IR二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C10S 编号：C53373677

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.042
500+
￥0.0411
3000+
￥0.0404

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型号：BZT52C4V7S 编号：C53373673

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.042
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型号：BZT52C15S 编号：C53373680

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.042
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型号：BZT52C2V4S 编号：C53373670

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.0446
500+
￥0.0436
3000+
￥0.043

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型号：BZT52C2V7S 编号：C53373671

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.0446
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￥0.0436
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型号：BZT52C3V9S 编号：C53373672

封装：SOD-323

品牌：CCX(晁禾)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

50+
￥0.0446
500+
￥0.0436
3000+
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型号：BZT52C27S 编号：C2993022

封装：SOD-323

品牌：MDD(辰达半导体)

通用贴片稳压二极管，精度5%，较低的IR漏电流

数据手册

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￥0.085
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型号：GI758-E3/54 编号：C17286810

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

特性：低正向压降。低漏电流，IR 小于 0.1μA。高正向电流能力。高正向浪涌能力。浸焊温度最高 275℃，持续 10s，符合 JESD22-B106。应用：电源、逆变器、转换器的通用整流。续流二极管应用

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￥4.18
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￥4.08
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型号：HIDH04G65C5XKSA2 编号：C42389255

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有4安培的正向电流（IF），可在高压环境下稳定工作，其最大反向电压（VR）为650伏特。正向电压降（VF）为1.3伏特，有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，显示出良好的关闭特性。其峰值电流（IFSM）为23安培，意味着它可以处理瞬时高电流需求。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高效能和可靠性的电子设备中。

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￥4.19
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￥4.09
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￥4.03

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型号：HSCS306AHGC9 编号：C42389316

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高功率密度应用中提供稳定的性能。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流工作条件下可显著减少功耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过50微安，体现了优异的阻断能力。此外，该二极管的最大瞬态正向电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要快速响应及高可靠性的电路设计中，确保了在动态负载条件下的稳健工作。

1+
￥4.26
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￥4.17
50+
￥4.1

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型号：HFFSP1065B 编号：C42389218

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有效降低了导通时的功耗。反向漏电流（IR/uA）控制在60微安，体现了良好的阻断特性。同时，该二极管能够承受高达90安培的瞬态峰值电流（IFSM/A），增强了在复杂环境中的可靠性。适用于高频开关及电源管理等精密电路设计中，提供稳定的表现。

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￥4.5056 ￥5.12
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￥4.4 ￥5
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型号：HTRS6E65FS1Q 编号：C42389232

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备6安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特（VR/V）的反向电压。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保导通性能的同时降低了能耗。反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，展现了优异的绝缘特性。此外，该二极管能够处理高达48安培（IFSM/A）的瞬时峰值电流，适用于高频开关电路及精密设备中的高效能电力传输与控制，满足对可靠性和效率有较高要求的应用需求。

1+
￥4.6
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￥4.49
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型号：HSCS310AHGC9 编号：C42389302

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具有10A的最大连续正向电流（IF），并在650V的反向电压（VR）下提供可靠的性能。其正向压降（VF）为1.5V，有助于降低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）控制在微安级（60μA），表明其拥有良好的阻断能力。瞬态正向电流峰值（IFSM）可达到90A，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其成为高频开关电源、DC-DC转换器等需要高效率和稳定性的应用的理想选择。

1+
￥4.6729 ￥5.63
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￥4.565 ￥5.5
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￥4.4239 ￥5.33
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型号：HSTPSC8H065D 编号：C42389233

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有8安培的正向电流能力（IF/A），并能承受650伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）保持在50微安以下，表明了出色的隔离性能。此外，该二极管支持最高64安培（IFSM/A）的瞬间正向浪涌电流，适合应用于要求快速开关动作和高能效转换的场合，如高性能电源模块或消费电子产品的功率管理单元。

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￥4.92
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￥4.81
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型号：HC3D10065H 编号：C45896877

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF)能力，适用于对电流需求适中的高效能电路。它拥有650V的反向电压(VR)，确保在高压环境下仍能稳定工作。其正向电压(VF)为1.3V，有助于降低能耗，提升电能利用效率。漏电流(IR)控制在50微安(uA)，减少了不必要的能量损失。此外，该二极管可承受高达80A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，提供额外的安全边际以应对突发的大电流情况。它是电力转换和保护应用中追求高效率与可靠性的理想选择。

1+
￥6.0325 ￥6.35
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￥5.8995 ￥6.21
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￥5.8045 ￥6.11
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￥5.719 ￥6.02

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型号：HSTPSC6C065Y 编号：C42389209

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有优异的电气特性，其正向平均电流IF为6A，反向电压VR达到650V，确保了在高压环境下的稳定工作。正向电压VF仅为1.3V，有助于减少系统功耗。此外，该器件具备50μA的低反向漏电流IR，提高了系统的整体效率。最大浪涌电流IFSM可达48A，增强了对瞬间大电流冲击的耐受能力。适用于需要高效能、高可靠性的电源转换及逆变器等场景。

