IR二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > IR二极管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共194333件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12D 编号：C42389180

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.35伏特，在高电流应用中能有效减少能量损失。二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温下测得为250微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下的最大正向浪涌电流（IFSM/A）为71安培，适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性，适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

1+
￥9.8472 ￥11.19
10+
￥8.3424 ￥9.48
50+
￥7.3304 ￥8.33
100+
￥6.3712 ￥7.24
500+
￥5.9312 ￥6.74
1000+
￥5.7464 ￥6.53

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BYTR 编号：C42389308

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF），能够承载较高的电流负载，同时保持650V的反向击穿电压（VR），确保了在高压环境下的稳定性。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。反向漏电流（IR）限制在50微安，使得设备在非导通状态时几乎不消耗电能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达80A，表明它可以在短时间内承受电流尖峰而不损坏。这些特性使其非常适合用于要求高效转换和可靠性的高性能电路中。

1+
￥11.7611 ￥14.17
10+
￥9.9683 ￥12.01
30+
￥8.8395 ￥10.65
100+
￥7.6028 ￥9.16
500+
￥7.0882 ￥8.54
1000+
￥6.8641 ￥8.27

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS210KE2C 编号：C42389201

封装：TO-247-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持最高达1200V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.4V，表明在导通状态下能有效减少电力损耗。该二极管的反向恢复电流（IR/uA）为150μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。瞬态正向峰值电流（IFSM/A）可以达到46A，使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中，例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块，能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

1+
￥12.3288 ￥14.01
10+
￥10.4456 ￥11.87
30+
￥9.1784 ￥10.43
90+
￥7.9728 ￥9.06
510+
￥7.4272 ￥8.44
990+
￥7.1896 ￥8.17

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH08G65C6 编号：C42389258

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管的正向电流额定值为8A（IF/A），可承受的最大反向电压为650V（VR/V）。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损耗。在反向测试条件下，漏电流不超过50μA（IR/uA）。此外，该二极管能够处理高达64A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电路和高性能能量转换解决方案的理想选择。

1+
￥12.864 ￥16.08
10+
￥10.888 ￥13.61
50+
￥9.648 ￥12.06
100+
￥8.384 ￥10.48
500+
￥7.808 ￥9.76
1000+
￥7.56 ￥9.45

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH10G120C5 编号：C42389219

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有卓越的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为10A，能够承受高达1200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，仅需1.35V的正向电压（VF/V），表现出优异的能效比。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安以下，确保了在高电压下的可靠运行。瞬态峰值电流（IFSM/A）为71A，使其成为高频开关电源的理想选择，有助于提升电子装置的能量转换效率与整体性能稳定性。适用于需要快速开关特性的电路设计中。

1+
￥14.1695 ￥16.67
10+
￥11.9935 ￥14.11
50+
￥10.625 ￥12.5
100+
￥9.231 ￥10.86
500+
￥8.602 ￥10.12
1000+
￥8.33 ￥9.8

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC5H12BTR1 编号：C42389309

封装：TO-252-2L(DPAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF）能力，可在大电流应用中保持高效运行，同时拥有1200V的反向击穿电压（VR），适合应用于高电压要求的场合。其正向电压降（VF）为1.4V，有助于降低能耗。反向漏电流（IR）为100微安，在非导通期间功耗极低。瞬态正向浪涌电流（IFSM）达到45A，表明它可以应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其成为追求低功耗与高可靠性的高频开关和其他精密电路设计的理想选择。

1+
￥14.857 ￥17.9
10+
￥12.5911 ￥15.17
30+
￥11.1718 ￥13.46
100+
￥9.6031 ￥11.57
500+
￥8.9474 ￥10.78
1000+
￥8.6652 ￥10.44

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC4D12120A 编号：C45896883

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)为1.35V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。反向漏电流(IR)低至150微安(uA)，确保了在非导通状态下的高效率。最值得注意的是，它能够承受高达130A的峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)，使其成为应对瞬时过载情况的理想选择。此款二极管适用于需要高可靠性、高速开关及高能效比的电源转换系统中。

1+
￥15.0392 ￥17.09
10+
￥12.7864 ￥14.53
50+
￥11.3784 ￥12.93
100+
￥9.9352 ￥11.29
500+
￥9.284 ￥10.55
1000+
￥9.0024 ￥10.23

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H065BTR 编号：C42389259

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR)，适用于多种高效率电源设计。其正向电压降(VF)低至1.3V，有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。在标准工作条件下，该二极管表现出色，其反向漏电流(IR)仅为50μA，确保了良好的电气性能。此外，支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，能够有效应对突发性的电流冲击，适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

