳定工作。正向导通压降（VF）为1.35V，有效降低导通损耗，提升整体能效。反向漏电流（IR）低至40μA，表现出优异的阻断能力。同时，该器件可承受最高300A的浪涌电流（IFSM），具备较强的瞬态过流适应性。广泛应用于高频开关电源、光伏逆变系统及通信设备电源模块中，满足对效率、密度与可靠性有要求的应用场景。

1+
￥30.0784 ￥34.18
10+
￥25.8456 ￥29.37
30+
￥23.2672 ￥26.44
90+
￥21.1024 ￥23.98

有货

立即购买

型号：HC6D20065H 编号：C45896866

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向连续电流(IF)和650V的反向电压(VR)耐压能力，适用于高要求的应用场景。其正向电压(VF)为1.35V，确保了低能耗和高效能。该二极管在反向漏电流(IR)方面表现出色，仅为10微安，减少了不必要的能量损耗。瞬态正向电流(IFSM)可达150A，提供了额外的安全余量以应对突发电流冲击。其快速恢复时间和优异的温度稳定性，使其成为电力电子系统中不可或缺的组件，如电源转换器、不间断电源系统等设备的理想选择，有助于提升整体系统的稳定性和效率。

1+
￥33.282 ￥36.98
10+
￥28.719 ￥31.91
30+
￥25.929 ￥28.81
90+
￥23.598 ￥26.22

有货

立即购买

型号：HNDSH20120CDN 编号：C42389246

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有出色的电气性能，正向平均电流IF为20A，反向耐压VR高达1200V，适合在高电压应用中提供可靠保护。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少能量损耗。该器件的反向漏电流IR控制在250μA以下，保证了低功耗运行；非重复峰值浪涌电流IFSM为71A，能够有效应对瞬态过载情况。它适用于需要高效、稳定电力转换的各种场合。

1+
￥34.21
10+
￥29.4
30+
￥26.47

有货

立即购买

型号：HFFSH20120ADNF155 编号：C42389184

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有稳健的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为20A，能够在高达1200V的反向电压（VR/V）下正常工作。器件在正向电压（VF/V）仅1.5V时展现高效导通特性，有助于减少系统功耗。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安水平，确保了良好的绝缘性能。此外，它能够承受最高71A的瞬时正向峰值电流（IFSM/A），适用于需要快速开关特性的高性能电路设计中，有助于提升整体电路效率与可靠性。

1+
￥34.3
10+
￥29.47
30+
￥26.53

有货

立即购买

型号：HSTPSC40H12CWL 编号：C42389250

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备40安培的正向电流（IF/A），同时支持高达1200伏特的反向电压（VR/V），使其能够在高压环境下稳定工作。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于降低能耗。反向漏电流（IR/uA）保持在200微安水平，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为130安培，意味着可以在短时间内承受较大的电流冲击。这些特性使得它非常适合应用于需要快速切换及高电压稳定性的电路设计中。

1+
￥35.4288 ￥40.26
10+
￥30.448 ￥34.6
30+
￥27.4032 ￥31.14
90+
￥24.86 ￥28.25

有货

立即购买

型号：HC6D10170H 编号：C42389280

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A），可承受最高1700V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压应用中的稳定性。其正向电压（VF/V）为1.5V，在导通状态下能减少能量损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在60微安水平，体现了出色的隔离性能。同时，它能够承受峰值为55A的瞬时正向电流（IFSM/A），适合用于需要高可靠性的电路保护及高效能的电源管理解决方案中。

1+
￥35.4288 ￥40.26
10+
￥30.448 ￥34.6
30+
￥27.4032 ￥31.14
90+
￥24.86 ￥28.25

有货

立即购买

型号：HWNSC401200CWQ 编号：C42389296

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有40A的额定正向电流（IF/A），并支持高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压应用环境。其正向电压降（VF/V）为1.5V，在大电流操作下可维持较低的功率损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，展示出较强的绝缘性能。瞬时峰值电流（IFSM/A）可达130A，确保了在突发电流情况下的安全性和可靠性，适用于要求快速开关特性和高能效的设计中。