1+
￥6.3
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￥6.16
50+
￥6.07

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型号：HTRS8E65FS1Q 编号：C42389225

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有8安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在反向应用时，其漏电流（IR/uA）限制在50微安。瞬态峰值电流（IFSM/A）可以达到64安培。这些特性使其非常适合应用于要求高效率与低能耗的高频开关电路及类似电子装置中，有助于提升系统的整体性能并保证稳定性。

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￥6.62
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￥6.47
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￥6.37

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型号：HIDH08G65C5XKSA2 编号：C42389192

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备8A的最大正向电流（IF/A），能够承受高达650V的反向电压（VR/V），适合用于高压环境中的电路设计。其正向电压（VF/V）为1.3V，在确保导通的同时降低了能量损失。反向漏电流（IR/uA）为50μA，显示了其优秀的阻断性能。此外，该二极管能承受最高64A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），这使得它在应对短时电流峰值方面表现优异。这些特性使其成为高频开关电源和精密电源管理系统中的理想选择，有助于提升整体系统的效率与可靠性。

1+
￥6.94
10+
￥6.78
50+
￥6.68

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型号：HFFSP0665A 编号：C42389256

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培。适用于高频开关电源、逆变器及其它需要高效能转换的应用中，提供卓越的导电性能与可靠性。

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￥7.08
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￥6.92
50+
￥6.81

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型号：HSTPSC12065GTR 编号：C42389261

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管提供12A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适用于高效能电源设计。其正向电压降(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。在标准工作条件下，该二极管的反向漏电流(IR)保持在50μA以下，确保了优异的电气隔离性能。此外，它能够承受90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，提高了对瞬态过载的防护能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及需要高效率与可靠性的电子电路的理想选择。

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￥8.5272 ￥9.69
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￥8.3336 ￥9.47
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￥8.2104 ￥9.33
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￥8.0784 ￥9.18

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型号：HIDK10G120C5 编号：C42389236

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有10安培的正向电流（IF/A），并能承受高达1200伏特的反向电压（VR/V），适用于需要坚固电气性能的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有效降低了能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）限制在100微安，体现了出色的绝缘特性。此外，此元件支持最高90安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），能够在复杂的工作环境中提供可靠的过流保护。这些技术规格使其成为构建高性能电力转换系统及其他对效率与稳定性有要求的解决方案的理想选择。

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￥8.9672 ￥10.19
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￥8.7648 ￥9.96
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￥8.624 ￥9.8
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￥8.3864 ￥9.53

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型号：HSCS208AGC17 编号：C42389211

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有8A的正向电流（IF/A）处理能力，以及650V的最大反向电压（VR/V），适用于需要高电压和强大电流的应用。其正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于降低工作时的电力损耗。反向漏电流（IR/uA）被限制在50微安，确保了在反向偏置状态下的低功耗表现。瞬态正向峰值电流（IFSM/A）可以达到64A，这意味着它可以承受短时间内大幅度的电流波动。鉴于这些特性，此款二极管是高频开关电源和其他要求苛刻的电路设计中的理想选择。

1+
￥9.58
10+
￥9.36
50+
￥9.11

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型号：HC6D10065G 编号：C42389267

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计精良，具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR，满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安，确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培，增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

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￥10.188 ￥11.32
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￥8.64 ￥9.6
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￥7.677 ￥8.53
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￥6.687 ￥7.43
500+
￥6.246 ￥6.94
800+
￥6.048 ￥6.72

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型号：HNXPSC166506Q 编号：C42389301

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF）可达16A，在反向电压（VR）为650V的情况下能够确保电路的安全运行。该二极管在正向导通时电压降（VF）仅为1.3V，有助于减少能量损耗。在温度升高时，其反向漏电流（IR）被限制在100μA以内，保证了在不同环境下的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高支持128A，使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。

1+
￥12.25
10+
￥11.97
50+
￥11.78

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型号：DSC05120-HXY 编号：C45896879

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换系统。其正向电压(VF)为1.4V，保证了较低的能量损耗，同时反向漏电流(IR)仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬态正向电流(IFSM)可达45A，增强了对短时峰值电流的耐受能力。这些特性使其成为高效能电力电子设备中的关键组件，特别适合于需要稳定高压操作和高效能表现的应用场景。

1+
￥18.89
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￥18.45
50+
￥18.17

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型号：HWNSC201200CWQ 编号：C42389313

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，并能承受高达1200V的反向电压(VR/V)，适用于需要高压和稳健电流管理的应用场景。其正向电压(VF/V)为1.5V，有效降低了导通损耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)为250微安，在非导通状态下提供可靠的隔离性能。同时，它还能承受71A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)，增强了在复杂环境下的耐用性，适合用于追求高效与稳定性的各类电路设计中。