1+
￥15.5625 ￥18.75
10+
￥13.1887 ￥15.89
30+
￥11.703 ￥14.1
100+
￥10.0596 ￥12.12
500+
￥9.3707 ￥11.29
1000+
￥9.0802 ￥10.94

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC6D06120A 编号：C45896882

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF)，能够承受高达1200V的反向电压(VR)，其正向电压(VF)在额定电流下为1.4V，保证了较低的能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表现出卓越的绝缘性能，同时峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)可达45A，使其在高瞬态条件下依然稳定可靠。这些特性使它成为高效能电源转换和管理应用中的理想组件，特别适用于需要高压、高速开关操作的场合。

1+
￥15.7168 ￥17.86
10+
￥13.3584 ￥15.18
50+
￥11.8888 ￥13.51
100+
￥10.3752 ￥11.79
500+
￥9.6976 ￥11.02
1000+
￥9.3984 ￥10.68

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：FFSP05120A-HXY 编号：C45896874

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高性能应用设计，提供5A的正向电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，确保在高压环境下稳定工作。其正向电压(VF)为1.4V，有助于减少能量损耗，提高效率。漏电流(IR)仅为100微安(uA)，表明其具有优异的绝缘性能。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)为45A，可有效抵御瞬时电流冲击，适合应用于高效电源转换系统及再生能源设备中，增强系统的整体效能与可靠性。

1+
￥15.8937 ￥17.09
10+
￥13.5129 ￥14.53
50+
￥12.0249 ￥12.93
100+
￥10.4997 ￥11.29
500+
￥9.8115 ￥10.55
1000+
￥9.5139 ￥10.23

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC166506Q 编号：C42389301

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF）可达16A，在反向电压（VR）为650V的情况下能够确保电路的安全运行。该二极管在正向导通时电压降（VF）仅为1.3V，有助于减少能量损耗。在温度升高时，其反向漏电流（IR）被限制在100μA以内，保证了在不同环境下的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高支持128A，使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。

1+
￥16.048 ￥18.88
10+
￥13.583 ￥15.98
50+
￥12.036 ￥14.16
100+
￥10.455 ￥12.3
500+
￥9.741 ￥11.46
1000+
￥9.435 ￥11.1

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP2065A 编号：C42389239

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款碳化硅二极管具有20A的最大整流电流IF/A，能够在650V的反向电压VR/V下稳定工作。其正向电压VF/V为1.5V，意味着在导通状态下的能量损失较小。反向漏电流IR/uA低于100微安，确保了较高的阻断性能。瞬态峰值电流IFSM/A可达123A，使其适合应用于需要高速切换频率及低损耗特性的电路设计中，能够帮助优化系统的整体性能，特别适用于追求高效能与可靠性的技术解决方案中。

1+
￥16.2008 ￥18.41
10+
￥13.728 ￥15.6
50+
￥12.0648 ￥13.71
100+
￥10.4808 ￥11.91
500+
￥9.7592 ￥11.09
1000+
￥9.4512 ￥10.74

有货

立即购买

HTRS16N65FBS1Q

型号：HTRS16N65FBS1Q 编号：C42389295

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），同时拥有650V的反向电压（VR/V），适合应用于需要高压和稳定电流的场合。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为24微安，表明其在阻断状态下的性能优异。此外，该二极管可以承受高达65A的峰值电流（IFSM/A），使其成为高频开关电源及其他需要高效率与可靠性的电路设计中的理想选择。

1+
￥16.3856 ￥18.62
10+
￥14.0096 ￥15.92
30+
￥12.5928 ￥14.31
90+
￥11.1672 ￥12.69
510+
￥10.5072 ￥11.94
990+
￥10.208 ￥11.6

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HC3D20065D 编号：C42389311

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的正向电流(IF/A)，以及高达650V的反向电压(VR/V)，确保了其在高电压和大电流条件下的稳定性能。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损失。该二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安，在大多数应用中都能保持良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可以达到150A，使得它能够承受短时内的电流峰值。这些特性使其适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计中。

1+
￥16.72 ￥19
10+
￥14.168 ￥16.1
30+
￥12.452 ￥14.15
90+
￥10.8152 ￥12.29
510+
￥10.076 ￥11.45
990+
￥9.7592 ￥11.09

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HIDH16G65C6 编号：C42389226

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为16A，在反向电压（VR/V）达到650V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.3V时即可导通，显示出高效的能量转换能力。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了较低的能量损耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达128A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，是高性能电子设备的理想选择。

1+
￥17.7288 ￥21.36
10+
￥15.2056 ￥18.32
50+
￥13.7116 ￥16.52
100+
￥12.201 ￥14.7
500+
￥11.5038 ￥13.86
1000+
￥11.1884 ￥13.48