1+
￥39.6176 ￥45.02
10+
￥34.0384 ￥38.68
30+
￥30.6416 ￥34.82
90+
￥27.7904 ￥31.58

有货

立即购买

型号：HMSC030SDA120B 编号：C42389315

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管提供30安培的正向电流能力（IF/A），并能承受最高1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有助于提升电路的效率并减少热损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安以内，保证了其在反向偏置状态下的可靠性。此外，该二极管可承受高达121安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使其成为需要快速开关和高可靠性的电路设计中的理想选择，适用于要求高性能的电子设备中。

1+
￥39.9828 ￥51.26
10+
￥34.4604 ￥44.18
30+
￥30.3576 ￥38.92
90+
￥27.534 ￥35.3

有货

立即购买

型号：HIDWD30G120C5 编号：C42389205

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备30安培的正向电流(IF)承载能力，同时支持高达1200伏特的反向电压(VR)，适合用于需要高压稳定性的电路设计。其正向电压(VF)为1.5伏特，有助于降低能量损失。反向漏电流(IR)为250微安，展示了良好的阻断特性。此外，该二极管能够承受121安培的瞬态正向浪涌电流(IFSM)，表明其在面对电流峰值时依然可靠。这些特性使其成为追求高效能与低功耗应用的理想选择。

1+
￥40.9275 ￥48.15
10+
￥35.1645 ￥41.37
30+
￥31.654 ￥37.24
90+
￥28.713 ￥33.78

有货

立即购买

型号：HSTPSC30H12CWL 编号：C42389204

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管设计有30安培的最大正向电流(IF)，并且能够承受1200伏特的反向电压(VR)，确保在高电压条件下稳定工作。它拥有1.5伏特的正向电压降(VF)，有助于减少运行时的电力损耗。二极管的反向电流(IR)被限制在200微安，表明其具有良好的绝缘性能。瞬态正向电流(IFSM)最高可达100安培，这表明它具备处理短时电流激增的能力。这些技术规格使其非常适合应用于要求高性能和低能耗的系统中。

1+
￥43.197 ￥50.82
10+
￥37.1195 ￥43.67
30+
￥33.4135 ￥39.31
90+
￥30.3025 ￥35.65

有货

立即购买

型号：FFSH1065B-F085-HXY 编号：C45896867

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备卓越的电性能参数，正向电流IF可达10A，反向耐压VR高达650V，使其在高电压应用中表现优异。正向导通电压VF仅为1.3V，有效降低了能耗，同时反向漏电流IR低至50uA，减少了不必要的能量损耗。其峰值非重复正向浪涌电流IFSM为80A，确保了设备在瞬时过载情况下的可靠性。这些特性使它成为高效能电力转换系统中的关键组件，适用于各种需要提高能源效率和系统稳定性的场合。

1+
￥44.7165 ￥47.07
10+
￥38.5795 ￥40.61
30+
￥34.8365 ￥36.67
90+
￥31.7015 ￥33.37

有货

立即购买

型号：HNDSH40120CF155 编号：C42389251

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备40A的正向平均电流(IF)和1200V的反向耐压(VR)，能够满足高功率应用需求。其正向电压降(VF)仅为1.5V，确保了较低的能量损耗；在额定温度下的反向漏电流(IR)控制在300μA以内，保证了良好的电气隔离性能。此外，该二极管支持高达161A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，增强了应对瞬态过载的能力。这些特性使其适用于需要高效能、可靠性的电源转换及保护电路中。

1+
￥47.906 ￥56.36
10+
￥41.1655 ￥48.43
30+
￥37.0515 ￥43.59
90+
￥33.609 ￥39.54

有货

立即购买

型号：HIDW40G65C5BXKSA2 编号：C42389292

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款碳化硅二极管具有优异的电气性能与高可靠性，适用于多种高效能电源系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，可稳定运行于较高电压环境。正向压降（VF）为1.35V，在导通状态下能量损耗较低，有助于提升系统效率。反向漏电流（IR）仅为40μA，表现出良好的阻断特性。器件还具备300A的浪涌电流（IFSM）承受能力，能够应对瞬态过流情况。该产品广泛适用于高频电源转换器、太阳能逆变装置及通信基础设施中的电源模块，满足对效率、密度与稳定性有较高要求的应用场景。

1+
￥53.9528 ￥61.31
10+
￥46.3584 ￥52.68
30+
￥41.7296 ￥47.42
90+
￥37.8488 ￥43.01

有货

立即购买

型号：HIDW20G120C5B 编号：C42389220

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管提供稳定的电气性能，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。正向电压降（VF/V）为1.5V，有助于降低能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，确保在高压环境下工作时的可靠性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为71A，适用于需要高耐压和大电流的应用场景，如高性能开关模式电源设计，能够显著提升系统的响应速度和效率。

1+
￥59.01
10+
￥50.71
30+
￥45.65

有货

立即购买

型号：DSEI2X31-06C-HXY 编号：C53133706

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管额定正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，表现出低导通损耗与高阻断能力。器件可承受高达600A的浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率的电源转换系统，在对热性能和开关速度有较高要求的电力电子应用中具有显著优势。

1+
￥98.4295 ￥103.61
10+
￥93.9075 ￥98.85
26+
￥86.0795 ￥90.61
104+
￥79.249 ￥83.42

有货

立即购买

型号：STTH60L06TV1-HXY 编号：C53133710

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的电力转换场景，尤其在高频运行条件下可显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

1+
￥105.469 ￥111.02
10+
￥100.624 ￥105.92
26+
￥92.226 ￥97.08
104+
￥84.9015 ￥89.37

有货

立即购买

型号：GD2X30MPS06N-HXY 编号：C53133714

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性与阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器及对热稳定性和动态响应要求较高的电力电子系统。

1+
￥111.02
10+
￥105.92
26+
￥97.08

有货

立即购买

型号：STTH120L06TV1-HXY 编号：C53133703

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管的正向电流（IF）为250A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA。器件可承受高达600A的非重复浪涌正向电流（IFSM），具备出色的瞬态电流耐受能力。其低导通压降与极小的反向漏电特性，结合碳化硅材料的高热导率和高频性能，适用于对效率、散热及动态响应要求较高的电力电子系统。

1+
￥112.499 ￥118.42
10+
￥107.331 ￥112.98
26+
￥98.3725 ￥103.55
104+
￥90.5635 ￥95.33

有货

立即购买

型号：GHXS100B065S-D3-HXY 编号：C53133702

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态过载承受能力。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关和高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统及对热管理要求较高的电力电子应用。

1+
￥118.902 ￥125.16
26+
￥113.202 ￥119.16

有货

立即购买

型号：GHXS050B065S-D3-HXY 编号：C53133716

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性和阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，能够有效应对突发的高电流冲击。器件适用于高频、高效率的电源转换系统，尤其在对热管理、开关速度及长期运行稳定性有较高要求的电力电子应用中表现良好。

1+
￥118.902 ￥125.16
26+
￥113.202 ￥119.16

有货

立即购买

型号：STTH200L06TV1-HXY 编号：C53133704

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于存在高瞬态电流冲击的场合。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频运行和高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合用于高效率、高功率密度的电源转换及对热稳定性要求较高的电力电子应用。

1+
￥133.589 ￥140.62
10+
￥127.452 ￥134.16
26+
￥116.8215 ￥122.97
104+
￥107.54 ￥113.2

有货

立即购买

型号：DSEP2X31-06A-HXY 编号：C53133705

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率与可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要低损耗、高热稳定性的电力电子系统中表现突出。

1+
￥142.6805 ￥150.19
26+
￥135.8405 ￥142.99

有货

立即购买

型号：DSEP2X91-06A-HXY 编号：C53133707

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具备250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通效率与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，可有效应对瞬态过流条件。适用于高频开关电源、高功率密度变换器等对器件损耗、热稳定性和动态响应有严苛要求的电力电子系统。

1+
￥142.6805 ￥150.19
26+
￥135.8405 ￥142.99

有货

立即购买

型号：GD2X60MPS06N-HXY 编号：C53133715

封装：SOT-227

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，具备优异的导通与阻断特性。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态耐受能力。器件适用于对效率、热性能及可靠性要求较高的高频电源转换场景，尤其在需要高功率密度与快速开关响应的电力电子系统中表现突出。