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH1665ADNF155 编号：C42389262

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备8A的正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为24微安，在高压条件下仍能维持有效的阻断状态。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为65A，表明其在需要高可靠性和快速响应的应用中表现优异，适用于追求高效稳定性能的电路设计。

1+
￥17.9168 ￥20.36
10+
￥15.312 ￥17.4
30+
￥13.772 ￥15.65
90+
￥12.2056 ￥13.87
510+
￥11.484 ￥13.05
990+
￥11.1584 ￥12.68

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC10650B6J 编号：C42389268

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流能力（IF），同时支持最大650V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。该二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR）控制在50微安以内，体现了出色的绝缘性能。其峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A，适用于要求严苛的高频开关与电源转换应用中，提供稳定且高效的性能表现。

1+
￥18.3015 ￥22.05
10+
￥15.7036 ￥18.92
30+
￥14.1598 ￥17.06
100+
￥12.5994 ￥15.18
500+
￥11.8773 ￥14.31
800+
￥11.5536 ￥13.92

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC10H12G2YTR 编号：C42389269

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管设计有10A的正向电流（IF）承载能力，并能承受高达1200V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.4V，确保了较低的能量损耗。在反向特性方面，该二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，显示了优良的阻断特性。此外，它还能承受90A的瞬时正向浪涌电流（IFSM），使其成为高频开关电源以及需要高性能开关特性和可靠性的应用中的理想选择。

1+
￥19.09 ￥23
10+
￥16.3178 ￥19.66
30+
￥14.6744 ￥17.68
100+
￥13.0061 ￥15.67
500+
￥12.2425 ￥14.75
800+
￥11.8939 ￥14.33

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSH10120A 编号：C42389244

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在250微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达67安培，适用于需要高效率及高频操作的应用场景，如电源转换与逆变技术领域，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。

1+
￥19.8 ￥22.5
10+
￥16.9224 ￥19.23
30+
￥15.2152 ￥17.29
90+
￥13.4904 ￥15.33
510+
￥12.6984 ￥14.43
990+
￥12.3376 ￥14.02

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HNXPSC12650B6J 编号：C42389290

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流（IF），能够在高达650V的反向电压（VR）下正常工作。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，在较高温度下仍能保持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，适合需要处理短时大电流的应用场景。这些特性使得此款二极管在需要高效能与可靠性的电路设计中成为理想选择。

1+
￥20.1939 ￥24.33
10+
￥17.264 ￥20.8
30+
￥15.521 ￥18.7
100+
￥13.7614 ￥16.58
500+
￥12.948 ￥15.6
800+
￥12.5828 ￥15.16

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSTPSC20H065CWY 编号：C42389294

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20A的最大允许工作电流（IF/A），以及高达650V的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流通过时能量损耗较小。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测得为40微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，二极管能够承受最高达150A的浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

1+
￥21.029 ￥24.74
10+
￥17.9775 ￥21.15
30+
￥16.167 ￥19.02
90+
￥14.331 ￥16.86
510+
￥13.4895 ￥15.87
990+
￥13.107 ￥15.42

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HFFSP20120A 编号：C42389253

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），以及高达1200伏特的反向击穿电压（VR），确保了其在高压环境下的稳定性能。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够有效降低能耗。同时，它拥有低至200微安的反向漏电流（IR），表明其在关闭状态下几乎无电流泄露，提升了整体效率。此外，此二极管的峰值电流（IFSM）可达130安培，适用于需要瞬时处理高电流的应用场合。这些特性使其成为高性能电路设计中的理想选择。

1+
￥21.1899 ￥25.53
10+
￥18.177 ￥21.9
50+
￥16.3925 ￥19.75
100+
￥14.5831 ￥17.57
500+
￥13.7531 ￥16.57
1000+
￥13.3796 ￥16.12

有货

立即购买

HGP3D030A065B

型号：HGP3D030A065B 编号：C42389297

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有IF/A（正向电流）30A的特性，能够在电路中承载较大的电流。其VR/V（反向电压）为650V，表明它能够承受高达650伏特的反向电压而不发生击穿。VF/V（正向电压降）仅为1.3V，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。IR/uA（反向漏电流）在室温下为150微安，显示了良好的阻断性能。IFSM/A（最大瞬态正向电流）可达210A，适合用于需要瞬间处理高电流峰值的应用环境中。这些特性使得该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能量转换的场合。

1+
￥22.446 ￥24.94
10+
￥19.188 ￥21.32
30+
￥17.253 ￥19.17
90+
￥15.291 ￥16.99
510+
￥14.391 ￥15.99
990+
￥13.986 ￥15.54

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HDSC10120 编号：C42389289

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A），并能承受1200伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.35伏特，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR/uA）为250微安，展现了良好的隔离性能。瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）达到71安培，可在复杂条件下维持稳定工作。适用于高频开关电路中，提供可靠的整流与保护作用。

1+
￥23.5056 ￥28.32
10+
￥20.169 ￥24.3
50+
￥18.1853 ￥21.91
100+
￥16.185 ￥19.5
500+
￥15.2554 ￥18.38
1000+
￥14.8404 ￥17.88

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HSCS220KGHRC 编号：C42389287

封装：TO-220H-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.5伏特，在保证高效能的同时，降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了出色的绝缘性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达130安培，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，确保了电路的稳定性和效率。

1+
￥24.599 ￥28.94
10+
￥21.029 ￥24.74
50+
￥18.9125 ￥22.25
100+
￥16.762 ￥19.72
500+
￥15.776 ￥18.56
1000+
￥15.3255 ￥18.03

有货

立即购买

HC3D20065H

型号：HC3D20065H 编号：C45896876

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管专为高效能应用设计，具备20A的正向电流(IF)，适合于需要高电流处理能力的场合。其反向电压(VR)高达650V，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。正向电压(VF)低至1.35V，有助于减少能量损耗，提高整体效率。漏电流(IR)仅为10微安(uA)，保证了设备在待机状态下的低能耗。此外，它拥有150A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，使其能够承受瞬时的大电流冲击，保护电路不受损坏。该二极管是追求高效、可靠电力转换解决方案的理想选择。

1+
￥24.9216 ￥28.32
10+
￥21.384 ￥24.3
30+
￥19.2808 ￥21.91
90+
￥17.16 ￥19.5
510+
￥16.1744 ￥18.38
990+
￥15.7344 ￥17.88

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HIDWD15G120C5 编号：C42389183

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为15A，在反向电压（VR/V）达到1200V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.5V时，即可通过额定电流，表明其拥有较低的导通损耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）控制在200微安，体现了良好的阻断能力。瞬态条件下，此元件可承受高达87A的正向浪涌电流（IFSM/A），适合高频开关应用，能在要求严苛的电路中实现高效能量转换。

1+
￥26.027 ￥30.62
10+
￥22.253 ￥26.18
30+
￥20.009 ￥23.54
90+
￥17.7395 ￥20.87
510+
￥16.694 ￥19.64
990+
￥16.218 ￥19.08

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：GC10MPS12-220-HXY 编号：C45896880

封装：TO-220-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管专为高性能电力电子设计，提供12A的正向电流(IF)能力和1200V的反向电压(VR)耐受能力。其正向电压(VF)低至1.35V，有助于降低能量损耗，而反向漏电流(IR)仅为150uA，确保了在非导通状态下的高效率。瞬态正向电流(IFSM)高达130A，使其能够承受显著的峰值电流而不损坏。这些特性使它成为需要高效能和稳定性的电力转换应用的理想选择，适合于各种要求严格的电源管理系统中。

1+
￥28.248 ￥32.1
10+
￥24.2352 ￥27.54
50+
￥21.8504 ￥24.83
100+
￥19.4392 ￥22.09
500+
￥18.3304 ￥20.83
1000+
￥17.8288 ￥20.26

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HGD30MPS06H 编号：C45896865

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款碳化硅二极管具备40A的正向连续电流(IF)能力和650V的反向电压(VR)耐受能力，确保在高电压应用中的稳定表现。其正向电压(VF)仅为1.35V，在保证效率的同时降低了能量损耗。该二极管的反向漏电流(IR)低至80微安，表现出卓越的反向阻断能力。瞬态正向电流(IFSM)高达270A，使其能够承受极端条件下的电流冲击。凭借快速恢复特性和出色的温度稳定性，这款碳化硅二极管是高效电源转换和控制系统的理想选择，适用于如UPS、开关电源等多种电力电子设备中。

1+
￥29.5856 ￥33.62
10+
￥25.5288 ￥29.01
30+
￥23.0472 ￥26.19
90+
￥20.9792 ￥23.84

有货

立即购买

碳化硅肖特基二极管

型号：HNVDSH20120C 编号：C42389185

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款碳化硅二极管具备优异的电气特性，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。在正向电压（VF/V）为1.5V时，器件表现出低导通损耗的特点。反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达130A的瞬间正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高频开关操作的应用场景，能够有效增强电路的动态响应及稳定性。

1+
￥29.597 ￥34.82
10+
￥25.296 ￥29.76
30+
￥22.746 ￥26.76
90+
￥20.1705 ￥23.73
510+
￥18.972 ￥22.32
990+
￥18.4365 ￥21.69

有货

立即购买

共6478页，194333条记录到页

<上一页
1
...
28
29
30
31
32
...
6478
下一页

立创商城为您提供IR二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买IR二极管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content